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他也可以按照特性分為單向和雙向的。由pnpn四層半導(dǎo)體組成，有三個(gè)電極，陽極a、陰極K和控制電極G。晶閘管可以實(shí)現(xiàn)電路中交流電流的無觸點(diǎn)控制，用小電流控制大電流，繼電器控制無火花，動(dòng)作快，壽命長(zhǎng)，可靠性好。在調(diào)速、燈光調(diào)節(jié)、電壓調(diào)節(jié)、溫度調(diào)節(jié)等控制電路中，都有可控硅數(shù)字。雙向晶閘管又分為單向和單向。單向整流器有三個(gè)PN結(jié)。從外層的P還有N引出兩個(gè)電極，為陽極和陰極從中間引出一個(gè)。單向的有著自己的獨(dú)特的特點(diǎn)：當(dāng)陽極和反向的電壓連接，陽極和電壓連接，但是控制不加電壓的時(shí)候，就不會(huì)導(dǎo)通；陽極和控制極連接到正向的電壓的時(shí)候就會(huì)變成no的狀態(tài)，一旦接通，控制電壓將失去控制功能。不管有沒有控制電壓，也不管...

二極管VD導(dǎo)通，發(fā)射極電流IE注入RB1，使RB1的阻值急劇變小，E點(diǎn)電位UE隨之下降，出現(xiàn)了IE增大UE反而降低的現(xiàn)象，稱為負(fù)阻效應(yīng)。發(fā)射極電流IE繼續(xù)增加，發(fā)射極電壓UE不斷下降，當(dāng)UE下降到谷點(diǎn)電壓UV以下時(shí)，單結(jié)晶體管就進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。八、怎樣利用單結(jié)晶體管模塊組成晶閘管觸發(fā)電路呢?單結(jié)晶體管模塊組成的觸發(fā)脈沖產(chǎn)生電路在大家制作的調(diào)壓器中已經(jīng)具體應(yīng)用了。為了說明它的工作原理，我們單獨(dú)畫出單結(jié)晶體管張弛振蕩器的電路(圖8)。它是由單結(jié)晶體管和RC充放電電路組成的。合上電源開關(guān)S后，電源UBB經(jīng)電位器RP向電容器C充電，電容器上的電壓UC按指數(shù)規(guī)律上升。當(dāng)UC上升到單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓UP時(shí)...

任何運(yùn)行中的設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生一定的熱量，但有些低熱的設(shè)備不需要安裝散熱器，但有些設(shè)備在運(yùn)行過程中熱量很大，所以安裝散熱器是必要的。我們是否需要為我們經(jīng)常使用的晶閘管模塊安裝散熱器？讓我們看看。當(dāng)電流通過時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一定的電壓降，電壓降的存在會(huì)產(chǎn)生一定的功耗。電流越大，耗電量越大，產(chǎn)生的熱量也就越大。如果散熱不快，晶閘管芯片就會(huì)燒壞。因此，當(dāng)需要使用時(shí)，必須安裝散熱器。晶閘管組件的散熱狀況是影響其安全性的重要因素。一個(gè)好的散熱條件不可以保證運(yùn)行，防止模塊過熱而被燒損，這樣可以提高電流輸出的能力，建議在使用大規(guī)格的時(shí)候，選擇一個(gè)有保護(hù)功能的模塊，這樣會(huì)有過熱保護(hù)，當(dāng)然像是散熱器以及風(fēng)扇都是不可或缺的，在...

由于發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子是以電感為主的大電流負(fù)載，電壓過零后電流不為零。即使半控橋在電感負(fù)載側(cè)裝有續(xù)流管，如果續(xù)流器的管壓降高于導(dǎo)通上的壓降，則除了流過自由輪的大部分電流外，電感還會(huì)增加，仍有一部分電流流過原產(chǎn)品。需要注意的是，雖然電流是衰減的，但在施加電壓的整個(gè)負(fù)半周期內(nèi)，電流不能降低到小于維持電流。當(dāng)下一個(gè)正半周期到來時(shí)，硅元件不需要等待觸發(fā)脈沖來繼續(xù)開啟。這樣，單相的連續(xù)導(dǎo)通也會(huì)因輸出電流過大而引起假?gòu)?qiáng)勵(lì)。觸發(fā)脈沖丟失是導(dǎo)致元件失控的第三個(gè)重要原因。在電路系統(tǒng)正常運(yùn)行的前提下，如果三相脈沖正常，即使電流很小，元件也能保證正常換相，不會(huì)失控。一旦脈沖丟失，晶閘管就不能保證正常換流，元件本身也會(huì)失控。...

