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山東磁控濺射真空鍍膜設備

來源: 發(fā)布時間:2022-03-20

【離子鍍膜法介紹】: 離子鍍膜技術是在真空條件下,應用氣體放電實現鍍膜的,即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質電離,在氣體離子或被蒸發(fā)物質離子的轟擊下、同時將蒸發(fā)物或其反應產物蒸鍍在基片上。根據不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和激huo方式有:輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型,以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。常用的組合方式有:直流二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應蒸鍍法(ABE)、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)等。 真空鍍膜設備真空四個階段。山東磁控濺射真空鍍膜設備

【離子鍍的歷史】: 真空離子鍍膜技術是近幾十年才發(fā)展起來的一種新的鍍膜技術。在離子鍍技術興起的40多年來取得了巨大的進步,我國也有將近30多年的離子鍍研究進程。 【離子鍍的原理】: 蒸發(fā)物質的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發(fā)源接陽極,工件接陰極,當通以三至五千伏高壓直流電以后,蒸發(fā)源與工件之間產生輝光放電。由于 真空罩內充有惰性氬氣,在放電電場作用下部分氬氣被電離,從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負高壓的吸引,猛烈地轟擊工件表 面,致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出,從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后,接通蒸發(fā)源交流電源,蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā),進入輝光放電區(qū)并 被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子,在陰極吸引下,隨同氬離子一同沖向工件,當拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子超過濺失離子的數量時,則逐漸堆積形成一層牢固粘 附于工件表面的鍍層。 【離子鍍的優(yōu)缺點】: 優(yōu)點:膜層附著力好,膜層致密,具有繞度性能,能在形狀復雜的零件表面鍍膜。 缺點:離子鍍的應用范圍不廣;膜與基體間存在較寬的過渡界面。會有氣體分子吸附。山東磁控濺射真空鍍膜設備真空鍍膜設備主要用途?

【真空鍍膜簡介】: 真空(vacuum)是一種沒有任何物質的空間狀態(tài),因為真空之中沒有介質,所以像聲音這種需要介質傳遞的能量在真空中是無法傳播的。1654年當時的馬德堡市zhang奧&托&格里克在今tian德國雷根斯堡進行了一項實驗,從而證明了真空是存在的?,F在我們所說的真空并不是指空間內沒有任何物質,而是指在一個既定的空間內低于一個大氣壓的氣體狀態(tài),我們把這種稀薄的狀態(tài)稱為真空?,F在的真空鍍膜技術是在真空中把金屬、合金進行蒸發(fā)、濺射使其沉積在目標物體上。 在當今電子行業(yè),很多的電子元器件都要使用真空鍍膜工藝,雖然我國的真空鍍膜技術起步較晚,但發(fā)展的十分迅速。真空鍍膜已經成為電子元器件制造的一項不可或缺的技術。目前的真空鍍膜技術主要分為:真空蒸鍍、磁控濺射鍍膜、離子鍍。

【濺射鍍膜定義】: 定義:所謂濺射,就是這充滿腔室的工藝氣體在高電壓的作用下,形成氣體等離子體(輝光放電),其中的陽離子在電場力作用下高速向靶材沖擊,陽離子和靶材進行能量交換,使靶材原子獲得足夠的能量從靶材表面逸出(其中逸出的還可能包含靶材離子)。這一整個的動力學過程,就叫做濺射。入射離子轟擊靶面時,將其部分能量傳輸給表層晶格原子,引起靶材中原子的運動。有的原子獲得能量后從晶格處移位,并克服了表面勢壘直接發(fā)生濺射;有的不能脫離晶格的束縛,只能在原位做振動并波及周圍原子,結果使靶的溫度升高;而有的原子獲得足夠大的能量后產生一次反沖,將其臨近的原子碰撞移位,反沖繼續(xù)下去產生高次反沖,這一過程稱為級聯(lián)碰撞。級聯(lián)碰撞的結果是部分原子達到表面,克服勢壘逸出,這就形成了級聯(lián)濺射,這就是濺射機理。當級聯(lián)碰撞范圍內反沖原子密度不高時,動態(tài)反沖原子彼此間的碰撞可以忽略,這就是線性級聯(lián)碰撞。 真空鍍膜設備常見故障及解決方法。

【真空鍍膜改善薄膜應力】: 1. 鍍后烘烤,Zui后一層膜鍍完后,烘烤不要馬上停止,延續(xù)10分鐘“回火”。讓膜層結構趨于穩(wěn)定。 2. 降溫時間適當延長,退火時效。減少由于真空室內外溫差過大帶來的熱應力。 3. 對高反膜、濾光膜等在蒸鍍過程中,基片溫度不宜過高,高溫易產生熱應力。并且對氧化鈦、氧化鉭等膜料的光學穩(wěn)定性有負面影響。 4. 鍍膜過程離子輔助,減少應力。 5. 選擇合適的膜系匹配,第yi層膜料與基片匹配。 6. 適當減小蒸發(fā)速率。 7. 對氧化物膜料全部充氧反應鍍,根據不同膜料控制氧進氣量。 真空鍍膜設備哪個牌子的好?云南蒸發(fā)真空鍍膜設備

濺射類鍍膜是利用電子或高能激光轟擊靶材,使表面組分以原子團或離子形式濺射出來沉積在基片表面形成薄膜。山東磁控濺射真空鍍膜設備

【真空蒸鍍的歷史】:1857年Michael FaradayZui早提出基本原理,而后、1930年代由于油擴散式真空泵實用化、蒸鍍主要用于制作鏡片防反射膜。第二次世界大戰(zhàn)時,其他的光學機器對材料的需求提高,真空蒸鍍也因此快速發(fā)展。 【真空蒸鍍的原理】:在真空狀態(tài)下,加熱蒸發(fā)容器中的靶材,使其原子或分子逸出,沉積在目標物體表面,形成固態(tài)薄膜。依蒸鍍材料、基板的種類可分為:抵抗加熱、電子束、高周波 誘導、雷射等加熱方式。蒸鍍材料有鋁、亞鉛、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產生光學特性薄膜的材料,主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2 等氧化物與氟化物。蒸鍍除金屬外,樹脂與玻璃也可以使用、近年來連紙也變成可蒸鍍。 【蒸發(fā)鍍膜的優(yōu)缺點】: 優(yōu)點:設備簡單、容易操作;成膜的速率快,效率高。 缺點:薄膜的厚度均勻性不易控制,蒸發(fā)容器有污染的隱患,工藝重復性不好,附著力不高。 山東磁控濺射真空鍍膜設備

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