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中文資料WILLSEMI韋爾WS72041

來源: 發(fā)布時間:2024-03-01

ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性:

· 截止電壓:±12V。

· 按照IEC61000-4-2標準的ESD保護:±30kV(接觸放電)

· 按照IEC61000-4-5標準的浪涌保護:5.5A(8/20μs)

· 典型電容:CJ=27pF

· 極低泄漏電流:IR=0.1nA

· 低鉗位電壓:在IPP=16A(TLP)時,VCL=20V。

· 固態(tài)硅技術(shù):確保器件性能穩(wěn)定和長壽命。

應用:

· 計算機及其外設:如鍵盤、鼠標、顯示器等。

· 手機

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設計。其優(yōu)異的保護能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設備制造商的理想選擇。無論是計算機、手機還是便攜式電子設備,ES9DN12BA都能提供強大的保護,確保設備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2803E18-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。中文資料WILLSEMI韋爾WS72041

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    ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子組件提供高水平的保護。它被設計用于替代多層變阻器(MLV),并廣泛應用于消費設備,如手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、LCD電視等。

特性:

· 極低電容:CJ=0.5pFtyp

· 極低漏電流:IR<1nAtyp

· 低箝位電壓:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準,每條線提供±20kV(接觸和空氣放電)的瞬態(tài)保護

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準,提供40A(5/50ns)的EFT保護

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準,可承受4A(8/20μs)的浪涌電流

應用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

     ESD9X5VU采用了一對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護,使其免受靜電放電的損害。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比,ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流,以及更低的箝位電壓,從而提供了更好的性能。此外,其固態(tài)硅技術(shù)確保了高效、可靠的電源保護。無論是用于USB、HDMI、SATA還是其他接口,ESD9X5VU都能為現(xiàn)代電子設備提供堅實的ESD防護屏障。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WS72551ESD56151W05-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOD-323。

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ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD73034D可用于提供高達±10kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓:±3.3VMax

根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護:±10kV(接觸放電)

根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)

根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:5.5A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)


應用領域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器,保護敏感元件免受靜電放電損害,適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備,緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    ESD5431Z-2/TR:電子設備的瞬態(tài)電壓守護神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設計。其獨特的雙向保護機制,確保在數(shù)據(jù)線和控制線受到過應力時,能夠迅速抑制電壓波動,保護敏感電子元件免受損壞。 

    這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態(tài)保護能力,根據(jù)IEC61000-4-2標準,它能承受高達±30kV的接觸放電,確保在極端情況下仍能有效保護電路,能夠承受高達40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設計使得集成更為便捷,同時無鉛和不含鹵素的標準也符合環(huán)保要求。

    無論是手機、計算機還是微處理器,它都能為這些設備提供堅實的電壓保護,確保它們在各種惡劣環(huán)境下都能穩(wěn)定運行。應用在工業(yè)、醫(yī)療還是消費電子領域等。

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5431Z-2/TR這款ESD,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持,請隨時聯(lián)系我們。 WD3168E-6/TR DC-DC電源芯片 封裝:SOT-23-6L。

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WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET

產(chǎn)品描述:

     WNMD2171是一款雙N溝道增強型MOSFET場效應晶體管。這款MOSFET的特殊設計使得在電路板上連接其漏極變得不必要,因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進的溝槽技術(shù)和設計,提供了出色的導通電阻(RSS(ON))和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護電路而設計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標準產(chǎn)品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。

產(chǎn)品特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域:

· 鋰離子電池保護電路

       WNMD2171是一款采用先進技術(shù)的雙N溝道MOSFET,特別適用于鋰離子電池保護電路。其內(nèi)部連接的漏極設計簡化了電路布局,而優(yōu)異的導通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。此外,其無鉛和無鹵素的特點也符合現(xiàn)代環(huán)保標準。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD73034D-10/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN2510-10。中文資料WILLSEMI韋爾WNMD02144C

WPM3401-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOT-23-3L。中文資料WILLSEMI韋爾WS72041

RB521C30:肖特基勢壘二極管

· 重復峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA


產(chǎn)品特性:

     100mA平均整流正向電流:RB521C30具有出色的電流處理能力,能夠處理高達100mA的平均整流正向電流,使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓:肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點,這意味著在正向偏置條件下,它需要的電壓較低,從而降低了功耗。

   低漏電流:RB521C30的漏電流非常低,這有助于在關(guān)閉或待機狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝:這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝,使其適合在空間受限的應用中使用,如便攜式設備和小型電路板。

應用領域:

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應用。在電路中,它能夠?qū)⒔涣餍盘栟D(zhuǎn)換為直流信號,這對于許多電子設備來說都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性,它特別適用于需要高效能和低功耗的場合,如電池供電的設備或需要長時間運行的系統(tǒng)。此外,其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應用的理想選擇。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WS72041

深圳安美斯科技有限公司在同行業(yè)領域中,一直處在一個不斷銳意進取,不斷制造創(chuàng)新的市場高度,多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價值理念的產(chǎn)品標準,在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑,成績讓我們喜悅,但不會讓我們止步,殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志,和諧溫馨的工作環(huán)境,富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新,勇于進取的無限潛力,深圳安美斯科技供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來,回首過去,我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜,相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍,我們更要明確自己的不足,做好迎接新挑戰(zhàn)的準備,要不畏困難,激流勇進,以一個更嶄新的精神面貌迎接大家,共同走向輝煌回來!

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