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FPGA管換注意事項，首先和客戶確認(rèn)是否可以交換以及交換原則，其次，在FPGA交換管腳期間，不允許有原理圖的更改，如果原理圖要更改，在導(dǎo)入更改之后再調(diào)整管腳，管換的一般原則如下，在調(diào)整時應(yīng)嚴(yán)格意遵守：（1）基本原則：管腳不能調(diào)整，I/O管腳、Input管腳或者...

評估平面層數(shù)，電源平面數(shù)的評估：分析單板電源總數(shù)與分布情況，優(yōu)先關(guān)注分布范圍大，及電流大于1A以上的電源(如:+5V，+3.3V此類整板電源、FPGA/DSP的核電源、DDR電源等）。通常情況下：如果板內(nèi)無BGA封裝的芯片，一般可以用一個電源層處理所有的電源；...

布線，PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》、《PCBLayout工藝參數(shù)》、《PCB加工工藝要求說明書》對整板布線約束的要求。同時也應(yīng)該符合客戶對過孔工藝、小線寬線距等的特殊要求，無法滿足時需和客戶客戶溝通并記錄到《...

添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網(wǎng)絡(luò)名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲印：放置在PCB的元件面，水平放置，比元件位號絲印大（常規(guī)絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識別。添加特殊絲?。?）條碼：條碼位置應(yīng)靠近PC...

工藝、層疊和阻抗信息確認(rèn)（1）與客戶確認(rèn)阻抗類型，常見阻抗類型如下：常規(guī)阻抗：單端50歐姆，差分100歐姆。特殊阻抗：射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考，USB接口差分90歐姆，RS485串口差分120歐姆。（2）傳遞《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的...

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在布局時保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時良好的信號完整性。2、對于DDR信號數(shù)據(jù)信號DQ是參考選通信號DQS的...

關(guān)鍵信號布線（1）射頻信號：優(yōu)先在器件面走線并進(jìn)行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關(guān)的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點接地。（2）中頻、低頻信號：優(yōu)先與器件走在同一面并進(jìn)行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示...

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應(yīng)做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設(shè)計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應(yīng)相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內(nèi)的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如...

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊和提供的參考設(shè)計進(jìn)行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當(dāng)電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時，在電...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi)，布局時應(yīng)該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內(nèi)，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U...

DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號，如果掛兩片DDR顆粒時拓?fù)浣ㄗh采用對稱的Y型結(jié)構(gòu)，分支端靠近信號的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置（5mm以內(nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內(nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及...

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串?dāng)_檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡(luò)需確認(rèn)并記錄《項目設(shè)計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進(jìn)行檢查...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸...

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動態(tài)隨機(jī)存儲器）的簡稱，是使用很的一種存儲器，一般應(yīng)用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133M...

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串?dāng)_檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡(luò)需確認(rèn)并記錄《項目設(shè)計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進(jìn)行檢查...

SDRAM的端接1、時鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數(shù)據(jù)線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體...

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計到DRAM芯片內(nèi)部，用來改善信號品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die ...

調(diào)整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號要放在對應(yīng)的1管腳處；對BGA器件用英文字母和阿拉伯?dāng)?shù)字構(gòu)成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標(biāo)識放在正極旁；對于管腳較多的器件要每隔5個管腳或者收尾管腳都要標(biāo)出管腳號（6）對于二極管正極標(biāo)注的擺...

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區(qū)域大小，形狀與結(jié)構(gòu)圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對以上相應(yīng)區(qū)域設(shè)置如下特性：禁布區(qū)設(shè)置禁止布局、禁止布線屬性；限高區(qū)域設(shè)置對應(yīng)高度限制屬性；亮銅區(qū)域鋪相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)屬性銅皮和加SolderMask...

工藝方面注意事項（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應(yīng)在器件中心，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異...

電源電路放置優(yōu)先處理開關(guān)電源模塊布局，并按器件資料要求設(shè)計。RLC放置（1）濾波電容放置濾波電容靠近管腳擺放（BGA、SOP、QFP等封裝的濾波電容放置），多與BGA電源或地的兩個管腳共用同一過孔。BGA封裝下放置濾波電容：BGA封裝過孔密集很難把所有濾波電容...

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應(yīng)用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導(dǎo)體和接地平面構(gòu)成。微...

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計到DRAM芯片內(nèi)部，用來改善信號品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die ...

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計到DRAM芯片內(nèi)部，用來改善信號品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die ...

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串?dāng)_檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡(luò)需確認(rèn)并記錄《項目設(shè)計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進(jìn)行檢查...

FPGA管換注意事項，首先和客戶確認(rèn)是否可以交換以及交換原則，其次，在FPGA交換管腳期間，不允許有原理圖的更改，如果原理圖要更改，在導(dǎo)入更改之后再調(diào)整管腳，管換的一般原則如下，在調(diào)整時應(yīng)嚴(yán)格意遵守：（1）基本原則：管腳不能調(diào)整，I/O管腳、Input管腳或者...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi)，布局時應(yīng)該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內(nèi)，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U...

SDRAM的端接1、時鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數(shù)據(jù)線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體...

關(guān)鍵信號布線（1）射頻信號：優(yōu)先在器件面走線并進(jìn)行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關(guān)的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點接地。（2）中頻、低頻信號：優(yōu)先與器件走在同一面并進(jìn)行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示...

調(diào)整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號要放在對應(yīng)的1管腳處；對BGA器件用英文字母和阿拉伯?dāng)?shù)字構(gòu)成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標(biāo)識放在正極旁；對于管腳較多的器件要每隔5個管腳或者收尾管腳都要標(biāo)出管腳號（6）對于二極管正極標(biāo)注的擺...