好的磁通密度B在100...發(fā)表于2017-11-0616:26?3306次閱讀電動勢和電壓的區(qū)別電動勢是對電源而說的，它就是電源將單位正電荷從負(fù)極經(jīng)電源內(nèi)部移到正極時，非靜電力所做的功。電壓是對一...發(fā)表于2017-11-0615:54?342次閱讀關(guān)于電磁繼電器二次吸合電壓技術(shù)研究當(dāng)電磁繼電器線圈上電，隨勵磁線圈電流的增大，首先出現(xiàn)一次動靜觸頭的不實閉合（如圖1a），此時彈簧拉力...發(fā)表于2017-11-0110:42?347次閱讀tl431的電源改電壓的方法TL431是一個小個頭（如同普通小三極管封裝）而又便宜的可調(diào)電壓基準(zhǔn)芯片。很多電源都用的TL431來...發(fā)表于2017-10-2709:38?960次閱讀殘余電壓保護(hù)復(fù)位電路殘余電壓實際上Δe不完全等于零，那時的Δe稱為殘余電壓.GPS測高包括機載GPS測高和浮標(biāo)GPS測高...發(fā)表于2017-10-2011:35?203次閱讀鉗形表測電壓使用方法_鉗形表上的符號圖解1、將紅表筆插入“VΩHz”插孔，黑表筆插入“COM”插孔；2、將功能量程開關(guān)置于交流電壓檔，并...發(fā)表于2017-08-0710:10?12490次閱讀電壓低怎么辦？農(nóng)村電壓低怎么辦？空調(diào)電壓低怎么辦...電壓低的原因很多，1、低壓線路比較長，線路電阻較大；2、低壓負(fù)荷比較大。6.5 kV片式晶閘管系列包括四款強大而可靠的片式器件，專為滿足中壓軟起動器應(yīng)用的特殊要求而開發(fā)。福建智能模塊量大從優(yōu)

    “鋰離子動力電池有...發(fā)表于2018-01-3008:27?5358次閱讀電磁爐igbt驅(qū)動電路圖絕緣柵雙極晶體管IGBT安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點于一...發(fā)表于2018-01-2614:35?716次閱讀并聯(lián)型功率優(yōu)化方法的原理和適用條件，并用單開關(guān)拓...傳統(tǒng)方案大多針對組串及組件失配問題，將每個光伏組件的輸出經(jīng)過變換器**的**大功率跟蹤后再串聯(lián)加以解決...發(fā)表于2018-01-2516:10?461次閱讀超級電容在峰值負(fù)載時的電壓穩(wěn)定化，有效支持了可穿...村田的超級電容在峰值負(fù)載時的電源電壓穩(wěn)定化，有效支持了可穿戴終端以外很多設(shè)備。例如，支持必須正常連續(xù)...發(fā)表于2018-01-2511:37?1024次閱讀電烙鐵功率大小有什么區(qū)別_電烙鐵功率越大越好嗎_...本文開始介紹了電烙鐵的結(jié)構(gòu)與電烙鐵的種類，其次介紹了電烙鐵的原理與電烙鐵的使用方法，**后分析了到底是...發(fā)表于2018-01-2416:30?2383次閱讀基于OVP/UVP測試調(diào)節(jié)電源輸出電壓方案本設(shè)計實例介紹了一種基于OVP/UVP測試、負(fù)載余量測試、電壓可編程性或其它任何理由而需要調(diào)節(jié)電源輸...發(fā)表于2018-01-2212:08?258次閱讀怎么用萬用表檢測電池剩余電量_如何給萬用表換電池萬用表不僅可以用來測量被測量物體的電阻。浙江哪里有模塊進(jìn)貨價通過晶體管圖示儀觀察到硅二極管的伏安特性如下圖所示。

    本實用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術(shù)：igbt隨著結(jié)構(gòu)設(shè)計和工藝技術(shù)的升級，主流產(chǎn)品已經(jīng)從平面柵極(如圖1所示)升級成溝槽柵極(如圖2所示)，現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵結(jié)構(gòu)的制作方法如圖3所示，先在半導(dǎo)體襯底上光刻出溝槽，接著在該溝槽內(nèi)沉積**氧化層23(圖3a所示)，然后去除該**氧化層23(圖3b所示)，然后繼續(xù)在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(圖3c所示)，接著沉積多晶硅層1(圖3d所示)，接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示)，溝槽柵結(jié)構(gòu)雖然相比平面柵結(jié)構(gòu)電流密度大幅度提升，但由于溝槽柵結(jié)構(gòu)帶來的結(jié)電容的大幅度上升，造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應(yīng)用于高頻場景。技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型為解決現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵igbt結(jié)電容較大的問題，提供了一種新的溝槽柵igbt結(jié)構(gòu)。本實用新型采用的技術(shù)方案如下：一種溝槽柵igbt，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)設(shè)置兩個溝槽柵結(jié)構(gòu)；兩個溝槽柵結(jié)構(gòu)，兩個所述溝槽柵結(jié)構(gòu)對稱，溝槽內(nèi)設(shè)置有多晶硅層和包圍所述多晶硅層的氧化層，所述氧化層包括***氧化層和第二氧化層，所述***氧化層設(shè)置在溝道區(qū)，所述第二氧化層設(shè)置在非溝道區(qū)，所述第二氧化層的厚度大于所述***氧化層的厚度。進(jìn)一步地。

