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ESD5431Z-2/TR：電子設(shè)備的瞬態(tài)電壓守護(hù)神 ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設(shè)計(jì)。其獨(dú)特的雙向保護(hù)機(jī)制，確保在數(shù)據(jù)線和控制線受到...

WPM1481：?jiǎn)蜳溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET 產(chǎn)品描述： WPM1481是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)...

WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器，具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了經(jīng)濟(jì)高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護(hù)，還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。 產(chǎn)...

ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子元件提供極高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代消費(fèi)設(shè)備中的多層變阻器（MLV），適用于手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一...

WNM2016A：N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)品描述： WNM2016A它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型...

ESD5311N：?jiǎn)尉€、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。 ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個(gè)低...

WL2803E：極低壓差、500mA、CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器 產(chǎn)品描述 WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。在500mA負(fù)載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。由于采...

ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器 ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊...

BL1551B是一款模擬開關(guān)，具體地說：它是一個(gè)單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開關(guān)。這種開關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號(hào)的切換。 以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢(shì)： 高帶寬：BL1551B具有高達(dá)350MHz的帶寬，這使得...

WAS4729QB：低導(dǎo)通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能 產(chǎn)品描述： WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能，其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開...

WS4601是一款具有極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET高側(cè)開關(guān)。集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護(hù)電源。WS4601還集成了反向保護(hù)功能，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)，可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動(dòng)。設(shè)備關(guān)閉時(shí)，輸出自動(dòng)放電，...