大家使用的是單向晶閘管模塊,也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a)〕:層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?,關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。二、晶閘管模塊的主要工作特性為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái),通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極,陰極K接電源的負(fù)極,控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管模塊,若采用KP1型,應(yīng)接在)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,也就是說(shuō),給晶閘管陽(yáng)極和控制極所加的都是正向電壓。現(xiàn)在我們合上電源開關(guān)S,小燈泡不亮,說(shuō)明晶閘管模塊沒有導(dǎo)通;再按一下按鈕開關(guān)SB,給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓,小燈泡亮了,說(shuō)明晶閘管模塊導(dǎo)通了。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢?這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,要使晶閘管模塊導(dǎo)通,一是在它的陽(yáng)極A與陰極K之間外加正向電壓。淄博正高電氣提供更經(jīng)濟(jì)的解決方案。濟(jì)寧晶閘管模塊廠家
一個(gè)是晶閘管模塊電壓故障,也就是我們常說(shuō)的跌落。電壓故障分為早期故障、中期故障和晚期故障。二是線路情況,造成過電壓,對(duì)晶閘管模塊實(shí)行的安全措施失效。晶閘管模塊被電流燒壞時(shí),陰極表面通常會(huì)有較大的燒痕,甚至芯片、外殼等金屬大面積熔化。di/dt引起的晶閘管模塊燒損很容易判斷。一般在澆口或出料口附近會(huì)燒出一個(gè)小黑點(diǎn)。我們知道,晶閘管模塊的等效電路是由兩個(gè)晶閘管組成,用與門極對(duì)應(yīng)的晶閘管來(lái)觸發(fā)。目的是在觸發(fā)信號(hào)到來(lái)時(shí)放大,然后盡快接通主晶閘管。但是如果短時(shí)間內(nèi)電流過大,主晶閘管沒有完全導(dǎo)通,大電流主要流過相當(dāng)于門極的晶閘管,但是這個(gè)晶閘管的載流能力很小,導(dǎo)致這個(gè)晶閘管燒壞。表面上看,是在閘門或卸料閘門附近燒出的小黑點(diǎn)。對(duì)于Dv/dt,并不會(huì)燒毀晶閘管模塊,可是高Dv/dt會(huì)使晶閘管模塊誤導(dǎo)通,其表象類似電流燒毀的狀況。請(qǐng)期待更多關(guān)于SCR的知識(shí)。晶閘管模塊的作用是什么?晶體閘流管又稱晶閘管,又稱晶閘管模塊,于1957年由美國(guó)通用電氣公司研制并于1958年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化;晶閘管模塊是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),由陽(yáng)、陰、門三極構(gòu)成;晶閘管模塊具有硅片的特點(diǎn),能在高電壓、大電流條件下工作,其工作過程可控制。廣東雙向晶閘管模塊價(jià)格淄博正高電氣重信譽(yù)、守合同,嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān),熱誠(chéng)歡迎廣大用戶前來(lái)咨詢考察,洽談業(yè)務(wù)!
它是有著三個(gè)極:陽(yáng)級(jí)、陰級(jí)和門級(jí),它具有著硅整流器件的特性,可以再高電壓或者是大電流的情況下,進(jìn)行工作,工作的過程是可以被控制的、也可以是被廣泛應(yīng)用的可以用在可控整流、交流調(diào)壓以及無(wú)觸點(diǎn)的電子開關(guān)等相關(guān)的電路中。二極管他是屬于在電子元件當(dāng)中的,一種是有兩個(gè)電極的裝置,只能允許電流可以通過單一的一個(gè)方向流過,許多的使用有著整流的功能,像是變?nèi)荻O管他將是用來(lái)當(dāng)做電子式的可調(diào)的電容器,大部分的二極管則會(huì)具備著電流的方向,也就是我們通常成為的“整流”的功能,二極管的普遍的功能則會(huì)是只能允許電流單一通過,稱為順向偏壓,反向時(shí)的阻斷,稱為逆向偏壓,因此,二極管完全可以稱之為電子版的逆止閥。晶閘管整流電路需要設(shè)置觸發(fā)電路不斷地重復(fù)觸發(fā)才能持續(xù)地進(jìn)行整流,而晶體二極管整流電路不需要,在這方面是后者為優(yōu);而且它的整流電路可以通過調(diào)整導(dǎo)通角來(lái)控制整流輸出電壓,而晶體二極管整流電路不能,在這方面是前者為優(yōu)以上就是由正高的小編為大家?guī)サ年P(guān)于晶閘管與二極管之間的區(qū)別,希望可以為大家?guī)椭?!使用晶閘管模塊須要了解的常識(shí)晶閘管模塊,俗稱可控硅模塊,是一種能夠在高電壓、大電流條件下工作。
由普通晶閘管模塊相繼衍生出了快速晶閘管模塊、光控晶閘管模塊、不對(duì)稱晶閘管模塊及雙向晶閘管模塊等各種特性的晶閘管模塊,形成一個(gè)龐大的晶閘管家族。以上,是正高對(duì)晶閘管模塊發(fā)展歷史的講解,希望對(duì)于關(guān)注晶閘管的人們起到一定的幫助。正高講解晶閘管損壞的原因診斷晶閘管作為重要的元器件,晶閘管能夠更好的控制設(shè)備電流導(dǎo)通,給設(shè)備提供安全的運(yùn)行保障。但是,很多晶閘管設(shè)備運(yùn)行過程中,受外部因素的影響容易發(fā)生損壞故障。接下來(lái),正高結(jié)合晶閘管損壞的原因分析診斷方法。當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí),可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。如下就是幾種常見的晶閘管損壞原因的判別方法:1.電壓擊穿晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個(gè)光潔的小孔,有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2.電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,且粗糙,其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3.電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。4.邊緣損壞若發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。淄博正高電氣是您可信賴的合作伙伴!