而且VBO和VRB值隨電壓的重復(fù)施加而變小。在感性負(fù)載的情況下，如磁選設(shè)備的整流裝置。在關(guān)斷的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很高的電壓（∈=-Ldi/dt），假如電路上未有良好的吸收回路，此電壓將會(huì)損壞晶閘管模塊。因此，晶閘管模塊也必須有足夠的反向耐壓VRRM。晶閘管模塊在變流器（如電機(jī)車）中工作時(shí)，必須能夠以電源頻率重復(fù)地經(jīng)受一定的過電壓而不影響其工作，所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應(yīng)保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上，考慮到一些可能會(huì)出現(xiàn)的浪涌電壓因素，在選擇代用參數(shù)的時(shí)候,只能向高一檔的參數(shù)選取。2.選擇額定工作電流參數(shù)可控硅的額定電流是在一定條件的通態(tài)均勻電流IT，即在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定...

并且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。下面正高來詳細(xì)講解晶閘管模塊的發(fā)展歷史。半導(dǎo)體的出現(xiàn)成為20世紀(jì)現(xiàn)代物理學(xué)其中一項(xiàng)重大的突破，標(biāo)志著電子技術(shù)的誕生。而由于不同領(lǐng)域的實(shí)際需要，促使半導(dǎo)體器件自此分別向兩個(gè)分支快速發(fā)展，其中一個(gè)分支即是以集成電路為的微電子器件，特點(diǎn)為小功率、集成化，作為信息的檢出、傳送和處理的工具;而另一類就是電力電子器件，特點(diǎn)為大功率、快速化。1955年，美國(guó)通用電氣公司研發(fā)了世界上個(gè)以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器(SR)，1957年又開發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器(...

把二極管都換成晶閘管模塊是不是就成了可控整流電路了呢?在橋式整流電路中，只需要把兩個(gè)二極管換成晶閘管模塊就能構(gòu)成全波可控整流電路了。六、晶閘管模塊控制極所需的觸發(fā)脈沖是怎么產(chǎn)生的呢?晶閘管觸發(fā)電路的形式很多，常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等。大家制作的調(diào)壓器，采用的是單結(jié)晶體管觸發(fā)電路。七、什么是單結(jié)晶體管模塊?它有什么特殊性能呢?單結(jié)晶體管模塊又叫雙基極二極管，是由一個(gè)PN結(jié)和三個(gè)電極構(gòu)成的半導(dǎo)體器件(圖6)。我們先畫出它的結(jié)構(gòu)示意圖〔圖7(a)〕。在一塊N型硅片兩端，制作兩個(gè)電極，分別叫做基極B1和第二基極B2；硅...

則會(huì)在無門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于晶閘管模塊的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管模塊可以看作是由三個(gè)pn結(jié)組成。在晶閘管模塊處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其j2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容c0。當(dāng)晶閘管陽極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過電容c0，并通過j3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管模塊在關(guān)斷時(shí)，陽極電壓上升速度太快，則c0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下，晶閘管誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對(duì)加到晶閘管模塊上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管模塊安全運(yùn)行，常在晶閘管兩端并聯(lián)r...

使用的形式、性質(zhì)角度）沒有區(qū)別，因?yàn)楣虘B(tài)繼電器也是可控硅做的（三極管的固態(tài)繼電器除外）。那么他們之間有什么區(qū)別呢？沒有一件事，兩個(gè)名字。它們的區(qū)別在于晶閘管是晶閘管，固態(tài)繼電器是晶閘管+同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng)。這就是區(qū)別?，F(xiàn)在有一種“智能硅控制模塊”，它將可控硅元件和同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng)集成在一個(gè)模塊中。這種可控硅整流器與固態(tài)繼電器沒有區(qū)別。當(dāng)然，它和形狀是有區(qū)別的。負(fù)邏輯控制和反等功。固態(tài)繼電器輸入輸出電路的隔離耦合方式。相信通過以上的介紹，大家應(yīng)該對(duì)可控硅模塊和單相固態(tài)繼電器有一個(gè)非常清晰的了解。如果你想?yún)^(qū)分它們，它們也很好的區(qū)分。你可以直接從形狀上看出區(qū)別。晶閘管模塊的優(yōu)缺點(diǎn)以及分類晶閘管模塊的優(yōu)點(diǎn)：1）...

