WD3139:高效38V升壓型白色LED驅動器
產品描述
WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅動器。其內部MOSFET可以驅動高達10個串聯的白色LED,電流限制為1.2A,過壓保護為38V??梢詫⒚}沖寬度調制(PWM)信號應用于EN引腳以實現LED調光。該設備以1MHz的固定開關頻率運行,以減少輸出紋波、提高轉換效率,并允許使用小型外部組件。
封裝與環(huán)保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封裝,標準產品為無鉛和無鹵素。
產品特性:
輸入電壓范圍:2.7~5.5V
開路LED保護:38V(典型值)
參考電壓:200mV(±5%)
開關頻率:1MHz(典型值)
效率:高達92%
主開關電流限制:1.2A(典型值)
PWM調光頻率:5KHz至200KHzPWM
調光占空比:0.5%~100%
應用領域:
智能手機
平板電腦
便攜式游戲機
WD3139是一款專為串聯白色LED設計的高效驅動器。提供1.2A電流限制和38V過壓保護,確保LED穩(wěn)定安全。支持PWM調光,1MHz開關頻率提升轉換效率并減少輸出紋波。適用于智能手機、平板等便攜設備的LED背光或指示燈。小巧封裝且環(huán)保,是理想選擇。詳情請查閱數據手冊或聯系我們。 WD1042E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝:SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM4013
ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數據接口而設計。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過應力影響。ESD5311X包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,ESD5311X可提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準,能承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝,為標準無鉛且無鹵素產品。
主要特性:
截止電壓:5V
根據IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)
根據IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)
極低電容:CJ=0.25pF(典型值)
極低漏電流:IR<1nA(典型值)
低鉗位電壓:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術
應用領域:
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便攜式電子設備
筆記本電腦
ESD5311X是一款專為高速數據接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器,可承受高達±20kV的靜電放電和4A的峰值脈沖電流,保護電子組件免受損害。適用于USB、HDMI、SATA等接口,確保數據傳輸的穩(wěn)定性。緊湊、環(huán)保,廣泛應用于便攜式設備和筆記本電腦。如需更多信息,請查閱手冊或聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WSB5556ZWD3139F-6/TR LED驅動 封裝:TSOT-23-6。
BL1551B是一款模擬開關,具體地說:它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲(SPDT)模擬開關。這種開關特別適用于數據和音頻信號的切換。
以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢:
高帶寬:BL1551B具有高達350MHz的帶寬,這使得它能夠處理高速信號切換,滿足許多高速應用的需求。
低導通電阻:在5V工作電壓下,其導通電阻為2.7Ω,這有助于減少信號在開關過程中的損失,保證信號的完整性。
高效的隔離度:在1MHz的頻率下,BL1551B的隔離度達到-84dB,這意味著在開關處于關閉狀態(tài)時,信號泄漏非常小,從而確保了良好的信號隔離效果。
寬工作電壓范圍:BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V,這意味著它可以在多種不同的電壓環(huán)境下工作,為設計者提供了更大的靈活性。
此外,BL1551B的封裝類型為SC-70-6,這有助于實現緊湊的電路設計和高效的熱性能。在實際應用中,BL1551B可廣泛應用于移動電話、便攜式電子設備等領域。其出色的性能參數和廣泛的應用范圍使得BL1551B在市場上具有一定的競爭力。
安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷,我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開關,并提供樣品供您測試,如需更多信息或支持,請隨時聯系我們。
WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器,具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了經濟高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護,還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。
產品特點:
· 輸入電壓范圍:2.7V至5.5V
· 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V
· 輸出電流:在輸出電壓小于2V時,典型值為200mA;在輸出電壓大于2V時,典型值為300mA。
· 電源抑制比(PSRR):在217Hz時達到75dB
· 壓差電壓:在輸出電流為200mA時,壓差為170mV
· 靜態(tài)電流:典型值為70μA
· 關斷電流:小于0.1μA
· 推薦電容器:1uF
應用領域:
· MP3/MP4播放器
· 手機和無線電話
· 數碼相機
· 藍牙和無線手持設備
· 其他便攜式電子設備
WL2801E系列以其高精度、低噪聲和高效能的特點,為現代便攜式設備提供了理想的電源管理解決方案。無論是手機、筆記本電腦還是MP3播放器,它都能確保設備在長時間使用中保持出色的性能和穩(wěn)定的電力供應。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WNM6002-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOT-323-3。
WPM3401:單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產。這種高密度工藝特別定制于極小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側開關的電池供電電路。
其主要特性包括:
· 溝槽技術
· 超高密度的單元設計
· 優(yōu)異的導通電阻,適用于更高的直流電流
· 小型SOT-23-3L封裝
應用領域包括:
· 筆記本電腦的電源管理
· 便攜式設備
· 電池供電系統
· DC/DC轉換器
· 負載開關
WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應用而設計。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 ESDA6V8AV6-6/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOT-563。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56241D07
ESD9B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM4013
WSB5546N-肖特基勢壘二極管
特性:
· 低反向電流
· 0.2A平均整流正向電流
· 無鉛和無鹵素:WSB5546N是一款環(huán)保產品,不含鉛和鹵素。
· 快速開關和低正向電壓降
· 反向阻斷
應用:
· 電源管理
· 信號處理
· 電子設備保護
總之,WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管,具有一些明顯的特點和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型,它結合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點。肖特基二極管具有快速開關能力和低正向電壓降,而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此,WSB5546N結合了這些特點,提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM4013