    由于西門康IGBT模塊供應(yīng)為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：1、在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸西門康IGBT模塊供應(yīng)端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；2、在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使西門康IGBT模塊供應(yīng)發(fā)熱及至損壞。在使用西門康IGBT模塊供應(yīng)的場合，當(dāng)柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))。大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應(yīng)用的效率，覆蓋10 kW-10 GW的寬廣功率范圍。

    以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動電路，包括原邊電路、隔離電路和副邊電路，所述原邊電路包括死區(qū)電路、互鎖電路、保護(hù)電路、15v電源輸入濾波電路和dc/dc電路，所述隔離電路包括變壓器隔離電路和光耦隔離電路，所述副邊電路包括±15v驅(qū)動電源、驅(qū)動電路和vce-sat檢測電路，vce-sat檢測電路分別連接igbt模塊、驅(qū)動電路和光耦隔離電路，光耦隔離電路還連接死區(qū)電路、互鎖電路和保護(hù)電路，驅(qū)動電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊，vce-sat檢測電路檢測到igbt模塊發(fā)生短路故障或過流故障時，通過光耦隔離電路傳遞故障信號給原邊電路，原邊電路同時***igbt模塊上下管驅(qū)動信號，并通過光耦隔離電路和驅(qū)動電路關(guān)斷igbt模塊。作為本實用新型的進(jìn)一步方案：所述igbt模塊分為上下兩路。作為本實用新型的進(jìn)一步方案：所述死區(qū)電路、互鎖電路、保護(hù)電路均分為上下兩路。作為本實用新型的進(jìn)一步方案：所述光耦隔離電路分為上下兩路。作為本實用新型的進(jìn)一步方案：所述驅(qū)動電路分為上下兩路。作為本實用新型的進(jìn)一步方案：所述光耦隔離電路包括反饋光耦和驅(qū)動光耦。采用分立封裝的高效硅基或 CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產(chǎn)品組合。標(biāo)準(zhǔn)模塊加工廠

我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級。福建智能模塊量大從優(yōu)

    GSM系統(tǒng)規(guī)范對手機發(fā)射功率的精度、平坦度、發(fā)射頻譜純度以及帶外雜散信...發(fā)表于2017-12-1217:58?171次閱讀空間電壓矢量svpwm控制原理解析PAM是英文PulseAmplitudeModulation（脈沖幅度調(diào)制）縮寫，是按一定規(guī)律改變...發(fā)表于2017-12-1113:33?2402次閱讀基于TL494的12V直流電壓轉(zhuǎn)變220V逆變電...目前所有的雙端輸出驅(qū)動IC中，可以說美國德克薩斯儀器公司開發(fā)的TL494功能**完善、驅(qū)動能力**強，其...發(fā)表于2017-12-0515:18?648次閱讀基于LTC3115-1的手持式設(shè)備、工業(yè)儀表和汽...手持式設(shè)備、工業(yè)儀表和汽車電子系統(tǒng)都需要能支持多種輸入電壓的電源解決方案，這些輸入電壓是由汽車輸入電...發(fā)表于2017-12-0211:14?189次閱讀家用供電分析及電壓起源解讀這也就造成了各個電廠所提供的民用電壓依賴于所進(jìn)口國家電壓的情況。據(jù)《民國時期機電技術(shù)》中記載，關(guān)于用...發(fā)表于2017-12-0111:30?778次閱讀壓敏電阻的原理及電流、電壓計算分析壓敏電阻一般并聯(lián)在電路中使用，當(dāng)電阻兩端的電壓發(fā)生急劇變化時，電阻短路將電流保險絲熔斷，起到保護(hù)作用...發(fā)表于2017-11-2911:23?405次閱讀閾值電壓的計算閾值電壓。福建智能模塊量大從優(yōu)

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司坐落于昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號億豐機電城北樓A201，是集設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售、售后服務(wù)于一體，電子元器件的貿(mào)易型企業(yè)。公司在行業(yè)內(nèi)發(fā)展多年，持續(xù)為用戶提供整套IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器的解決方案。本公司主要從事IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器領(lǐng)域內(nèi)的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等產(chǎn)品的研究開發(fā)。擁有一支研發(fā)能力強、成果豐碩的技術(shù)隊伍。公司先后與行業(yè)上游與下游企業(yè)建立了長期合作的關(guān)系。英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼以符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品質(zhì)量為目標(biāo)，并始終如一地堅守這一原則，正是這種高標(biāo)準(zhǔn)的自我要求，產(chǎn)品獲得市場及消費者的高度認(rèn)可。我們本著客戶滿意的原則為客戶提供IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器產(chǎn)品售前服務(wù)，為客戶提供周到的售后服務(wù)。價格低廉優(yōu)惠，服務(wù)周到，歡迎您的來電！