SCR是主流的功率器件，IGBT模塊發(fā)展迅速，大有取代SCR的趨勢(shì)。SCR在大容量、低頻的電力電子裝置中仍占主導(dǎo)地位。性能優(yōu)良的晶閘管派生器件有很多，如快速、雙向、逆導(dǎo)、門極可關(guān)斷及光控等晶閘管。IGBT晶閘管，其結(jié)構(gòu)為絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以觸發(fā)導(dǎo)通，也可以觸發(fā)管斷，所以稱為全控器件；IGBT晶閘管優(yōu)點(diǎn)：輸入阻抗高、開關(guān)速度快、安全工作區(qū)寬、飽和壓降低（甚至接近GTR的飽和壓降）、耐壓高、電流大。應(yīng)用于小體積變頻電源、電機(jī)調(diào)速、UPS以及逆變焊機(jī)當(dāng)中，是目前發(fā)展較為迅速的新一代功率器件。隨著封裝技術(shù)的發(fā)展，IGBT模塊已經(jīng)在很多運(yùn)用場(chǎng)合取代了SCR。晶閘管模塊和IGBT模塊工作原理對(duì)比兩...

晶閘管模塊為什么會(huì)燒壞呢？晶閘管模塊歸屬于硅元件，硅元件的普遍特征是負(fù)載能力差，因此在應(yīng)用中時(shí)常造成損壞晶閘管模塊的狀況。下面，我們一起來看看損壞的根本原因:燒壞的原因是由高溫引起的，高溫是由晶閘管模塊的電、熱、結(jié)構(gòu)特性決定的。因此，要保證在開發(fā)生產(chǎn)過程中的質(zhì)量，應(yīng)從電氣、熱、結(jié)構(gòu)特性三個(gè)方面入手，這三個(gè)方面緊密相連，密不可分。因此，在開發(fā)和生產(chǎn)晶閘管模塊時(shí)，應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力和結(jié)構(gòu)應(yīng)力。燒壞的原因有很多。一般來說，晶閘管模塊是在三個(gè)因素的共同作用下燒壞的，由于單一特性的下降，很難造成制動(dòng)管燒壞。因此，我們可以在生產(chǎn)過程中充分利用這一特點(diǎn)，也就是說，如果其中一個(gè)應(yīng)力不符合要求，可以采取...

這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。以上，是正高對(duì)晶閘管損壞原因診斷說明，希望對(duì)于晶閘管故障排除起到一定的借鑒。場(chǎng)效應(yīng)管和晶閘管有什么區(qū)別和聯(lián)系關(guān)鍵是場(chǎng)效應(yīng)管可以工作在開關(guān)狀態(tài)，更可以工作在放大狀態(tài)。而晶閘管只能工作在開關(guān)狀態(tài)，而且一般的晶閘管不能工作在直流電路，因?yàn)椴荒茏孕嘘P(guān)斷（gto是例外）。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極性晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和...

可以有效地增加社工負(fù)荷電阻，減少陽極電流，使其接近于0。Gtoff管具有切換特性和切換特性。通過對(duì)IGBT柵源極進(jìn)行電壓變換，實(shí)現(xiàn)IGBT在柵源極加電壓+12V時(shí)對(duì)IGBT的通導(dǎo)，在柵源極不加控制系統(tǒng)電壓時(shí)對(duì)IGBT進(jìn)行技術(shù)開發(fā)或加負(fù)壓時(shí)對(duì)IGBT的關(guān)斷，加負(fù)壓是中國(guó)企業(yè)員工為了自身的一個(gè)更可靠的信息安全。IGBT的開關(guān)由柵極驅(qū)動(dòng)電壓控制。在MOSFET中，當(dāng)柵極正時(shí)，通道形成，并為PNP晶體管提供基極電流，使IGBT通電。這時(shí)，從P區(qū)調(diào)到N區(qū)，來降低高壓電阻的電阻Rdr值，以上就是小編想說的可晶閘管模塊和IGBT模塊的區(qū)別希望對(duì)你有所幫助。在通常的應(yīng)用過程中，晶閘管模塊有時(shí)會(huì)因?yàn)槟承┰蚨?..

