晶閘管智能模塊的輸出特性

模塊的控制電壓與控制角α的關(guān)系因負(fù)載性質(zhì)和電路形式的不同而有所區(qū)別：

單相交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～ 180°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～9.5V。

單相整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～9.5V；感性負(fù)載時(shí)α范圍為0°～90°，控制電壓對(duì)應(yīng)于5V～9.5V。

三相全控整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～120°，控制電壓對(duì)應(yīng)2V～8V；感性負(fù)載時(shí)α范圍為0°～90°，控制電壓對(duì)應(yīng)于3.5V～8V。

三相半控整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～9.5V。

三相全控交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～150°，控制電壓對(duì)應(yīng)1.5V～9V。

三相半控交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～210°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～9.5V。

三相整流充放電模塊逆變放電時(shí)，α有效范圍為90°～180°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～5V；整流充電時(shí)，α有效范圍為0°～90°，控制電壓對(duì)應(yīng)5V～9.5V。

注：交流調(diào)壓模塊用于感性負(fù)載時(shí)α應(yīng)大于負(fù)載阻抗角Ψ，即α≥Ψ；當(dāng)α≤Ψ時(shí)，模塊已輸出較大電壓，且不再隨α的改變而變化。 正高電氣技術(shù)力量雄厚，工裝設(shè)備和檢測(cè)儀器齊備，檢驗(yàn)與實(shí)驗(yàn)手段完善。聊城MTAC150晶閘管智能模塊供應(yīng)商

    過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡(jiǎn)單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的，按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端。2、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短，也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會(huì)引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù)，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí)，和開關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會(huì)產(chǎn)生過電壓。聊城MTAC150晶閘管智能模塊供應(yīng)商以客戶至上為理念，為客戶提供咨詢服務(wù)。

晶閘管智能控制模塊均采用本公司**開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實(shí)現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控功能。 晶閘管智能模塊采用進(jìn)口方形芯片、高級(jí)芯片支撐板，模塊壓降小、功耗低，效率高,節(jié)電效果好。晶閘管智能模塊采用進(jìn)口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性。 晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板，經(jīng)獨(dú)特處理方法和特殊焊接工藝，保證焊接層無空洞，導(dǎo)熱性能好。熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)近10倍。 5 (5)晶閘管智能模塊采用高級(jí)導(dǎo)熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優(yōu)良。 晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導(dǎo)熱底板相互隔離，導(dǎo)熱底板不帶電．絕緣強(qiáng)度≥2500V (RMS)，保證人身安全。晶閘管智能調(diào)壓器又稱之為可控硅整流元件，它是由三個(gè)P內(nèi)結(jié)構(gòu)組合而成的一種大功率半導(dǎo)體器件。從性能上來說，晶閘管智能調(diào)壓器具有單向?qū)щ娦院涂煽匦詢煞N優(yōu)勢(shì)，但它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。

    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30[%]的余量計(jì)算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護(hù)晶閘管在電流通過時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一定的壓降，而壓降的存在則會(huì)產(chǎn)生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會(huì)造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時(shí)，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀，而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規(guī)格模塊的時(shí)候盡量選擇帶過熱保護(hù)功能的模塊。當(dāng)然，即便模塊帶過熱保護(hù)功能，而散熱器和風(fēng)機(jī)也是不可缺少的。在使用中，當(dāng)散熱條件不符合規(guī)定要求時(shí)，如室溫超過40℃、強(qiáng)迫風(fēng)冷的出口風(fēng)速不足6m/s等，則模塊的額定電流應(yīng)立即降低使用，否則模塊會(huì)由于芯片結(jié)溫超過允許值而損壞。譬如。誠(chéng)摯的歡迎業(yè)界新朋老友走進(jìn)正高電氣！

    IC1D及其周圍電路構(gòu)成壓控時(shí)鐘，其輸出信號(hào)的周期隨調(diào)節(jié)器的輸出電壓VK而線性變化。壓控時(shí)鐘信號(hào)輸入到IC6的11P，作為數(shù)字觸發(fā)的時(shí)鐘CL0K0。數(shù)字觸發(fā)的特征是用計(jì)數(shù)（時(shí)鐘脈沖）的辦法來實(shí)現(xiàn)移相，6路整流移相觸發(fā)脈沖均由IC6產(chǎn)生，IC2C、IC2D及其周圍電路組成定輸出脈寬電路。6路整流移相觸發(fā)脈沖經(jīng)IC5晶體管陳列放大后，驅(qū)動(dòng)整流脈沖變壓器輸出，這里脈沖變壓器采用的是反激工作方式。共設(shè)有2個(gè)調(diào)節(jié)器：中頻電壓/電流調(diào)節(jié)器、逆變角調(diào)節(jié)器。其中電壓/電流調(diào)節(jié)器（IC3C），是常規(guī)的PI調(diào)節(jié)器，在啟動(dòng)和運(yùn)行的整個(gè)階段，該環(huán)始終參與工作；逆變角調(diào)節(jié)器（IC3B）用于使逆變橋能在某一θ角下穩(wěn)定的工作。調(diào)節(jié)器電路的工作過程可以分為兩種情況：一種是直流電壓沒有達(dá)到比較大值的時(shí)候，即IC3D沒有限幅，而IC3A工作于限幅狀態(tài)，對(duì)應(yīng)的為**小逆變?chǔ)冉?，此時(shí)系統(tǒng)完全是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的電壓/電流閉環(huán)系統(tǒng)；另一種情況是直流電壓已經(jīng)達(dá)到比較大值，即IC3D開始限幅，整流橋的調(diào)節(jié)不再起作用，而IC3A退出限幅狀態(tài)開始工作，調(diào)節(jié)逆變角調(diào)節(jié)器的θ角給定值，使輸出的中頻電壓增加，達(dá)到新的平衡。此時(shí)，就有電壓/電流調(diào)節(jié)器與逆變角調(diào)節(jié)器雙環(huán)工作。正高電氣始終以適應(yīng)和促進(jìn)工業(yè)發(fā)展為宗旨。聊城MTAC150晶閘管智能模塊供應(yīng)商

正高電氣為客戶服務(wù)，要做到更好。聊城MTAC150晶閘管智能模塊供應(yīng)商

    限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無接觸的。非機(jī)械式的，這就為微電子技術(shù)打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng)是完全相同的。說磁飽和軟起動(dòng)能實(shí)現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動(dòng)所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動(dòng)的快速性比晶閘管慢一個(gè)數(shù)量級(jí)。對(duì)于電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)的大慣性來說，磁控軟起動(dòng)的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動(dòng)不產(chǎn)生高次諧波，這是錯(cuò)誤的。只要飽和。就一定會(huì)有非線性，就一定會(huì)引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會(huì)比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些。磁控軟起動(dòng)裝置需要有相對(duì)較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動(dòng)晶閘管軟起動(dòng)產(chǎn)品的問世是當(dāng)今電力電子器件長(zhǎng)足進(jìn)步的結(jié)果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動(dòng)將引發(fā)軟起動(dòng)行業(yè)的一場(chǎng)**。晶閘管軟啟動(dòng)器主要性能優(yōu)于液阻軟起動(dòng)。與液阻軟起動(dòng)相比，它體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，維護(hù)量小，功能齊全，菜單豐富，起動(dòng)重復(fù)性好，保護(hù)周全，這些都是液阻軟起動(dòng)難以望其項(xiàng)背的。聊城MTAC150晶閘管智能模塊供應(yīng)商

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