為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施例提出一種用于地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽(yáng)光照補(bǔ)償值方法，該方法通過(guò)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻及拍攝位置高程，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角、太陽(yáng)高度角、太陽(yáng)輻射強(qiáng)度、大氣光學(xué)質(zhì)量、直射輻射大氣透明度系數(shù)、直接輻射強(qiáng)度、散射輻射大氣透明度系數(shù)、散射輻射強(qiáng)度、太陽(yáng)總輻照強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)于不同日期、不同時(shí)間、不同地點(diǎn)拍攝的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算。本申請(qǐng)制備的膜層的發(fā)射率為3％～5％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的發(fā)射率降低了3％～12％。江蘇太陽(yáng)光譜模擬報(bào)價(jià)

本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法。為解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為：一種用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；北京下打光太陽(yáng)光譜模擬銷量如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率。

近年來(lái)，中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所功能薄膜與智構(gòu)器件團(tuán)隊(duì)聚焦新型金屬陶瓷基太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層研發(fā)，以提升熱穩(wěn)定性為抓手，在新型耐高溫金屬陶瓷材料設(shè)計(jì)、光學(xué)模擬、涂層構(gòu)筑和熱穩(wěn)定性強(qiáng)化機(jī)理研究等方面開(kāi)展了一系列的工作。前期，利用金屬Al合金化Ag納米粒子，結(jié)合多靶共濺射的方法，獲得新型AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜，耐熱溫度較Ag-Al2O3（350℃）提高至500℃，在非真空條件下經(jīng)高溫長(zhǎng)時(shí)間退火（~1000 h），光學(xué)性能非常穩(wěn)定（ACS Applied Materials Interfaces 2014, 6, 11550; Applied Surface Science 2015, 331, 285）。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的模塊、單元中的任意多個(gè)、或其中任意多個(gè)的至少部分功能可以在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以被拆分成多個(gè)模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過(guò)對(duì)電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來(lái)實(shí)現(xiàn)，或以軟件、硬件以及固件三種實(shí)現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當(dāng)組合來(lái)實(shí)現(xiàn)?；蛘?，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)程序模塊，當(dāng)該計(jì)算機(jī)程序模塊被運(yùn)行時(shí)，可以執(zhí)行相應(yīng)的功能。反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過(guò)渡膜的外表面上形成吸收膜。

步驟5)中，靶材為鉻靶，功率為11kw，電壓為500v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為110sccm，氧氣流量為90sccm，制得的吸收膜的厚度為80nm；6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層；步驟6)中，靶材為硅靶，功率為6kw，電壓為560v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為220sccm，氧氣流量為30sccm，制得的抗反射膜的厚度為120nm。**優(yōu)于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求，太陽(yáng)吸收比α(am1.5)達(dá)0.94，半球發(fā)射比εh(80℃)*為0.038。北京下打光太陽(yáng)光譜模擬銷量

首先，該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料，這常見(jiàn)于紅外激光器和光電探測(cè)器等應(yīng)用之中。江蘇太陽(yáng)光譜模擬報(bào)價(jià)

4)反應(yīng)性濺鍍制備過(guò)渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過(guò)渡膜；步驟4)中，靶材為鉻靶，功率為15kw，電壓為510v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為90sccm，氮?dú)饬髁繛?0sccm，氧氣流量為50sccm，制得的過(guò)渡膜的厚度為70nm；5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過(guò)渡膜的外表面上形成吸收膜；江蘇太陽(yáng)光譜模擬報(bào)價(jià)

昊躍光學(xué)科技（蘇州）有限公司總部位于若水路388號(hào)蘇州納米技術(shù)國(guó)家大學(xué)科技園B棟10樓1005，是一家光學(xué)鏡頭、天文望遠(yuǎn)鏡及配件的研發(fā)、組裝、銷售及相關(guān)技術(shù)服務(wù)；戶外用品的開(kāi)發(fā)及銷售。（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)）許可項(xiàng)目：貨物進(jìn)出口；進(jìn)出口代理；技術(shù)進(jìn)出口（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)，具體經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目以審批結(jié)果為準(zhǔn)）一般項(xiàng)目：光學(xué)玻璃銷售；照相機(jī)及器材銷售；教學(xué)儀器銷售；光學(xué)儀器銷售；玻璃儀器銷售；燈具銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)）的公司。公司自創(chuàng)立以來(lái)，投身于天文觀察濾光片，太陽(yáng)光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡，是電子元器件的主力軍。昊躍光學(xué)不斷開(kāi)拓創(chuàng)新，追求出色，以技術(shù)為先導(dǎo)，以產(chǎn)品為平臺(tái)，以應(yīng)用為重點(diǎn)，以服務(wù)為保證，不斷為客戶創(chuàng)造更高價(jià)值，提供更優(yōu)服務(wù)。昊躍光學(xué)始終關(guān)注電子元器件行業(yè)。滿足市場(chǎng)需求，提高產(chǎn)品價(jià)值，是我們前行的力量。