簡(jiǎn)稱JFET；另一類是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱IGFET。目前廣泛應(yīng)用的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOSFET。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極：源級(jí)（S）、柵極（G）、漏極（D），且可分為P溝道型與N溝道型兩種。正高講解晶閘管的導(dǎo)通條件晶閘管導(dǎo)通的條件是陽極承受正向電壓，處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在門極加正向觸發(fā)電壓，才能使其導(dǎo)通。門極所加正向觸發(fā)脈沖的極小寬度，應(yīng)能使陽極電流達(dá)到維持通態(tài)所需要的極小陽極電流，即擎住電流IL以上。導(dǎo)通后的晶閘管管壓降很小。使導(dǎo)通了的晶閘管關(guān)斷的條件是使流過晶閘管的電流減小至一個(gè)小的數(shù)值，即維持電流IH以下。單相晶閘管的導(dǎo)通條件與阻斷條件單相晶閘管導(dǎo)...

采用強(qiáng)觸發(fā)方式可以使器件的開通時(shí)間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強(qiáng)。下面，對(duì)正高晶閘管的強(qiáng)觸發(fā)予以詳細(xì)介紹：一.觸發(fā)脈沖幅值對(duì)晶閘管開通的影響晶閘管的門極觸發(fā)電流幅值對(duì)元件的開通速度有十分明顯的影響，高的門極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開通時(shí)間。在觸發(fā)脈沖幅值為器件IGT時(shí)，器件雖可開通，但器件開通時(shí)間延遲明顯，會(huì)高達(dá)數(shù)十微妙，這對(duì)于整機(jī)設(shè)備的可靠控制、安全運(yùn)行是不利的。二.觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管開通的影響觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管的開通速度也有明顯的影響，觸發(fā)脈沖上升時(shí)間越長(zhǎng)，效果就等于降低了門極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡，上升時(shí)間越短的情況下，晶閘管的開通時(shí)間也越...

以上就是正高電氣的小編為大家?guī)サ年P(guān)于晶閘管模塊的誕生歷程及分類的相關(guān)知識(shí)，希望會(huì)對(duì)大家有一定的幫助！可控硅調(diào)壓模塊：主要是以晶閘管為主要的基礎(chǔ)，以的來進(jìn)行控制電路為功率控制的電器。。它被稱為晶閘管功率調(diào)節(jié)器。又稱晶閘管調(diào)壓器、晶閘管調(diào)壓器、晶閘管調(diào)壓器、功率調(diào)壓器、功率調(diào)壓器，它具有效率高、無機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕等諸多優(yōu)點(diǎn)。晶閘管調(diào)壓器是一種移相晶閘管功率控制器。觸發(fā)板具有過流、缺相、相序、晶閘管過熱等多種保護(hù)功能。可廣泛應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓、電流、功率調(diào)節(jié)，也可用于阻性負(fù)載、感性負(fù)載和變壓器一側(cè)。晶閘管調(diào)壓器的分類：從供電角度，可分為三類：1.單相2.兩相3.三相有...

如單向mcr-100和雙向tlc336。雙向分為四象限三端雙向和三象限雙向，按包裝分為一般半塑料包裝和外絕緣全塑料包裝，按觸發(fā)電流分為微接觸式，高靈敏度型和標(biāo)準(zhǔn)觸摸型，按電壓分為常規(guī)電壓型和高壓型。SCR）產(chǎn)品由于其效率高、控制特性好、壽命長(zhǎng)、體積小、在電路應(yīng)用能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，在近60代以來得到了迅速發(fā)展，并形成了一門的學(xué)科。隨著可控硅的發(fā)展，技術(shù)已經(jīng)非常成熟，質(zhì)量越來越好，產(chǎn)量也有了很大的提高，正向著高壓大電流方向發(fā)展。晶閘管在應(yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：可控整流器：作為二極管整流器，將交流整流器轉(zhuǎn)換為直流，在交流電壓恒定的情況下，通過有效控制直流輸出電壓的大小來控制整流器，實(shí)現(xiàn)從交流到...

