布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟:連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串?dāng)_檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。(1)連通性檢查:整板連通性為100%,未連接網(wǎng)絡(luò)需確認(rèn)并記錄《項目設(shè)計溝通記錄》中。(2)整板DRC檢查:對整板DRC進(jìn)行檢查...
SDRAM的端接1、時鐘采用∏型(RCR)濾波,∏型濾波的布局要緊湊,布線時不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數(shù)據(jù)線有兩種端接方法,一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻,另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻,具體...
整體布局整體布局子流程:接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括:常見接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。(1)常見接口模塊:常用外設(shè)接口有:USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、R...
規(guī)則設(shè)置子流程:層疊設(shè)置→物理規(guī)則設(shè)置→間距規(guī)則設(shè)置→差分線規(guī)則設(shè)置→特殊區(qū)域規(guī)則設(shè)置→時序規(guī)則設(shè)置◆層疊設(shè)置:根據(jù)《PCB加工工藝要求說明書》上的層疊信息,在PCB上進(jìn)行對應(yīng)的規(guī)則設(shè)置?!粑锢硪?guī)則設(shè)置(1)所有阻抗線線寬滿足《PCB加工工藝要求說明書》中的阻...
繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板(1)設(shè)置允許布局區(qū)域:回流焊傳送邊的寬度要求為5mm以上,傳送邊上不能有貼片元器件;一般使用板框長邊用作回流焊傳送邊;短邊內(nèi)縮默認(rèn)2mm,不小于1mm;如短邊作為傳送邊時,寬長比>2:3;傳送邊進(jìn)板方向不允許有缺口;傳送邊中間有缺口時長...
射頻、中頻電路(3)射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi),布局時應(yīng)該按RF主信號流一字布局,由于空間限制,如果在同一個屏蔽腔內(nèi),RF主信號的元器件不能采用一字布局時,可以采用L形布局,比較好不要用U字形布局,在使用U字形布局前,一定要對U...
射頻、中頻電路(3)射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi),布局時應(yīng)該按RF主信號流一字布局,由于空間限制,如果在同一個屏蔽腔內(nèi),RF主信號的元器件不能采用一字布局時,可以采用L形布局,比較好不要用U字形布局,在使用U字形布局前,一定要對U...
添加特殊字符(1)靠近器件管腳擺放網(wǎng)絡(luò)名,擺放要求同器件字符,(2)板名、版本絲?。悍胖迷赑CB的元件面,水平放置,比元件位號絲印大(常規(guī)絲印字符寬度10Mil,高度80Mil);扣板正反面都需要有板名絲印,方便識別。添加特殊絲?。?)條碼:條碼位置應(yīng)靠近PC...
SDRAM時鐘源同步和外同步1、源同步:是指時鐘與數(shù)據(jù)同時在兩個芯片之間間傳輸,不需要外部時鐘源來給SDRAM提供時鐘,CLK由SDRAM控制芯片(如CPU)輸出,數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號由CLK來觸發(fā)和鎖存,CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信...
工藝、層疊和阻抗信息確認(rèn)(1)與客戶確認(rèn)阻抗類型,常見阻抗類型如下:常規(guī)阻抗:單端50歐姆,差分100歐姆。特殊阻抗:射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考,USB接口差分90歐姆,RS485串口差分120歐姆。(2)傳遞《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的...
射頻、中頻電路(3)射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi),布局時應(yīng)該按RF主信號流一字布局,由于空間限制,如果在同一個屏蔽腔內(nèi),RF主信號的元器件不能采用一字布局時,可以采用L形布局,比較好不要用U字形布局,在使用U字形布局前,一定要對U...
FPGA管換注意事項,首先和客戶確認(rèn)是否可以交換以及交換原則,其次,在FPGA交換管腳期間,不允許有原理圖的更改,如果原理圖要更改,在導(dǎo)入更改之后再調(diào)整管腳,管換的一般原則如下,在調(diào)整時應(yīng)嚴(yán)格意遵守:(1)基本原則:管腳不能調(diào)整,I/O管腳、Input管腳或者...
DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在布局時保證緊湊的布局,即控制器與DDR芯片緊湊布局,需要注意DDR數(shù)據(jù)信號是雙向的,串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時良好的信號完整性。2、對于DDR信號數(shù)據(jù)信號DQ是參考選通信號DQS的...
DDRII新增特性,ODT( On Die Termination),DDR匹配放在PCB電路板上,而DDRII則把匹配直接設(shè)計到DRAM芯片內(nèi)部,用來改善信號品質(zhì),這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡單,布局布線也相對較容易一些。說明:ODT(On-Die ...
通過規(guī)范PCBLayout服務(wù)操作要求,提升PCBLayout服務(wù)質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務(wù)。文件維護(hù)部門設(shè)計部。定義與縮略語(1)PCBLayout:利用EDA軟件將邏輯原理圖設(shè)計為印制電路板圖的全過程。(2)PCB:印刷...
