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信號完整性測試DDR測試調試

來源: 發(fā)布時間:2023-05-25


DDR測試

主要的DDR相關規(guī)范,對發(fā)布時間、工作頻率、數(shù)據 位寬、工作電壓、參考電壓、內存容量、預取長度、端接、接收機均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細對比??梢钥闯鯠DR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進,同時也在逐漸采用更先進的工藝和更復雜的技術來實現(xiàn)這些目標。以DDR5為例,相 對于之前的技術做了一系列的技術改進,比如在接收機內部有均衡器補償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓練優(yōu)化信號時序、支持總線反轉和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調測等。 DDR信號的讀寫分離方法;信號完整性測試DDR測試調試

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DDR5具備如下幾個特點:·更高的數(shù)據速率·DDR5比較大數(shù)據速率為6400MT/s(百萬次/秒),而DDR4為3200MT/s,DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍?!じ偷哪芎摹DR5的工作電壓為1.1V,低于DDR4的1.2V,能降低單位頻寬的功耗達20%以上·更高的密度·DDR5將突發(fā)長度增加到BL16,約為DDR4的兩倍,提高了命令/地址和數(shù)據總線效率。相同的讀取或寫入事務現(xiàn)在提供數(shù)據總線上兩倍的數(shù)據,同時限制同一存儲庫內輸入輸出/陣列計時約束的風險。此外,DDR5使存儲組數(shù)量翻倍,這是通過在任意給定時間打開更多頁面來提高整體系統(tǒng)效率的關鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內存以滿足下一代計算的需求。吉林測量DDR測試DDR平均速率以及變化情況;

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什麼是DDR內存?如何測試?

近幾年來,CPU的速度呈指數(shù)倍增長。然而,計算機內存的速度增長確不盡人意。在1999年,大批量的PC133內存替代PC100。其間,英特爾公司推出Rambus內存作為PC工業(yè)的內存解決方案。在內存技術不斷發(fā)展的時代,每一種新技術的出現(xiàn),就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內存峰值帶寬定義為:內存總線寬度/8位X數(shù)據速率。該參數(shù)的提高會在實際使用過程中得到充分體現(xiàn):3維游戲的速度更快,MP3音樂的播放更加柔和,MPEG視頻運動圖像質量更好。今年,一種新型內存:DDR內存面世了。對大多數(shù)人來說,DDR仍然是一個陌生的名詞,然而,它確是數(shù)以百計前列內存和系統(tǒng)設計師3年來通力合作的結晶。DDR的出現(xiàn)預示著內存帶寬和性能的提高,然而與Rambus內存相比更重要的一點是DDR的價格更低。

    對于DDR源同步操作,必然要求DQS選通信號與DQ數(shù)據信號有一定建立時間tDS和保持時間tDH要求,否則會導致接收鎖存信號錯誤,DDR4信號速率達到了,單一比特位寬為,時序裕度也變得越來越小,傳統(tǒng)的測量時序的方式在短時間內的采集并找到tDS/tDH差值,無法大概率體現(xiàn)由于ISI等確定性抖動帶來的對時序惡化的貢獻,也很難準確反映隨機抖動Rj的影響。在DDR4的眼圖分析中就要考慮這些抖動因素,基于雙狄拉克模型分解抖動和噪聲的隨機性和確定性成分,外推出基于一定誤碼率下的眼圖張度。JEDEC協(xié)會在規(guī)范中明確了在DDR4中測試誤碼率為1e-16的眼圖輪廓,確保滿足在Vcent周圍Tdivw時間窗口和Vdivw幅度窗口范圍內模板內禁入的要求。 DDR在信號測試中解決的問題有那些;

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現(xiàn)做一個測試電路,類似于圖5,驅動源是一個線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號,信號的上升沿和下降沿均為100ps,幅值為1V。此信號源按照圖6的三種方式,且其端接一60Ohms的負載,其激勵為一800MHz的周期信號。在0.5V這一點,我們觀察從信號源到接收端之間的時間延遲,顯示出來它們之間的時延差異。其結果如圖7所示,在圖中只顯示了信號的上升沿,從這圖中可以很明顯的看出,帶有四個地過孔環(huán)繞的過孔時延同直線相比只有3ps,而在沒有地過孔環(huán)繞的情況下,其時延是8ps。由此可知,在信號過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而,在4層板的PCB里,這個就顯得不是完全的可行性,由于其信號線是靠近電源平面的,這就使得信號的返回路徑是由它們之間的耦合程度來決定的。所以,在4層的PCB設計時,為符合電源完整性(powerintegrity)要求,對其耦合程度的控制是相當重要的。DDR4信號完整性測試案例;DDR測試銷售電話

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這里有三種方案進行對比考慮:一種是,通過過孔互聯(lián)的這個過孔附近沒有任何地過孔,那么,其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供;第二種是,一根長達362mils的微帶線;第三種是,在一個信號線的四周有四個地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters,從圖中可以看出,帶有四個地過孔環(huán)繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線,從而提高了S21特性。

由此可知,在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下,則此信號過孔會增高其阻抗。當今的高速系統(tǒng)里,在時延方面顯得尤為重要。 信號完整性測試DDR測試調試

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