另一個(gè)應(yīng)用是對(duì)交流電機(jī)進(jìn)行調(diào)速,如海上石油鉆井平臺(tái)電網(wǎng)串級(jí)調(diào)速和變頻調(diào)速中使用的各種形式的變頻裝置等。這是目前的技術(shù)發(fā)展方向，國(guó)外的交流調(diào)違拖動(dòng)裝置發(fā)展非常迅速。斬波調(diào)壓利用晶閘管模塊作為直流開關(guān)，控制晶閘管的通斷比和通斷頻率，將一固定直流電壓變換成可調(diào)的直流電壓稱斬波電壓。它主要用于直流拖動(dòng)的脈沖調(diào)速，在地鐵、電車、電氣機(jī)車及作為碼頭和廠內(nèi)運(yùn)輸?shù)碾娖寇嚿鲜褂?，串電阻的調(diào)速方法，控制方便，節(jié)能明顯。電力電子開關(guān)利用晶閘管模塊作為電子開關(guān)，代替頻繁通斷的接觸器和繼電器。具有無火花、無磨損、無噪音及壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)，并可得到較好的開關(guān)性能及節(jié)能效果。常做成交流調(diào)壓器，用于海上石油鉆井平臺(tái)的調(diào)光;作成調(diào)...

晶閘管模塊與IGBT模塊的區(qū)別是什么？SCR別稱可控晶閘管，在高壓力、大電流應(yīng)用情況中，SCR是主流的功率電子元器件，IGBT模塊進(jìn)步迅猛，并有替代SCR的趨向。單片機(jī)容量大、功耗低的電子設(shè)備仍然占主導(dǎo)地位。具有出色工作性能的晶閘管衍生產(chǎn)品功能主要器件有許多，雙向、逆導(dǎo)、門極關(guān)斷和光控晶閘管等。晶閘管模塊的外形如下：IGBT晶閘管，結(jié)構(gòu)為絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可由傳導(dǎo)管觸發(fā)，因此我們稱之為全控元件；IGBT晶體管控制的優(yōu)點(diǎn)：高輸入和輸出阻抗，發(fā)展迅速的開關(guān)速度，廣域安全管理，低飽和電壓（甚至接近于飽和GTR），高電壓，大電流。在小型化、高效化變頻電源、電機(jī)調(diào)速、UPS、逆變焊機(jī)等方面得到廣...

但是有很多人對(duì)于晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語并不清楚，下面正高來講幾個(gè)晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語，會(huì)對(duì)您以后的使用和選購(gòu)有幫助。①控制角：在u2的每個(gè)正半周，從晶閘管模塊承受正向電壓到加入門極觸發(fā)電壓、使晶閘管模塊開始導(dǎo)通之間的電角度叫做控制角，又稱為觸發(fā)脈沖的移相角，用α表示。②導(dǎo)通角：在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管模塊導(dǎo)通時(shí)間對(duì)應(yīng)圖4-4單相半波可控整流的電角度叫做導(dǎo)通角，用θ表示。顯然在這里α+θ=π。③移相范圍：α的變化范圍稱為移相范圍。很明顯，α和π都是用來表示晶閘管模塊在承受正向電壓的半個(gè)周期內(nèi)的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，可以改變觸發(fā)脈沖的出現(xiàn)時(shí)刻，也就可以改變輸出電壓的大小，實(shí)現(xiàn)了可...

