高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時(shí)，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁帶（E(g)）寬度減小，從而產(chǎn)生齊納效應(yīng)。此外，隨著溫度升高，半導(dǎo)體晶格振動(dòng)增加，載流子遷移率相應(yīng)下降。因此，不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小，而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常，大多數(shù)情況下，齊納擊穿電壓約為6V以下，雪崩擊穿電壓約為6V以上。請(qǐng)注意，即使同一產(chǎn)品系列的二極管，溫度特性也不一樣。高可靠性：ESD靜電保護(hù)管采用了多種材料和工藝，可以有效地提高產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。ESD保護(hù)二極管SR08D3BL報(bào)價(jià)

      反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。當(dāng)pn結(jié)反向偏置時(shí)，耗盡層延伸穿過(guò)pn結(jié)。電場(chǎng)造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價(jià)帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價(jià)帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。齊納擊穿如圖1.3所示。當(dāng)pn反向偏置時(shí)，少量電子通過(guò)pn結(jié)。這些電子在耗盡層被電場(chǎng)加速，獲得較大動(dòng)能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產(chǎn)生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)，導(dǎo)致電子進(jìn)一步脫離的過(guò)程。這種現(xiàn)象稱(chēng)為雪崩擊穿。深圳標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR15D3BL型號(hào)價(jià)格根據(jù)客戶(hù)的需求和設(shè)備的特點(diǎn)，可以設(shè)計(jì)合適的ESD靜電保護(hù)二極管的應(yīng)用方案。

      ESD保護(hù)二極管在醫(yī)療監(jiān)護(hù)儀、手術(shù)器械、診斷設(shè)備等醫(yī)療設(shè)備中有廣泛應(yīng)用。醫(yī)療設(shè)備中的電子部件同樣需要保護(hù)，以防止靜電放電對(duì)設(shè)備性能和患者安全造成影響。在這些領(lǐng)域，設(shè)備對(duì)可靠性和穩(wěn)定性的要求極高。ESD保護(hù)二極管能夠確保設(shè)備在極端環(huán)境下不受靜電放電的干擾。ESD保護(hù)二極管適用于任何需要防止靜電放電對(duì)電子設(shè)備造成損害的場(chǎng)合。隨著電子設(shè)備的普及和應(yīng)用的不斷拓展，ESD保護(hù)二極管的應(yīng)用范圍也將越來(lái)越***適用于各種需要防止靜電放電對(duì)電子設(shè)備造成損害的場(chǎng)合。

       在發(fā)生ESD沖擊時(shí)，ESD電流同時(shí)流入ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護(hù)器件的電流（即增加分流到ESD保護(hù)二極管的電流）是十分重要的。目前，ESD保護(hù)二極管數(shù)據(jù)表含有動(dòng)態(tài)電阻（R(DYN)）。R(DYN)是反向?qū)Ｊ较耉(F)–I(F)曲線(xiàn)的斜率。如果發(fā)生ESD沖擊，給定電壓下，低動(dòng)態(tài)電阻ESD保護(hù)二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看，ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)器件的阻抗可視為并聯(lián)阻抗。如果ESD保護(hù)二極管阻抗（即動(dòng)態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過(guò)ESD保護(hù)二極管分流，減少流入受保護(hù)器件的電流，從而降低損壞的可能性。        esd保護(hù)二極管是一種專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電影響的半導(dǎo)體器件。

   等效電路及優(yōu)點(diǎn)：正常工作期間ESD保護(hù)二極管通常放在信號(hào)線(xiàn)與GND之間。因此，這些二極管在穩(wěn)態(tài)下充當(dāng)電容器。由于它們的電容和信號(hào)線(xiàn)的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護(hù)二極管會(huì)造成插入損耗（I(L)），降低信號(hào)質(zhì)量，取決其速度（特別是USB 3.0和USB 3.1等高速信號(hào)質(zhì)量）。浪涌電壓情況下   當(dāng)浪涌或外部噪聲通過(guò)連接器進(jìn)入系統(tǒng)時(shí)，對(duì)后面器件（如IC）的影響很大程度上取決于是否有ESD保護(hù)二極管。沒(méi)有ESD保護(hù)二極管，浪涌電流全部直接流入敏感器件，造成器件故障或損壞。如果電路有ESD保護(hù)二極管，大部分浪涌電流通過(guò)它們分流到GND。ESD保護(hù)二極管動(dòng)態(tài)電阻（R(dyn)）表示浪涌電流分流到GND的難易程度。低動(dòng)態(tài)電流ESD保護(hù)二極管能將更多浪涌電流分流到GND。這種二極管也有助于降低動(dòng)態(tài)電阻，即端子之間電阻的電壓（稱(chēng)為鉗位電壓）。ESD保護(hù)二極管動(dòng)態(tài)電阻低，可減小流入受保護(hù)器件（DUP）的浪涌電流，從而為DUP提供更可靠保護(hù)。ESD二極管可以有效保護(hù)USB、HDMI、Ethernet接口，防止靜電放電造成的電壓瞬變對(duì)內(nèi)部電路的破壞。廣東星河微/SReleicsESD保護(hù)二極管SR08D3BL多少錢(qián)

ESD保護(hù)二極管具有快速響應(yīng)能力，能夠在極短的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通并釋放靜電能量。ESD保護(hù)二極管SR08D3BL報(bào)價(jià)

        ESD保護(hù)二極管是一種齊納二極管，專(zhuān)門(mén)用來(lái)保護(hù)電路免受過(guò)壓浪涌，特別是靜電放電（ESD）事件的影響。ESD保護(hù)二極管主要用于ESD短脈沖，以及脈沖寬度幾微秒以下的雷電感應(yīng)和開(kāi)關(guān)浪涌保護(hù)。專(zhuān)門(mén)用于脈沖寬度大于ESD浪涌保護(hù)的齊納二極管，稱(chēng)為浪涌保護(hù)齊納二極管。這些齊納二極管適用于雷電感應(yīng)和開(kāi)關(guān)浪涌引起的、脈沖寬度大于幾微秒的過(guò)壓脈沖電路保護(hù)。ESD保護(hù)二極管專(zhuān)門(mén)用于過(guò)壓浪涌，特別是ESD放電電路保護(hù)，而不會(huì)影響信號(hào)線(xiàn)波形。ESD保護(hù)二極管電容為0.12pF至100pF。浪涌保護(hù)齊納二極管具有寬結(jié)，以便吸收大量浪涌能量。這類(lèi)二極管的總電容為100pF至600pF，適用于雷電感應(yīng)和開(kāi)關(guān)浪涌的保護(hù)。ESD保護(hù)二極管SR08D3BL報(bào)價(jià)