ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設計用于替代消費設備中的多層變阻器(MLV),適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設備。ESD9X5VL結(jié)合了一對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。
特性:
· 截止電壓:5V
· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)為每條線路提供瞬態(tài)保護:±20kV(接觸和空氣放電)
· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
· IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
· 極低電容:CJ=1.2pF(典型值)
· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術
應用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便攜式電子產(chǎn)品
· 筆記本電腦
ESD9X5VL是保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應迅速,避免噪聲和干擾,高可靠且適用于便攜式設備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 ESD5301N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WD1071D
WAS4729QB:低導通電阻(0.8?)雙SPDT模擬開關,具有負擺幅音頻功能
產(chǎn)品描述:
WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲(SPDT)模擬開關,具有負擺幅音頻功能,其典型導通電阻Ron為0.8?(在3.6VVCC下)。該開關在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作,并設計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路,即使在控制電壓低于VCC電源電壓時,也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機應用,因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口,同時極大限度地減少電池消耗。換句話說,在實際應用中,無需額外的設備來將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性
供電電壓:2.3V~5.5V
極低導通電阻:0.8?(在3.6V下)
高關斷隔離度:-81dB@1KHz
串擾抑制:-83dB@1KHz-3dB帶寬:80MHz
軌到軌信號范圍
先斷后通開關
HBM JEDEC:JESD22-A114IO至GND:±8KV
電源至GND:±5KV
應用領域
手機、PDA、數(shù)碼相機和筆記本電腦
LCD顯示器、電視和機頂盒
音頻和視頻信號路由
WAS4729QB是高性能模擬開關,專為移動設備設計,適合音頻和視頻信號路由,性能優(yōu)越可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS742904WAS7227Q-10/TR 模擬開關/多路復用器 封裝:WQFN-10(1.4x1.8)。
ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過度應力影響。
包含一對低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。
采用DFN1006-2L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性:
1、截止電壓:5V
2、根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護:±20kV(接觸和空氣放電)
3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
5、低電容:CJ=0.4pFtyp.
6、低漏電流:IR<1nAtyp.
7、低鉗位電壓:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固態(tài)硅技術
應用領域:
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持,請隨時聯(lián)系我們。
WSB5546N-肖特基勢壘二極管
特性:
· 低反向電流
· 0.2A平均整流正向電流
· 無鉛和無鹵素:WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品,不含鉛和鹵素。
· 快速開關和低正向電壓降
· 反向阻斷
應用:
· 電源管理
· 信號處理
· 電子設備保護
總之,WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管,具有一些明顯的特點和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型,它結(jié)合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點。肖特基二極管具有快速開關能力和低正向電壓降,而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此,WSB5546N結(jié)合了這些特點,提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS4665D-8/TR 功率電子開關 封裝:WDFN-8(2x2)。
WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET
產(chǎn)品描述
WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 出色的導通電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域:
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 電源轉(zhuǎn)換器電路
· 便攜式設備的負載/電源切換
WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術和高密度單元設計使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關和充電電路等應用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設備負載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS74199B-6/TR 電流感應放大器 封裝:SOT-363。代理分銷商WILLSEMI韋爾WMM7027ABHN0-4/TR
RB521S30-2/TR 肖特基二極管 封裝:SOD-523。中文資料WILLSEMI韋爾WD1071D
WD3168:5V/300mA開關電容電壓轉(zhuǎn)換器,它能夠從一個非穩(wěn)壓輸入電壓中產(chǎn)生一個穩(wěn)定、低噪聲、低紋波的5V輸出電壓。即使在VIN大于5V的情況下,它也能維持5V的穩(wěn)壓輸出。它能夠以小巧的封裝提供≧300mA的電流。當負載電流在典型條件下低于4mA時,WD3168會進入跳模模式,此時其靜態(tài)電流會降低到170uA。只需3個外部電容器即可產(chǎn)生輸出電壓,從而節(jié)省PCB空間。
此外,其軟啟動功能在開機和電源瞬態(tài)狀態(tài)下會限制涌入電流。WD3168內(nèi)置了電流限制保護功能,適合HDMI、USBOTG和其他電池供電的應用。SOT-23-6L封裝,并在-40℃至+85℃的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作。
其主要特性包括:
1、 輸出電流為300mA
2、寬輸入電壓范圍:2.7V至5.5V
3、固定輸出電壓為5.0V
4、雙倍電荷泵
5、較小外部元件:無需電感器
6、高頻操作:1.7MHz
7、自動軟啟動限制涌入電流
8、低紋波和EMI
9、過熱和過流保護
10、無負載條件下典型靜態(tài)電流為170uA(跳模模式)
其應用領域包括:
1、3V至5V的升壓轉(zhuǎn)換
2、USBOn-The-Go或HDMI5V供電
3、從較低軌道提供的本地5V供電
4、電池備份系統(tǒng)
5、手持便攜式設備
WD3168是一種效率高、可靠的電源IC,適用于各種需要5V穩(wěn)定輸出的應用場景。如需更詳細的信息或產(chǎn)品規(guī)格書請聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WD1071D