如果加熱絲為NTC或PTC特性的(即加熱絲額定電流隨溫度變化,開機(jī)時(shí)溫度很低,額定電流會(huì)很大或加熱到較高溫度時(shí),額定電流會(huì)很大或加熱到較高溫度時(shí),額定電流會(huì)很大),必須考慮加熱絲整個(gè)工作狀態(tài)的電流值,作為加熱絲的額定電流值來(lái)確定可控硅智能調(diào)壓模塊的規(guī)格大小。正高談智能晶閘管模塊在電氣控制中的應(yīng)用晶閘管模塊出現(xiàn)在1957年,而后隨著半導(dǎo)體技術(shù)及其應(yīng)用技術(shù)的不斷發(fā)展,使晶閘管模塊在電氣控制領(lǐng)域中發(fā)揮了很大的作用,但是,過去人們只能以分立器件的形式把晶閘管用在各種電氣控制裝置中,由分立器件組成的電路復(fù)雜、體積大,安裝調(diào)試麻煩,可靠性也較差。但是淄博正高電氣生產(chǎn)的智能晶閘管模塊從根本上解決了上述問題,下面一起來(lái)看看。智能晶閘管模塊就是將晶閘管模塊主電路與移相觸發(fā)電路以及具有控制功能的電路封裝在同一外殼內(nèi)的新型模塊。智能晶閘管模塊的移相觸發(fā)電路為全數(shù)字電路,功能電路由單片機(jī)完成,并且內(nèi)置有多路電流、電壓、溫度傳感器,通過模塊上的接插件可將各種控制線引到鍵盤,進(jìn)行各種功能和電氣參數(shù)設(shè)定,并可進(jìn)行LED或LCD顯示。模塊的每支芯片的電流已達(dá)1000A,電壓達(dá)1600~2200V,智能晶閘管模塊實(shí)際上已是一個(gè)準(zhǔn)電力電子裝置。淄博正高電氣以滿足客戶要求為重點(diǎn)。吉林晶閘管模塊價(jià)格
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若測(cè)量結(jié)果有一次阻值為幾百歐姆,則可判定黑表筆接的是門極。在阻值為幾百歐姆的測(cè)量中,紅表筆接的是陰極,而在阻值為幾千歐姆的測(cè)量中,紅表筆接的是陽(yáng)極,若兩次測(cè)出的阻值均很大,則說(shuō)明黑表筆接的不是門極,應(yīng)用同樣的方法改測(cè)其他電極,直到找出三個(gè)電極為止。也可以測(cè)任兩腳之間正反向電阻,若正反向電阻均接近無(wú)窮大,則兩極即為陽(yáng)極和陰極,而另一腳為門極。普通晶閘管模塊也可能根據(jù)其封裝形式來(lái)判斷各電極。螺栓形普通晶閘管模塊的螺栓一端為陽(yáng)極,較細(xì)的引線端為門極,較粗的引線端為陰極。平板型普通晶閘管模塊的引出線端為門極,平面端為陽(yáng)極,另一端為陰極。塑封(TO-220)普通晶閘管的中間引腳為陽(yáng)極,且多為自帶散熱片相連??煽毓枘K又被成為晶閘管模塊,目前多使用的是雙向可控硅模塊,它具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)、重量輕等優(yōu)點(diǎn),但是它也具有過載和抗干擾能力差,在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn),下面正高來(lái)講解如何避免可控硅模塊的缺點(diǎn)。一、靈敏度雙向可控硅是一個(gè)三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽(yáng)極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無(wú)論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通。濟(jì)寧晶閘管模塊廠家
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