大體意義上講，PN結的定義為：采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體基片上，一般半導體的材料選擇為硅或者鍺，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結。具體介紹PN結的形成大體分為三步，首先擴散運動，P區(qū)的空穴濃度遠大于N區(qū)的自由電子濃度，因此，P區(qū)的空穴必然向N區(qū)擴散，并與N區(qū)中的自由電子復合而消失；同樣，N區(qū)的自由電子必然向P區(qū)漂移，并與P區(qū)中的空穴復合而消失。其次是空間電荷區(qū)的產(chǎn)生，擴散運動導致了P區(qū)一側失去空穴而留下負離子，N區(qū)一側失去電子而留下正離子，這些不能移動的帶電離子稱為空間電荷，相應地這個區(qū)域稱為空間電荷區(qū)，較后由于有正離子和負離子，這樣在空間電荷區(qū)內就會產(chǎn)生一個內電場，內電場的產(chǎn)生讓多子的擴散和少子的漂移達到了一個動態(tài)平衡，較后形成了PN結。凱軒業(yè)科技有限公司，場效應管，歡迎來電。新型場效應管品牌

較高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓VB的一半作為VR。（3）較大反向電流IR：它是二極管在較高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數(shù)反映了二極管單向導電性能的好壞。因此這個電流值越小，表明二極管質量越好。（4）擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。（5）正向電壓VF：指二極管正向電壓是電流通過二極管傳導時產(chǎn)生的電壓降。（6）反向恢復時間trr：指在規(guī)定的負載、正向電流及較大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復時間。新型場效應管品牌深圳市凱軒業(yè)科技致力于場效應管生產(chǎn)研發(fā)設計，竭誠為您服務。

主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向導電性能將不能很好地體現(xiàn)。反向恢復時間trr：指在規(guī)定的負載、正向電流及較大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復時間。零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數(shù)的離散性也很大。手冊中給出的參數(shù)往往是一個范圍，若測試條件改變，則相應的參數(shù)也會發(fā)生變化，例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA，而在100°C時IR則變?yōu)樾∮?00uA

功率的區(qū)分實際上就是電流的區(qū)分，大功率就是流過電流大的，小功率就相反，就是流過電流小的。簡單舉個例，如下圖為1N400系列二極管的參數(shù)，如下圖可以看出IF為1A，而1N400系列二極管的管壓降為0.7V，P=UI,所以可得為0.7W。所以功率的大小就可以通過上述方式計算可得。較大平均整流電流IF：指二極管長期工作時允許通過的較大正向平均電流。該電流由PN結的結面積和散熱條件決定。使用時應通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。原裝芯片，廠家直銷場效應管歡迎新老客戶咨詢。

早期的二極管也就是半導體的制作工藝是將兩個立體的摻雜材料放在一起高溫熔接而成，現(xiàn)在的二極管和原來相比只是制作工藝更加精確，讓兩個相鄰的不同摻雜區(qū)域組合構成，一個區(qū)域是在半導體材料中摻入施主原子產(chǎn)生自由電子的n區(qū)域，另一個是摻入受主原子形成有自由空穴的p型區(qū)域，兩個區(qū)域的交界就是二極管的物理結，其電子結包括各區(qū)域的狹窄邊緣，稱為耗盡層也就是上面介紹的PN結，二極管的p型區(qū)域為正極，n型區(qū)域則相反，大體結構圖如下。線性穩(wěn)壓電源調節(jié)濾波后的直流電壓，以使輸入電壓達到要求的值和精度要求。凱軒業(yè)。新型場效應管品牌

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整流二極管較突出的作用是其能夠防止電流倒灌。當整流二極管加上正電壓時，正電壓起始部分的正電壓很小，不能有效克服PN結內電場的阻擋作用。當整流二極管的正電流幾乎為零時，這一部分被稱為死區(qū)，不能引導二極管的正電壓稱為死區(qū)電壓。當整流二極管的正電壓大于死區(qū)電壓時，有效克服了PN結內的電場，整流二極管的正電流隨著電壓的增加而迅速上升。在正常電流范圍內，整流二極管端電壓幾乎保持不變使用穩(wěn)壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩(wěn)壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。新型場效應管品牌