ESD保護二極管數(shù)據(jù)表含有動態(tài)電阻（RDYN）。RDYN是反向導通模式下VF–IF曲線的斜率。如果發(fā)生ESD沖擊，給定電壓下，低動態(tài)電阻ESD保護二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看，ESD保護二極管和受保護器件的阻抗可視為并聯(lián)阻抗。如果ESD保護二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流，減少流入受保護器件的電流，從而降低損壞的可能性。如果ESD保護二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流到地（GND），從而減少流入受保護器件的電流。因此，ESD保護二極管有助于防止手保護啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖（TLP）測試用于納秒級寬度短脈沖，根據(jù)隨時間變化的電流-電壓關系可研究二極管的電流-電壓（I-V）特性。下圖中，TLP I和TLP V分別電流和電壓。在高速信號傳輸線路中，如 USB 接口ESD 保護二極管可以防止靜電放電產生的電磁干擾對信號的影響。深圳新型ESD保護二極管SR24D3BL型號近期價格

        反向擊穿電壓是ESD保護二極管在規(guī)定條件下（通常定義為1mA，盡管因器件而異）開始傳導規(guī)定量電流時的電壓。VBR**初是為齊納二極管定義的參數(shù)。VBR定義為ESD保護二極管導通電壓。反向電流是ESD保護二極管在規(guī)定電壓下反向偏置時，反向流動的漏電流。對于ESD保護二極管，IR按工作峰值反向電壓（VRWM）定義。鉗位電壓是ESD保護二極管指定峰值脈沖電流條件下比較大鉗制電壓。VC通常在多個峰值脈沖電流點測量。如第6節(jié)（圖6.1）所示，峰值脈沖電流使用8／20μs波形。動態(tài)電阻和鉗位電壓**ESD保護二極管的ESD性能。廣東星河微/SReleicsESD保護二極管SR18D3BL型號近期價格SR15D3BL和SR18D3BL的電容和電感非常低，可減少電路的噪聲和干擾，提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。

         總電容由二極管結電容和封裝中的寄生電容組成。其中很大一部分是結電容。反向偏置時，二極管因pn結（p:p型半導體，n:n型半導體）形成耗盡層產生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數(shù)載流子通過。降低半導體區(qū)摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結面積或提高反向擊穿電壓（V(BR)），但任何一種方式都會導致ESD抗擾度下降。當兩個二極管串聯(lián)時，它們的組合電容減小。此外，二極管反向ESD能量耐受性比正向差。東芝低電容（C(t)）ESD保護二極管采用ESD二極管陣列工藝（EAP）制造，多個二極管組合在一起減小電容，不影響ESD抗擾度。

       ESD保護二極管考慮到要保護的信號線的極性，有必要選擇單向或雙向ESD保護二極管。不同類型的二極管用于*正向擺動的未調制數(shù)字信號（例如，0V（邏輯低電平）與5V（邏輯高電平）之間），以及電壓可正可負的無偏壓模擬信號。雙向ESD保護二極管可用于高于和低于GND范圍的信號，如下圖所示。（單向和雙向二極管均可用于電壓*為正或*為負的信號。)在發(fā)生ESD沖擊時，ESD電流同時流入ESD保護二極管和受保護器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護器件的電流（即增加分流到ESD保護二極管的電流）是十分重要的。金屬氧化物半導體場效應管：在靜電放電時能夠迅速導通，提供低阻抗路徑。

       汽車電子系統(tǒng)：隨著汽車電子化程度的提高，汽車內部集成了越來越多的電子控制單元（ECU）和傳感器。這些元件在車輛運行中暴露于各種環(huán)境條件下，容易受到靜電放電的影響。使用ESD保護二極管可以保護車載通信接口、傳感器輸入端和電源線路，確保車輛電子系統(tǒng)的可靠性和安全性。工業(yè)控制系統(tǒng)：PLC、傳感器和通信模塊等設備常常處于復雜的電磁環(huán)境中，容易受到靜電放電的影響。使用ESD保護二極管可以保護這些關鍵設備，防止靜電放電引起的電路故障，提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。ESD保護二極管需要具備極快的響應時間，通常要求在納秒（ns）級別內對靜電事件作出反應。深圳標準ESD保護二極管SR15D3BL近期價格

易于集成：ESD靜電保護管可以與其他電子元器件集成在一起，方便設計和制造。深圳新型ESD保護二極管SR24D3BL型號近期價格

       高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁帶（Eg）寬度減小，從而產生齊納效應。此外，隨著溫度升高，半導體晶格振動增加，載流子遷移率相應下降。因此，不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小，而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常，大多數(shù)情況下，齊納擊穿電壓約為6V以下，雪崩擊穿電壓約為6V以上。請注意，即使同一產品系列的二極管，溫度特性也不一樣。深圳新型ESD保護二極管SR24D3BL型號近期價格