利用過零觸發(fā)電路控制雙向晶閘管模塊的通斷。這樣，可以在負(fù)載上獲得完整的正弦波，但其缺點(diǎn)是適用于時(shí)間常數(shù)大于開關(guān)周期的系統(tǒng)，如恒溫裝置。過電壓會(huì)對(duì)晶閘管模塊造成怎樣的損壞？過電壓會(huì)損壞晶閘管。如果要保護(hù)晶閘管不受損壞，應(yīng)了解過電壓產(chǎn)生的原因，以免損壞。對(duì)于以下正高電氣，過電壓會(huì)對(duì)晶閘管模塊造成什么樣的損壞？以及產(chǎn)生電壓過點(diǎn)的原因是什么呢？對(duì)過電壓非常敏感。當(dāng)正向電壓超過udrm的某個(gè)值時(shí)，晶閘管會(huì)被誤導(dǎo)導(dǎo)，導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過一定的urrm值時(shí)，將立即損壞。因此，這么看來還是非常有必要去研究過電壓產(chǎn)生的原因以及控制過電壓的方法。1.過電壓保護(hù)過電的原因就是操作過電壓，并且根據(jù)過電壓...

這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。以上，是正高對(duì)晶閘管損壞原因診斷說明，希望對(duì)于晶閘管故障排除起到一定的借鑒。場(chǎng)效應(yīng)管和晶閘管有什么區(qū)別和聯(lián)系關(guān)鍵是場(chǎng)效應(yīng)管可以工作在開關(guān)狀態(tài)，更可以工作在放大狀態(tài)。而晶閘管只能工作在開關(guān)狀態(tài)，而且一般的晶閘管不能工作在直流電路，因?yàn)椴荒茏孕嘘P(guān)斷（gto是例外）。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極性晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和...

否則會(huì)損壞管子和相關(guān)的控制電路。正高談晶閘管模塊是調(diào)光器中的作用調(diào)光器是目前舞臺(tái)照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備，應(yīng)用范圍在我們的生活中，那么晶閘管模塊在調(diào)光器中有哪些作用，下面正高電氣詳細(xì)的為大家介紹。在照明系統(tǒng)中使用的各種調(diào)光器實(shí)質(zhì)上就是一個(gè)交流調(diào)壓器，老式的變壓器和變阻器調(diào)光是采用調(diào)節(jié)電壓或電流的幅度來實(shí)現(xiàn)的，雖然改變了正弦交流電的幅值，但并未改變其正弦波形的本質(zhì)。與變壓器、電阻器相比，晶閘管模塊調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機(jī)理，它是采用相位控制方法來實(shí)現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的。對(duì)于普通反向阻斷型晶閘管模塊，其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)晶閘管模塊加上正向陽極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí)，晶閘管模塊就導(dǎo)通；這...

過流保護(hù)措施一般為：在電路中串聯(lián)一個(gè)快速熔斷器，其額定電流約為晶閘管電流平均值的。連接位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，額定電流在交流側(cè)，通常采用交流側(cè)。過電壓保護(hù)通常發(fā)生在有電感的電路中，或交流側(cè)有干擾的浪涌電壓或交流側(cè)暫態(tài)過程產(chǎn)生的過電壓。由于過電壓峰值高、動(dòng)作時(shí)間短，常用電阻和電容吸收電路來控制過電壓。3、控制大感性負(fù)載時(shí)的電網(wǎng)干擾及自干擾的避免在控制較大的感性負(fù)載時(shí)，會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生干擾和自干擾。其原因是當(dāng)控制一個(gè)連接感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí)，線圈中的電流通路被切斷，變化率很大。因此，在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，通過電源的內(nèi)阻加到開關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)到電壓應(yīng)該一次又一次地放電，直到感應(yīng)電壓低于放電...

普遍應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，已然成為一些電路中不可或缺的重要元件。當(dāng)然，為了能夠使其發(fā)揮更大的使用價(jià)值，使用時(shí)仍然有很多事項(xiàng)需要注意。那就讓正高電氣的小編帶大家去了解下吧！使用晶閘管模塊常識(shí)：1.在使用它的同時(shí)，必須要考慮除了通過的平均的電流之外，必須要注意正常工作的比如像是導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)的條件或者是其他的一些因素，并且溫度不能超過正常的電流的正常值。2.在使用它的同時(shí)，應(yīng)該用相應(yīng)的儀器去檢查晶閘管的模塊是不是還是良好的，有沒有出現(xiàn)短路或者是斷路的情況，如果發(fā)生了這種情況就必須立即更換。3、嚴(yán)禁使用兆歐表來檢查元件的絕緣情況。4、晶閘管的電力在...

大家使用的是單向晶閘管模塊，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a)〕：層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b)〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。二、晶閘管模塊的主要工作特性為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接...

