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中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C

來源: 發(fā)布時間:2024-04-03

     SD5302F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的極低電容TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)陣列。它特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD(靜電放電)引起的過應(yīng)力影響。ESD5302F結(jié)合了兩對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

主要特性:

· 截止電壓:5V

· 每條線路均符合IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護:±20kV(接觸和空氣放電)

· 符合IEC61000-4-4(EFT)標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)

· 符合IEC61000-4-5(浪涌)標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=0.4pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=20V@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5302F保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電等損害,確保信號完整性,承受力強。適合緊湊設(shè)備,環(huán)保。是高速數(shù)據(jù)接口的理想保護組件。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 ESD5611N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C

中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C,WILLSEMI韋爾

ESD5305F:四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器

      產(chǎn)品描述:ESD5305F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)引起的過應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管,以提供各方面的瞬態(tài)保護。封裝與環(huán)保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封裝,滿足無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性:

反向截止電壓:5V

根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),每條線路提供±30kV(接觸放電)的ESD保護

根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),可承受高達6A(8/20μs)的峰值脈沖電流

低電容:CI/O-GND=0.65pF(典型值,Vcc=浮動狀態(tài));CI/O-GND=0.35pF(典型值,Vcc=5V)

極低泄漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=16.5V@IPP=16A(TLP)

采用固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產(chǎn)品

筆記本電腦

關(guān)于ESD5305F 如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS72412ESD5471S-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOD-523。

中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C,WILLSEMI韋爾

ESD5311N:單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括:截止電壓:5V,根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電),根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs),低電容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏電流:IR < 1nA(典型值),低箝位電壓:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固態(tài)硅技。

     應(yīng)用領(lǐng)域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便攜式電子設(shè)備,筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護,適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護應(yīng)用。如有進一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。

WL2803E:極低壓差、500mA、CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA負(fù)載電流下,其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結(jié)構(gòu),WL2803E在整個輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA,使其成為需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本,步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護(OTP)和限流功能,以確保在錯誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性,并使用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。

    封裝與環(huán)保信息:WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝,并符合無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性

輸入電壓:2.5V~5.5V

輸出電壓:1.2V~3.3V

輸出電流:500mA

PSRR:65dB@1KHz

壓差電壓:130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲:100uV

靜態(tài)電流:150μA(典型值)

應(yīng)用領(lǐng)域

LCD電視

機頂盒(STB)

計算機和圖形卡

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

其他便攜式電子設(shè)備  

      WL2803E是一款高性能LDO,壓差低、PSRR高、靜態(tài)電流低。適用于消費電子產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,輸出電壓準(zhǔn)確穩(wěn)定。具備過熱保護和限流功能,增強可靠性。您如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WD3168E-6/TR DC-DC電源芯片 封裝:SOT-23-6L。

中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C,WILLSEMI韋爾

    WNM2030是一種N型增強型MOS場效應(yīng)晶體管,采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。

主要特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設(shè)計的高性能MOS場效應(yīng)晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進溝槽技術(shù),提供高密度和低功耗??焖匍_關(guān)操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設(shè)備,且無鉛設(shè)計滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD73131CZ

ESDA6V8AV6-6/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOT-563。中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C

    WS4508E是一款針對單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu),無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機制可以調(diào)節(jié)充電電流,以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V,而充電電流可以通過一個外部電阻進行編程。

特性:

· 可編程充電電流高達600mA

· 過溫保護

· 欠壓鎖定保護

· 自動再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動限制浪涌電流

應(yīng)用:

· 無線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍牙設(shè)備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器,適用于便攜式電子產(chǎn)品。其內(nèi)置MOSFET簡化了電路設(shè)計,降低了成本。其熱反饋機制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V,電流可編程,至高600mA,適應(yīng)不同電池和充電需求。充電結(jié)束和電源移除時,自動進入低電流和關(guān)機模式,降低功耗。采用SOT-23-5L封裝,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),適用于各種電子設(shè)備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C

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