晶閘管模塊的工作原理

在晶閘管模塊T的工作過(guò)程中，晶閘管模塊的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載相連，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路。

從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過(guò)程：

晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。

當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽(yáng)極電壓時(shí)，為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅，承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí)，兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會(huì)形成較強(qiáng)的正反饋，從而導(dǎo)致兩個(gè)晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。 正高電氣企業(yè)文化：服務(wù)至上，追求超越，群策群力，共赴超越。內(nèi)蒙古集成智能調(diào)壓模塊

    硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí)，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過(guò)電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過(guò)后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示。標(biāo)稱電壓：指壓敏電阻流過(guò)1mA直流電流時(shí)，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標(biāo)稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來(lái)表示。因?yàn)檎５膲好綦娮枇＝鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù)，標(biāo)稱電壓值不僅會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一電流時(shí)，標(biāo)稱電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。西藏小功率晶閘管模塊價(jià)格正高電氣有著質(zhì)量的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級(jí)。

    750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時(shí)間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬(wàn)用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞。測(cè)試內(nèi)容主要分三項(xiàng)：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬(wàn)用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見(jiàn)圖3(a)），電阻值應(yīng)為5～10Ω。若阻值為零，證明內(nèi)部二極管短路；電阻為無(wú)窮大，說(shuō)明二極管開(kāi)路。2．測(cè)量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表，使RCT正向擊穿，由直流電壓表上讀出V（BO）值。3．檢查觸發(fā)能力實(shí)例：使用500型萬(wàn)用表和ZC25-3型兆歐表測(cè)量一只S3900MF型逆導(dǎo)晶閘管。依次選擇R×1k、R×100、R×10和R×1檔測(cè)量A-K極間反向電阻，同時(shí)用讀取電壓法求出出內(nèi)部二極管的反向?qū)妷篤TR（實(shí)際是二極管正向電壓VF）。再用兆歐表和萬(wàn)用表500VDC檔測(cè)得V（BO）值。全部數(shù)據(jù)整理成表1。由此證明被測(cè)RCT質(zhì)量良好。注意事項(xiàng)：（1）S3900MF的VTR<，宜選R×1檔測(cè)量。（2）若再用讀取電流法求出ITR值，還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片，但應(yīng)遠(yuǎn)離發(fā)熱元件。

    由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過(guò)程中，正向電壓下降到零時(shí)，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢(shì)和電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓，稱為關(guān)斷過(guò)電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開(kāi)通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無(wú)感電阻，以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過(guò)電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。正高電氣竭誠(chéng)為您服務(wù)，期待與您的合作，歡迎大家前來(lái)！

    VDRM）的計(jì)算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計(jì)算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒(méi)有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對(duì)器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對(duì)器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng)：l電力半導(dǎo)體模塊屬于溫度敏感性器件，使用時(shí)必須安裝于散熱器上。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后，在模塊底板上均勻涂上（采用滾柱來(lái)回滾動(dòng)涂抹）導(dǎo)熱硅脂，導(dǎo)熱硅脂剛好能夠覆蓋整個(gè)底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊，檢查模塊底板整個(gè)區(qū)域是否完全沾潤(rùn)。l手冊(cè)中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器、強(qiáng)通風(fēng)冷(風(fēng)速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負(fù)載下得出的。若使用條件發(fā)生變化(如感性負(fù)載)額定電流就會(huì)下降。l散熱器與模塊接觸面應(yīng)平整，散熱器的平面度≤（1）,確保良好的熱傳導(dǎo)，電極與銅排連接時(shí)。正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。湖南快恢復(fù)晶閘管模塊組件

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    大中小電力半導(dǎo)體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長(zhǎng)8...展開(kāi)全文一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù)；4、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷；7、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號(hào)說(shuō)明：三、技術(shù)參數(shù)：型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式：五、產(chǎn)品應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制；2、各種整流電源；3、工業(yè)加熱控制；4、調(diào)光；5、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)；6、電機(jī)軟起動(dòng)；7、靜止無(wú)功補(bǔ)嘗；8、電焊機(jī)；9、變頻器；10、UPS電源；11、電池充放電。說(shuō)明：，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值，表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;，在50HZ頻率下，I2t(10ms)=(A2S)。內(nèi)蒙古集成智能調(diào)壓模塊

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