1、高頻元件：高頻元件之間的連線越短越好，設(shè)法減小連線的分布參數(shù)和相互之間的電磁干擾，易受干擾的元件不能離得太近。隸屬于輸入和隸屬于輸出的元件之間的距離應(yīng)該盡可能大一些。2、具有高電位差的元件：應(yīng)該加大具有高電位差元件和連線之間的距離，以免出現(xiàn)意外短路時(shí)損壞元件。為了避免爬電現(xiàn)象的發(fā)生，一般要求2000V電位差之間的銅膜線距離應(yīng)該大于2mm，若對(duì)于更高的電位差，距離還應(yīng)該加大。帶有高電壓的器件，應(yīng)該盡量布置在調(diào)試時(shí)手不易觸及的地方。3、重量太大的元件：此類元件應(yīng)該有支架固定，而對(duì)于又大又重、發(fā)熱量多的元件，不宜安裝在電路板上。4、發(fā)熱與熱敏元件：注意發(fā)熱元件應(yīng)該遠(yuǎn)離熱敏元件。對(duì)PCB 上的大面積銅箔,為防變形可設(shè)計(jì)成網(wǎng)格形狀。深圳打造PCB培訓(xùn)布局

元件排列原則（1）在通常條件下，所有的元件均應(yīng)布置在PCB的同一面上，只有在頂層元件過密時(shí)，才能將一些高度有限并且發(fā)熱量小的元件（如貼片電阻、貼片電容、貼片IC等）放在底層。（2）在保證電氣性能的前提下，元件應(yīng)放置在柵格上且相互平行或垂直排列，以求整齊、美觀。一般情況下不允許元件重疊，元件排列要緊湊，輸入元件和輸出元件盡量分開遠(yuǎn)離，不要出現(xiàn)交叉。（3）某些元件或?qū)Ь€之間可能存在較高的電壓，應(yīng)加大它們的距離，以免因放電、擊穿而引起意外短路，布局時(shí)盡可能地注意這些信號(hào)的布局空間。（4）帶高電壓的元件應(yīng)盡量布置在調(diào)試時(shí)手不易觸及的地方。（5）位于板邊緣的元件，應(yīng)該盡量做到離板邊緣有兩個(gè)板厚的距離。（6）元件在整個(gè)板面上應(yīng)分布均勻，不要這一塊區(qū)域密，另一塊區(qū)域疏松，提高產(chǎn)品的可靠性。什么是PCB培訓(xùn)批發(fā)石英晶體下面以及對(duì)噪聲敏感的器件下面不要走線。

多層板（Multi-LayerBoards）為了增加可以布線的面積，多層板用上了更多單或雙面的布線板。多層板使用數(shù)片雙面板，并在每層板間放進(jìn)一層絕緣層后黏牢（壓合）。通常層數(shù)都是偶數(shù)，并且包含外側(cè)的兩層。大部分的主機(jī)板都是4到8層的結(jié)構(gòu)，不過技術(shù)上可以做到近100層的PCB板。大型的超級(jí)計(jì)算機(jī)大多使用相當(dāng)多層的主機(jī)板，不過因?yàn)檫@類計(jì)算機(jī)已經(jīng)可以用許多普通計(jì)算機(jī)的集群代替，超多層板已經(jīng)漸漸不被使用了。因?yàn)镻CB中的各層都緊密的結(jié)合，一般不太容易看出實(shí)際數(shù)目，不過如果您仔細(xì)觀察主機(jī)板，也許可以看出來。

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。培訓(xùn)機(jī)構(gòu)會(huì)根據(jù)市場(chǎng)上的熱點(diǎn)和需求，選取一些好的PCB設(shè)計(jì)案例進(jìn)行解析。

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項(xiàng)1、在同一個(gè)屏蔽腔體內(nèi)，布局時(shí)應(yīng)該按RF主信號(hào)流一字布局，由于空間限制，如果在同一個(gè)屏蔽腔內(nèi)，RF主信號(hào)的元器件不能采用一字布局時(shí)，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對(duì)U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細(xì)分析，確保不會(huì)出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個(gè)接收通道和發(fā)射通道。3、布局時(shí)就要考慮RF主信號(hào)走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應(yīng)防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡(jiǎn)單地說，就是讓高功率RF發(fā)射電路遠(yuǎn)離低功率RF接收電路，或者讓它們交替工作，而不是同時(shí)工作，高功率電路有時(shí)還可包括RF緩沖器和壓控制振蕩器(VCO)。6、確保PCB板上高功率區(qū)至少有一整塊地，且沒有過孔，銅皮面積越大越好。7、RF輸出要遠(yuǎn)離RF輸入，或者采取屏蔽隔離措施，防止輸出信號(hào)串到輸入端。為了將零件固定在PCB上面，我們將它們的接腳直接焊在布線上。武漢打造PCB培訓(xùn)原理

高頻元器件的間隔要充分。深圳打造PCB培訓(xùn)布局

如果設(shè)計(jì)的電路系統(tǒng)中包含F(xiàn)PGA器件，則在繪制原理圖前必需使用Quartus II軟件對(duì)管腳分配進(jìn)行驗(yàn)證。(FPGA中某些特殊的管腳是不能用作普通IO的)。2、4層板從上到下依次為：信號(hào)平面層、地、電源、信號(hào)平面層;6層板從上到下依次為：信號(hào)平面層、地、信號(hào)內(nèi)電層、信號(hào)內(nèi)電層、電源、信號(hào)平面層。6層以上板(優(yōu)點(diǎn)是：防干擾輻射)，優(yōu)先選擇內(nèi)電層走線，走不開選擇平面層，禁止從地或電源層走線(原因：會(huì)分割電源層，產(chǎn)生寄生效應(yīng))。3、多電源系統(tǒng)的布線：如FPGA+DSP系統(tǒng)做6層板，一般至少會(huì)有3.3V+1.2V+1.8V+5V。3.3V一般是主電源，直接鋪電源層，通過過孔很容易布通全局電源網(wǎng)絡(luò)；深圳打造PCB培訓(xùn)布局