確保電路正常工作而沒有元器件被損壞。這也是多元件在運(yùn)行的時(shí)候都會(huì)配上一個(gè)電容或電阻，以減少元件電流或電壓，從而讓元件能正常的工作。因此，晶閘管模塊運(yùn)行都要并聯(lián)一個(gè)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)來保護(hù)它正常的工作，以達(dá)到效率高運(yùn)行，經(jīng)濟(jì)可靠。怎么使用智能晶閘管調(diào)壓模塊隨著科技與社會(huì)的不斷發(fā)展，智能晶閘管模塊越來越被大眾所認(rèn)知，因?yàn)樗跈C(jī)器上也發(fā)揮著重要的作用，所以在行業(yè)的應(yīng)用中也是越來越多，接觸比較早的使用過它的肯定是在熟悉不過了，但是對(duì)于剛接觸它的來講，肯定是很陌生的，所以在使用上肯定就是有點(diǎn)困難的。那么就由淄博正高電氣有限公司的小編帶大家去了解下使用方法吧。1.首先要先保證com端必須為正，各個(gè)功能端相對(duì)，如...

而且VBO和VRB值隨電壓的重復(fù)施加而變小。在感性負(fù)載的情況下，如磁選設(shè)備的整流裝置。在關(guān)斷的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很高的電壓（∈=-Ldi/dt），假如電路上未有良好的吸收回路，此電壓將會(huì)損壞晶閘管模塊。因此，晶閘管模塊也必須有足夠的反向耐壓VRRM。晶閘管模塊在變流器（如電機(jī)車）中工作時(shí)，必須能夠以電源頻率重復(fù)地經(jīng)受一定的過電壓而不影響其工作，所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應(yīng)保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上，考慮到一些可能會(huì)出現(xiàn)的浪涌電壓因素，在選擇代用參數(shù)的時(shí)候,只能向高一檔的參數(shù)選取。2.選擇額定工作電流參數(shù)可控硅的額定電流是在一定條件的通態(tài)均勻電流IT，即在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定...

性能可靠；帶測(cè)溫功能的萬用表，測(cè)溫頭緊貼在管芯陶瓷外殼上；注意：采用該方法時(shí)，需由專業(yè)維修人員進(jìn)行操作，并注意安全。用上述方法經(jīng)常檢查管芯陶瓷外殼上的溫度，通過相對(duì)比較，判斷散熱器的散熱效果，及時(shí)更換達(dá)不到散熱效果的散熱器，可以有效地提高晶閘管的工作電流，減少晶閘管的損壞，從而降低設(shè)備的維修費(fèi)用。晶閘管模塊在正常工作時(shí)，自身會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，所以良好的散熱（冷卻）是晶閘管正常工作的必要條件之一。高質(zhì)量的晶閘管，配上合格的散熱器，加上正確合理的裝配，可以明顯地減少晶閘管的損壞，延長(zhǎng)其使用壽命。晶閘管模塊在電路中具有不可或缺的作用，您也許聽過晶閘管模塊的作用、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用范圍等等，您聽過晶閘管模塊兩...

晶閘管模塊為什么會(huì)燒壞呢？晶閘管模塊歸屬于硅元件，硅元件的普遍特征是負(fù)載能力差，因此在應(yīng)用中時(shí)常造成損壞晶閘管模塊的狀況。下面，我們一起來看看損壞的根本原因:燒壞的原因是由高溫引起的，高溫是由晶閘管模塊的電、熱、結(jié)構(gòu)特性決定的。因此，要保證在開發(fā)生產(chǎn)過程中的質(zhì)量，應(yīng)從電氣、熱、結(jié)構(gòu)特性三個(gè)方面入手，這三個(gè)方面緊密相連，密不可分。因此，在開發(fā)和生產(chǎn)晶閘管模塊時(shí)，應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力和結(jié)構(gòu)應(yīng)力。燒壞的原因有很多。一般來說，晶閘管模塊是在三個(gè)因素的共同作用下燒壞的，由于單一特性的下降，很難造成制動(dòng)管燒壞。因此，我們可以在生產(chǎn)過程中充分利用這一特點(diǎn)，也就是說，如果其中一個(gè)應(yīng)力不符合要求，可以采取...