導(dǎo)入網(wǎng)表(1)原理圖和PCB文件各自之一的設(shè)計,在原理圖中生成網(wǎng)表,并導(dǎo)入到新建PCBLayout文件中,確認(rèn)網(wǎng)表導(dǎo)入過程中無錯誤提示,確保原理圖和PCB的一致性。(2)原理圖和PCB文件為工程文件的,把創(chuàng)建的PCB文件的放到工程中,執(zhí)行更新網(wǎng)表操作。(3)將...
SDRAM時鐘源同步和外同步1、源同步:是指時鐘與數(shù)據(jù)同時在兩個芯片之間間傳輸,不需要外部時鐘源來給SDRAM提供時鐘,CLK由SDRAM控制芯片(如CPU)輸出,數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號由CLK來觸發(fā)和鎖存,CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信...
FPGA管換注意事項,首先和客戶確認(rèn)是否可以交換以及交換原則,其次,在FPGA交換管腳期間,不允許有原理圖的更改,如果原理圖要更改,在導(dǎo)入更改之后再調(diào)整管腳,管換的一般原則如下,在調(diào)整時應(yīng)嚴(yán)格意遵守:(1)基本原則:管腳不能調(diào)整,I/O管腳、Input管腳或者...
電源、地處理,(1)不同電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮分割帶優(yōu)先≥20Mil,在BGA投影區(qū)域內(nèi)分隔帶小為10Mil。(2)開關(guān)電源按器件資料單點接地,電感下不允許走線;(3)電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮的最小寬度處滿足電源、地電流大小的通流能力,參考4.8銅皮寬度通流表。(4)電源、...
工藝、層疊和阻抗信息確認(rèn)(1)與客戶確認(rèn)阻抗類型,常見阻抗類型如下:常規(guī)阻抗:單端50歐姆,差分100歐姆。特殊阻抗:射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考,USB接口差分90歐姆,RS485串口差分120歐姆。(2)傳遞《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的...
SDRAM各管腳功能說明:1、CLK是由系統(tǒng)時鐘驅(qū)動的,SDRAM所有的輸入信號都是在CLK的上升沿采樣,CLK還用于觸發(fā)內(nèi)部計數(shù)器和輸出寄存器;2、CKE為時鐘使能信號,高電平時時鐘有效,低電平時時鐘無效,CKE為低電平時SDRAM處于預(yù)充電斷電模式和自刷新...
工藝方面注意事項(1)質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置;(2)質(zhì)量較大的元器件放在板的中心;(3)可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試(如跳線、可變電容、電位器等);(4)電解電容、鉭電容極性方向不超過2個;(5)SMD器件原點應(yīng)在器件中心,布局過程中如發(fā)現(xiàn)異...
DDR模塊,DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM,中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”,是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來,人們習(xí)慣稱為DDR,DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率,它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀...
設(shè)計規(guī)劃設(shè)計規(guī)劃子流程:梳理功能要求→確認(rèn)設(shè)計要求→梳理設(shè)計要求。梳理功能要求(1)逐頁瀏覽原理圖,熟悉項目類型。項目類型可分為:數(shù)字板、模擬板、數(shù)?;旌习?、射頻板、射頻數(shù)?;旌习濉⒐β孰娫窗?、背板等,依據(jù)項目類型逐頁查看原理圖梳理五大功能模塊:輸入模塊、輸出...
等長線處理等長線處理的步驟:檢查規(guī)則設(shè)置→確定組內(nèi)長線段→等長線處理→鎖定等長線。(1)檢查組內(nèi)等長規(guī)則設(shè)置并確定組內(nèi)基準(zhǔn)線并鎖定。(2)單端蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距S≥3W,差分對蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距≥20Mil。(3)差分線對內(nèi)等長優(yōu)先在不匹配端做補償,其次在...
布線,PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》、《PCBLayout工藝參數(shù)》、《PCB加工工藝要求說明書》對整板布線約束的要求。同時也應(yīng)該符合客戶對過孔工藝、小線寬線距等的特殊要求,無法滿足時需和客戶客戶溝通并記錄到《...
DDR模塊,DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM,中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”,是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來,人們習(xí)慣稱為DDR,DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率,它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀...
關(guān)鍵信號布線(1)射頻信號:優(yōu)先在器件面走線并進(jìn)行包地、打孔處理,線寬8Mil以上且滿足阻抗要求,如下圖所示。不相關(guān)的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點接地。(2)中頻、低頻信號:優(yōu)先與器件走在同一面并進(jìn)行包地處理,線寬≥8Mil,如下圖所示...
布局整體思路(1)整板器件布局整齊、緊湊;滿足“信號流向順暢,布線短”的原則;(2)不同類型的電路模塊分開擺放,相對、互不干擾;(3)相同模塊采用復(fù)制的方式相同布局;(4)預(yù)留器件扇出、通流能力、走線通道所需空間;(5)器件間距滿足《PCBLayout工藝參數(shù)...
評估平面層數(shù),電源平面數(shù)的評估:分析單板電源總數(shù)與分布情況,優(yōu)先關(guān)注分布范圍大,及電流大于1A以上的電源(如:+5V,+3.3V此類整板電源、FPGA/DSP的核電源、DDR電源等)。通常情況下:如果板內(nèi)無BGA封裝的芯片,一般可以用一個電源層處理所有的電源;...