2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對(duì)于一塊受PCB層數(shù)約束的基板（如4層板）來說，其所有的信號(hào)線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當(dāng)使用6層來走線時(shí)，設(shè)計(jì)一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得更加容易，同時(shí)由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性?；ヂ?lián)通道的另一參數(shù)阻抗，在DDR2的設(shè)計(jì)時(shí)必須是恒定連續(xù)的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號(hào)上，且做到阻抗匹配，而對(duì)于差分信號(hào)，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號(hào)終端，比如CLOCK和DQS信號(hào)。另外，所有的匹配電阻必須上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的設(shè)置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設(shè)計(jì)時(shí)，單端信號(hào)的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設(shè)計(jì)到ADDR/CMD/CNTRL信號(hào)線上，這已經(jīng)被證明有很多的優(yōu)點(diǎn)。而且，上拉到VTT的終端匹配電阻根據(jù)SI仿真的結(jié)果的走線阻抗，電阻值可能需要做出不同的選擇，通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號(hào)的阻抗匹配電阻始終在100Ohms。借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些；信息化DDR測(cè)試調(diào)試

DDR測(cè)試

測(cè)試頭設(shè)計(jì)模擬針對(duì)測(cè)試的設(shè)計(jì)（DFT）當(dāng)然收人歡迎，但卻不現(xiàn)實(shí)。因?yàn)樽詣?dòng)測(cè)試儀的所需的測(cè)試時(shí)間與花費(fèi)正比于內(nèi)存芯片的存儲(chǔ)容量。顯然測(cè)試大容量的DDR芯片花費(fèi)是相當(dāng)可觀的。新型DDR芯片的通用DFT功能一直倍受重視，所以人們不斷試圖集結(jié)能有效控制和觀察的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)。DFT技術(shù)，如JEDEC提出的采用并行測(cè)試模式進(jìn)行多陣列同時(shí)測(cè)試。不幸的是由于過于要求芯片電路尺寸，該方案沒有被采納。DDR作為一種商品，必須比較大限度減小芯片尺寸來保持具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)位。 DDR測(cè)試DDR測(cè)試推薦貨源什麼是DDR內(nèi)存？如何測(cè)試？

DDR測(cè)試

DDRDIMM內(nèi)存條測(cè)試處理內(nèi)存條測(cè)試儀重要的部分是自動(dòng)處理機(jī)。處理機(jī)一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時(shí)，2英寸長的連接器將會(huì)造成測(cè)試信號(hào)極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機(jī)面市了。它采用普通手動(dòng)測(cè)試儀的插槽。測(cè)試儀可以模擬手動(dòng)插入，平穩(wěn)地插入待測(cè)內(nèi)存條的插槽；一旦測(cè)試完成，內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū)

對(duì)于DDR2和DDR3，時(shí)鐘信號(hào)是以差分的形式傳輸?shù)模贒DR2里，DQS信號(hào)是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當(dāng)以高度速率工作時(shí)則采用差分的方式。顯然，在同樣的長度下，差分線的切換時(shí)延是小于單端線的。根據(jù)時(shí)序仿真的結(jié)果，時(shí)鐘信號(hào)和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長一點(diǎn)。另外，必須確保時(shí)鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個(gè)字節(jié)里，它們要有嚴(yán)格的長度匹配，而且不能有過孔。差分信號(hào)對(duì)阻抗不連續(xù)的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時(shí)優(yōu)先考慮布時(shí)鐘線和DQS。DDR的信號(hào)探測(cè)技術(shù)方法；

4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放；Vtt的去耦電容擺放在遠(yuǎn)的一個(gè)SDRAM外端；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設(shè)計(jì)中，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線，這樣可以減少阻抗，通常，兩端段的扇出走線會(huì)垂直于電容布線。5）當(dāng)切換平面層時(shí)，盡量做到長度匹配和加入一些地過孔，這些事先應(yīng)該在EDA工具里進(jìn)行很好的仿真。通常，在時(shí)域分析來看，差分線的正負(fù)兩根線要做到延時(shí)匹配，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號(hào)要做到+/-10ps。DDR測(cè)試信號(hào)問題排查；北京智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試

DDR規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；信息化DDR測(cè)試調(diào)試

DDR測(cè)試

除了DDR以外，近些年隨著智能移動(dòng)終端的發(fā)展，由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對(duì)功耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景，相對(duì)于同一代技術(shù)的DDR來說會(huì)采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù)，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù)，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對(duì)于電源紋波和串?dāng)_噪聲會(huì)更敏感，其電路設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會(huì)采用一些額外的技術(shù)來節(jié)省功耗，比如根據(jù)外界溫度自動(dòng)調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新，以及一些對(duì)低功耗的支持。同時(shí)，LPDDR的芯片一般體積更小，因此占用的PCB空間更小。 信息化DDR測(cè)試調(diào)試