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中文資料WILLSEMI韋爾ESD56241D10

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-05-04

     ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過(guò)應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5451X可提供高達(dá)±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)8A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛、無(wú)鹵素。

特點(diǎn):

· 反向截止電壓:±5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±30kV(接觸和空氣放電)

· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

· IEC61000-4-5(浪涌):8A(8/20μs)

· 電容:CJ=17.5pFtyp

· 低漏電流:IR<1nAtyp

· 低鉗位電壓:VCL=9Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)


應(yīng)用:

· 手機(jī)

· 平板

· 電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設(shè)備

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5451X是高性能瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過(guò)應(yīng)力影響。適用于手機(jī)、平板、筆記本等便攜式設(shè)備,雙向保護(hù),應(yīng)對(duì)極端電氣環(huán)境。低漏電流、低鉗位電壓,不影響設(shè)備正常工作。固態(tài)硅技術(shù),穩(wěn)定可靠。各方面保護(hù)現(xiàn)代電子設(shè)備,消費(fèi)者和制造商的理想選擇。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WSB5524D-2/TR 肖特基二極管 封裝:FBP1608-2L。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56241D10

中文資料WILLSEMI韋爾ESD56241D10,WILLSEMI韋爾

WS3202E:過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)IC

產(chǎn)品描述:

WS3202E是一款集過(guò)壓保護(hù)(OVP)和過(guò)流保護(hù)(OCP)功能于一體的保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過(guò)閾值時(shí),該設(shè)備會(huì)關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開(kāi)IN到OUT的連接,以保護(hù)負(fù)載。此外,過(guò)溫保護(hù)(OTP)功能會(huì)監(jiān)控芯片溫度,確保設(shè)備安全。封裝形式:SOT-23-6L

產(chǎn)品特性:

· 高壓技術(shù)

· 輸入電壓:25V

· 輸出上電時(shí)間:8ms(典型值)

· OVP閾值:6.1V(典型值)

· OVP響應(yīng)時(shí)間:<1us

· OCP閾值:2A(最小值)

· 輸出放電功能

應(yīng)用領(lǐng)域:

· GPS設(shè)備

· PMP(便攜式媒體播放器)

· MID(移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)

· PAD(平板電腦)

· 數(shù)碼相機(jī)

· 數(shù)字?jǐn)z像機(jī)

     WS3202E是一款功能強(qiáng)大的過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)IC,為電子設(shè)備提供了雙重安全保障。其高壓技術(shù)、快速響應(yīng)時(shí)間和靈活的輸出放電功能使其在各種應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出色,特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設(shè)備,如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝,方便集成到各種電路板中,同時(shí)其無(wú)鉛和無(wú)鹵素特性也符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD5451ZWNM2021-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-323。

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WL2803E:極低壓差、500mA、CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA負(fù)載電流下,其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結(jié)構(gòu),WL2803E在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA,使其成為需要高輸出電流的消費(fèi)者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本,步長(zhǎng)為0.1V。WL2803E系列還提供了過(guò)熱保護(hù)(OTP)和限流功能,以確保在錯(cuò)誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性,并使用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。

    封裝與環(huán)保信息:WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝,并符合無(wú)鉛和無(wú)鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性

輸入電壓:2.5V~5.5V

輸出電壓:1.2V~3.3V

輸出電流:500mA

PSRR:65dB@1KHz

壓差電壓:130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲:100uV

靜態(tài)電流:150μA(典型值)

應(yīng)用領(lǐng)域

LCD電視

機(jī)頂盒(STB)

計(jì)算機(jī)和圖形卡

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

其他便攜式電子設(shè)備  

      WL2803E是一款高性能LDO,壓差低、PSRR高、靜態(tài)電流低。適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,輸出電壓準(zhǔn)確穩(wěn)定。具備過(guò)熱保護(hù)和限流功能,增強(qiáng)可靠性。您如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

WD3139:高效38V升壓型白色LED驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品描述

     WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅(qū)動(dòng)器。其內(nèi)部MOSFET可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)10個(gè)串聯(lián)的白色LED,電流限制為1.2A,過(guò)壓保護(hù)為38V??梢詫⒚}沖寬度調(diào)制(PWM)信號(hào)應(yīng)用于EN引腳以實(shí)現(xiàn)LED調(diào)光。該設(shè)備以1MHz的固定開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行,以減少輸出紋波、提高轉(zhuǎn)換效率,并允許使用小型外部組件。

   封裝與環(huán)保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性:

輸入電壓范圍:2.7~5.5V

開(kāi)路LED保護(hù):38V(典型值)

參考電壓:200mV(±5%)

開(kāi)關(guān)頻率:1MHz(典型值)

效率:高達(dá)92%

主開(kāi)關(guān)電流限制:1.2A(典型值)

PWM調(diào)光頻率:5KHz至200KHzPWM

調(diào)光占空比:0.5%~100%

應(yīng)用領(lǐng)域:

智能手機(jī)

平板電腦

便攜式游戲機(jī)

    WD3139是一款專為串聯(lián)白色LED設(shè)計(jì)的高效驅(qū)動(dòng)器。提供1.2A電流限制和38V過(guò)壓保護(hù),確保LED穩(wěn)定安全。支持PWM調(diào)光,1MHz開(kāi)關(guān)頻率提升轉(zhuǎn)換效率并減少輸出紋波。適用于智能手機(jī)、平板等便攜設(shè)備的LED背光或指示燈。小巧封裝且環(huán)保,是理想選擇。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WMM7037AT2-4/TR MEMS麥克風(fēng)(硅麥)封裝:LGA-4(3x3.8)。

中文資料WILLSEMI韋爾ESD56241D10,WILLSEMI韋爾

ESD5305F:四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器

      產(chǎn)品描述:ESD5305F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)引起的過(guò)應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對(duì)低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管,以提供各方面的瞬態(tài)保護(hù)。封裝與環(huán)保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封裝,滿足無(wú)鉛和無(wú)鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性:

反向截止電壓:5V

根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),每條線路提供±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù)

根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),可承受高達(dá)6A(8/20μs)的峰值脈沖電流

低電容:CI/O-GND=0.65pF(典型值,Vcc=浮動(dòng)狀態(tài));CI/O-GND=0.35pF(典型值,Vcc=5V)

極低泄漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=16.5V@IPP=16A(TLP)

采用固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產(chǎn)品

筆記本電腦

關(guān)于ESD5305F 如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WAS4729QB-10/TR 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 封裝:QFN-10(1.8x1.4)。中文資料WILLSEMI韋爾WL2832D

ESD5311N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:X1-DFN1006-2。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56241D10

     WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無(wú)鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開(kāi)關(guān)

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件,專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計(jì),確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷,從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計(jì)使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時(shí),極低的閾值電壓保證了快速的開(kāi)關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56241D10

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