ESD5451N：雙向瞬態(tài)電壓保護(hù)神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計(jì)。它能承受高達(dá)±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達(dá)8A（8/20μs），為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強(qiáng)大的保護(hù)

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無(wú)鉛和無(wú)鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備，以及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性，為電子設(shè)備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測(cè)試。如有關(guān)于ESD5451N的進(jìn)一步問(wèn)題或需求，請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 WS72551E-5/TR 運(yùn)算放大器 封裝：SOT-23-5L。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WPM03120E

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比（PSRR）、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品均不含鉛和鹵素，符合環(huán)保要求。

特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)：

· 輸出電流折返

· 寬輸入電壓范圍：2V至5.5V

· 可調(diào)輸出電壓：0.8V至5V

· 輸出電流：300mA

· 低功耗：靜態(tài)電流典型值為75μA，關(guān)機(jī)電流小于1μA

· 低壓降：在輸出電流為0.3A時(shí)，壓降為141mV。

· 電源抑制比：在1kHz、輸出電壓為3V時(shí)，PSRR高達(dá)70dB

· 低輸出電壓噪聲：典型值為12μVRMS

· 輸出電壓容差：±2%

· 推薦電容器：建議使用1μF的電容器以優(yōu)化性能

· 封裝與環(huán)保：SOT-23-5L

應(yīng)用領(lǐng)域：

· MP3/MP4播放器

· 手機(jī)、無(wú)線電話、數(shù)碼相機(jī)

· 藍(lán)牙、無(wú)線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調(diào)整、高效的電流管理以及環(huán)保的封裝特性，成為便攜式電子設(shè)備的理想電源解決方案。無(wú)論是音頻播放、通信還是無(wú)線連接，它都能為設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的電源支持。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WPM3401AWS742905M-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝：MSOP-8。

ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止因靜電放電（ESD）而產(chǎn)生的過(guò)應(yīng)力。ESD5311Z包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5311Z可用于提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：5V

每條線路根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）

應(yīng)用領(lǐng)域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)，極低電容，出色保護(hù)，防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口，保護(hù)敏感組件。緊湊封裝，適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開(kāi)關(guān)，專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過(guò)壓保護(hù)功能，允許引腳上的電壓超過(guò)VCC，至高可達(dá)7.0V，而不會(huì)損壞部件或影響其操作，無(wú)論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)也是如此。簡(jiǎn)而言之，在實(shí)際應(yīng)用中，無(wú)需額外的設(shè)備來(lái)使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

特性：

· 電源電壓：1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻：在VCC=4.5V時(shí)為5.5Ω-3dB

· 帶寬：在CL=5pF時(shí)為400MHz

· 斷開(kāi)隔離度：在10MHz時(shí)為-69dB

· 低靜態(tài)電流：<1uA

· 先斷后合功能ESD保護(hù)：HBM為±8000V，MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機(jī)

· MID（移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強(qiáng)大且易于集成的模擬開(kāi)關(guān)解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護(hù)功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WL2836D18-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：XDFN-4-EP(1x1)。

WPM3401：?jiǎn)蜳溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開(kāi)關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 RB521C30-2/TR 肖特基二極管 封裝：SOD-923。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5451ZL

WNM2030-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-723。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WPM03120E

    WNM2020是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無(wú)鉛且無(wú)鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時(shí)，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，進(jìn)一步提高了開(kāi)關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中高效率的電源開(kāi)關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽(yáng)能充電器，以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場(chǎng)中具有廣的適用性?？傊?，WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WPM03120E