ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應力影響。

      包含一對低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

 1、截止電壓：5V

 2、根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低電容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流：IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術

應用領域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持，請隨時聯(lián)系我們。 ESD5441N02-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3025A

    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件

應用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護和更換的頻率。

    此外，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性，它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色，如某些電子設備中的電源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是無鉛器件，符合現(xiàn)代環(huán)保標準。隨著全球對環(huán)保意識的日益增強，無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時，也符合了環(huán)保要求。

    總的來說，RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性，成為低電流整流應用中的理想選擇。無論是電子設備制造商還是電路設計工程師，都能從中受益。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3043WMM7027ATSN1-4/TR MEMS麥克風（硅麥）封裝：LGA-4(1.9x2.8)。

WNM2016A：N溝道增強型MOSFET場效應晶體管

產(chǎn)品描述：

WNM2016A它采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元

· 設計出色的ON電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器

· 電路便攜式設備的負載/電源開關      

      WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為現(xiàn)代電子設備中的高效能量轉換和開關應用而設計。其獨特的溝槽技術和高密度單元設計提供了優(yōu)越的電氣性能，包括低RDS(ON)和低柵極電荷，從而實現(xiàn)高效能量轉換和減少熱量損失。此外，極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設備中的理想選擇，因為它既能夠提供強大的性能，又能夠節(jié)省空間。無論是DC/DC轉換器、電源轉換器電路，還是便攜式設備的負載/電源開關，WNM2016A都是一個出色的選擇，能夠確保設備的穩(wěn)定運行和高效能量管理。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

      WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。它采用了先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性：

溝槽技術

超高密度單元設計

優(yōu)異的ON電阻，適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應用：

繼電器、螺線管、電機、LED等的驅動器

DC-DC轉換器電路

電源開關

負載開關

充電應用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET，采用先進溝槽技術，具有低RDS(ON)和低柵極電荷，適用于高效、高可靠性電力管理應用。可承受-5A直流電流，極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝，無鉛無鹵素，環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉換、電源開關，驅動繼電器、電機等應用。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WNM3018-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-323。

    WPM3407是一款使用先進溝槽技術制成的器件，其特點是在低門極電荷下提供出色的RDS(ON)。這種器件非常適合用于DC-DC轉換應用。

特點：

    RDS(ON)出色：RDS(ON)是指器件在導通狀態(tài)下的電阻，3407通過先進的溝槽技術實現(xiàn)了低RDS(ON)，這意味著在器件導通時，其電阻較小，從而減小了能量損失。低門極電荷：門極電荷是描述開關器件從關閉到打開或從打開到關閉所需電荷量的參數(shù)。3407的低門極電荷可以更快地開關，從而減少開關損耗。無鉛：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛產(chǎn)品有需求的場合。

應用：

    筆記本電腦的電源管理：3407可以用于筆記本電腦中的DC-DC轉換器，以提供穩(wěn)定的電源。

    便攜式設備：由于它的快速開關和低能量損失，3407也適用于各種便攜式設備，如智能手機、平板電腦等。

    電池供電系統(tǒng)：在電池供電的應用中，減少能量損失和延長電池壽命是非常重要的，3407的出色RDS(ON)和低門極電荷特性使其成為電池供電系統(tǒng)的理想選擇。

    DC/DC轉換器：這是3407的主要應用之一，用于將一種直流電壓轉換為另一種直流電壓。

    負載開關：3407可以用于控制電路的通斷，實現(xiàn)負載開關的功能。

    如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WPM2080-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5341X

WD1035DH-8/TR DC-DC電源芯片 封裝：DFN-8-EP(2x2)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3025A

WD3139：高效38V升壓型白色LED驅動器

產(chǎn)品描述

     WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅動器。其內部MOSFET可以驅動高達10個串聯(lián)的白色LED，電流限制為1.2A，過壓保護為38V?？梢詫⒚}沖寬度調制（PWM）信號應用于EN引腳以實現(xiàn)LED調光。該設備以1MHz的固定開關頻率運行，以減少輸出紋波、提高轉換效率，并允許使用小型外部組件。

   封裝與環(huán)保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封裝，標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性：

輸入電壓范圍：2.7~5.5V

開路LED保護：38V（典型值）

參考電壓：200mV（±5%）

開關頻率：1MHz（典型值）

效率：高達92%

主開關電流限制：1.2A（典型值）

PWM調光頻率：5KHz至200KHzPWM

調光占空比：0.5%~100%

應用領域：

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

    WD3139是一款專為串聯(lián)白色LED設計的高效驅動器。提供1.2A電流限制和38V過壓保護，確保LED穩(wěn)定安全。支持PWM調光，1MHz開關頻率提升轉換效率并減少輸出紋波。適用于智能手機、平板等便攜設備的LED背光或指示燈。小巧封裝且環(huán)保，是理想選擇。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3025A