ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設(shè)計用于替代消費設(shè)備中的多層變阻器(MLV),適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。
特性:
· 截止電壓:5V
· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)為每條線路提供瞬態(tài)保護:±20kV(接觸和空氣放電)
· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
· IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
· 極低電容:CJ=1.2pF(典型值)
· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術(shù)
應用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便攜式電子產(chǎn)品
· 筆記本電腦
ESD9X5VL是保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應迅速,避免噪聲和干擾,高可靠且適用于便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WAS4735Q-16/TR 模擬開關(guān)/多路復用器 封裝:QFN1826-16L(1.8x2.6)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9103W
WS4603E:可調(diào)電流限制、電源分配開關(guān)
描述
WS4603E是一款具有高側(cè)開關(guān)和低導通電阻P-MOSFET的開關(guān)。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護電源。此外,WS4603E還集成了反向保護功能,當設(shè)備關(guān)閉時,可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護設(shè)備和負載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品無鉛且不含鹵素。
特性
1、輸入電壓范圍:2.5~5.5V
2、主開關(guān)RON:80mΩ@VIN=5V
3、調(diào)整電流限制范圍:0.4~2A(典型值)
4、電流限制精度:±20%
5、自動放電
6、反向阻斷(無“體二極管”)
7、過溫保護
應用
· USB外設(shè)
· USB Dongle
· USB 3G數(shù)據(jù)卡
· 3.3V或5V電源開關(guān)
· 3.3V或5V電源分配
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于WS4603E的進一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56151W04WNM2030-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOT-723。
WPM3407是一款使用先進溝槽技術(shù)制成的器件,其特點是在低門極電荷下提供出色的RDS(ON)。這種器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換應用。
特點:
RDS(ON)出色:RDS(ON)是指器件在導通狀態(tài)下的電阻,3407通過先進的溝槽技術(shù)實現(xiàn)了低RDS(ON),這意味著在器件導通時,其電阻較小,從而減小了能量損失。低門極電荷:門極電荷是描述開關(guān)器件從關(guān)閉到打開或從打開到關(guān)閉所需電荷量的參數(shù)。3407的低門極電荷可以更快地開關(guān),從而減少開關(guān)損耗。無鉛:符合環(huán)保要求,適用于對無鉛產(chǎn)品有需求的場合。
應用:
筆記本電腦的電源管理:3407可以用于筆記本電腦中的DC-DC轉(zhuǎn)換器,以提供穩(wěn)定的電源。
便攜式設(shè)備:由于它的快速開關(guān)和低能量損失,3407也適用于各種便攜式設(shè)備,如智能手機、平板電腦等。
電池供電系統(tǒng):在電池供電的應用中,減少能量損失和延長電池壽命是非常重要的,3407的出色RDS(ON)和低門極電荷特性使其成為電池供電系統(tǒng)的理想選擇。
DC/DC轉(zhuǎn)換器:這是3407的主要應用之一,用于將一種直流電壓轉(zhuǎn)換為另一種直流電壓。
負載開關(guān):3407可以用于控制電路的通斷,實現(xiàn)負載開關(guān)的功能。
如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。
WNM2030是一種N型增強型MOS場效應晶體管,采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。
主要特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計
· 優(yōu)異的開啟電阻
· 極低的閾值電壓
應用領(lǐng)域:
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 電源轉(zhuǎn)換器電路
· 便攜式設(shè)備的負載/電源切換
WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設(shè)計的高性能MOS場效應晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進溝槽技術(shù),提供高密度和低功耗??焖匍_關(guān)操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設(shè)備,且無鉛設(shè)計滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5611N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。
WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET
產(chǎn)品描述
WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計
· 出色的導通電阻
· 極低的閾值電壓
應用領(lǐng)域:
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 電源轉(zhuǎn)換器電路
· 便攜式設(shè)備的負載/電源切換
WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESDA6V1W5-5/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOT-353。規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9103W
WSB5524D-2/TR 肖特基二極管 封裝:FBP1608-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9103W
WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。
特性:
溝槽技術(shù)
超高密度單元設(shè)計
優(yōu)異的ON電阻,適用于更高的直流電流
極低的閾值電壓
小型SOT-23封裝
應用:
繼電器、螺線管、電機、LED等的驅(qū)動器
DC-DC轉(zhuǎn)換器電路
電源開關(guān)
負載開關(guān)
充電應用
WPM1483是一款P溝道功率MOSFET,采用先進溝槽技術(shù),具有低RDS(ON)和低柵極電荷,適用于高效、高可靠性電力管理應用??沙惺?5A直流電流,極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝,無鉛無鹵素,環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān),驅(qū)動繼電器、電機等應用。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9103W