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來源: 發(fā)布時間:2023-02-15

DDR測試DDR/LPDDR簡介目前在計算機主板和各種嵌入式的應(yīng)用中,存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩種:一種是非易失性的,即掉電不會丟失數(shù)據(jù),常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲器速度較慢,主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數(shù)據(jù)信息等;另一種是易失性的,即掉電會丟失數(shù)據(jù),常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機存儲器),這種存儲器運行速度較快,主要用于程序運行時的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲器類型的劃分DDR平均速率以及變化情況;北京DDR測試安裝

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現(xiàn)做一個測試電路,類似于圖5,驅(qū)動源是一個線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號,信號的上升沿和下降沿均為100ps,幅值為1V。此信號源按照圖6的三種方式,且其端接一60Ohms的負(fù)載,其激勵為一800MHz的周期信號。在0.5V這一點,我們觀察從信號源到接收端之間的時間延遲,顯示出來它們之間的時延差異。其結(jié)果如圖7所示,在圖中只顯示了信號的上升沿,從這圖中可以很明顯的看出,帶有四個地過孔環(huán)繞的過孔時延同直線相比只有3ps,而在沒有地過孔環(huán)繞的情況下,其時延是8ps。由此可知,在信號過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而,在4層板的PCB里,這個就顯得不是完全的可行性,由于其信號線是靠近電源平面的,這就使得信號的返回路徑是由它們之間的耦合程度來決定的。所以,在4層的PCB設(shè)計時,為符合電源完整性(powerintegrity)要求,對其耦合程度的控制是相當(dāng)重要的。數(shù)字信號DDR測試調(diào)試借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些;

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DDRSDRAM即我們通常所說的DDR內(nèi)存,DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代,目前DDR4已經(jīng)成為市場的主流,DDR5也開始進入市場。對于DDR總線來說,我們通常說的速率是指其數(shù)據(jù)線上信號的快跳變速率。比如3200MT/s,對應(yīng)的工作時鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率,由于在DDR總線上會有讀寫間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時間、高阻態(tài)時間、總線刷新時間等,因此其實際的總線傳輸速率達不到這個理想值。

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4)將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放;Vtt的去耦電容擺放在遠(yuǎn)的一個SDRAM外端;VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設(shè)計中,并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線,這樣可以減少阻抗,通常,兩端段的扇出走線會垂直于電容布線。5)當(dāng)切換平面層時,盡量做到長度匹配和加入一些地過孔,這些事先應(yīng)該在EDA工具里進行很好的仿真。通常,在時域分析來看,差分線的正負(fù)兩根線要做到延時匹配,保證其誤差在+/-2ps,而其它的信號要做到+/-10ps。DDR的信號測試和協(xié)議測試;

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DDRDIMM內(nèi)存條測試處理內(nèi)存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時,2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題,一種新型處理機面市了。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入,平穩(wěn)地插入待測內(nèi)存條的插槽;一旦測試完成,內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出。


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在進行接收容限測試時,需要用到多通道的誤碼儀產(chǎn)生帶壓力的DQ、DQS等信號。測試中被測件工作在環(huán)回模式,DQ引腳接收的數(shù)據(jù)經(jīng)被測件轉(zhuǎn)發(fā)并通過LBD引腳輸出到誤碼儀的誤碼檢測端口。在測試前需要用示波器對誤碼儀輸出的信號進行校準(zhǔn),如DQS與DQ的時延校準(zhǔn)、信號幅度校準(zhǔn)、DCD與RJ抖動校準(zhǔn)、壓力眼校準(zhǔn)、均衡校準(zhǔn)等。圖5.21展示了一整套DDR5接收端容限測試的環(huán)境。

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