WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管（MOSFET）。它采用先進的溝槽技術和設計，具有出色的RDS(ON)（導通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產出量的應用中表現出色，尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導電電阻，這有助于在電子設備中實現高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用，這些應用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現代電子產品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設計，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設備的驅動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現對電流的精確調節(jié)，從而實現對電機等設備的控制。

  安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 WS4603E-5/TR 功率電子開關 封裝：TSOT-25。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5344D

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應晶體管，專為高效率的電源管理應用而設計。其采用的先進溝槽技術使得該晶體管在導通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應柵極驅動信號，進一步提高了開關速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉換器，其中高效率的電源開關是至關重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽能充電器，以確保能量的有效轉換和利用。作為一款標準產品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴格的市場中具有廣的適用性?？傊琖NM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應用。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ABRL0-4/TRWL2803E12-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。

ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別針對連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標準產品，無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括：截止電壓：5V，根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電），根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs），低電容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏電流：IR < 1nA（典型值），低箝位電壓：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固態(tài)硅技。

     應用領域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便攜式電子設備，筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數據接口提供了出色的靜電放電保護，適用于高數據傳輸和嚴格ESD防護應用。如有進一步問題或需求，請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產品和服務。

ESD56151Wxx：電源保護新選擇

     ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器，是為現代電子設備中的電源接口設計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V，有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標準，為電路提供強大的浪涌保護，同時遵循IEC61000-4-2標準，提供±30kV的ESD保護。 

     ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設計，能迅速將電壓限制在安全范圍內，減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性，確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 

     這款ESD適用于各種需要電源保護和管理的應用場景，如便攜式電子設備、通信設備、醫(yī)療設備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。它能從各方面保護電源接口，提高設備穩(wěn)定性和可靠性，延長使用壽命，降低維修和更換成本。 

     安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持，請隨時聯(lián)系我們。 ESD56151W05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-323。

WS4612：60mΩ電流限制型電源分配開關

產品描述

    WS4612是一款具有高側開關和極低導通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。此外，WS4612還集成了反向保護功能，當設備關閉時，可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性

· 輸入電壓范圍：2.5-5.5V

· 主開關RON：60mΩ@VIN=5.0V

· 電流限制精度：±15%

· 調整電流限制范圍：0.1A-2.5A（典型值）

· 典型上升時間：600μS

· 靜態(tài)供電電流：26μA

· 欠壓鎖定

· 自動放電

· 反向阻斷（無“體二極管”）

· 過溫保護

應用領域

· USB外設

· USB Dongle

· USB 3G數據卡

· 3.3V或5V電源開關

· 3.3V或5V電源分配

     WS4612是功能豐富的電源分配開關，專為現代電子設備電源管理和保護設計。極低導通電阻和集成電流限制功能，應對高電容負載和短路情況。反向保護和自動放電功能增強安全性。適用于USB外設、數據卡和電源分配，確保設備穩(wěn)定運行。緊湊封裝，環(huán)保無鉛無鹵素設計，易集成。詳情查閱數據手冊或聯(lián)系我們。 ESD54211N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：WBFBP-02C-C。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4672D

ESD54151N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5344D

    WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開關，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設備和消費電子產品中切換高速USB2.0信號而設計，如手機、數碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離，并與各種標準兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每個開關都是雙向的，對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號（480Mbps）并保持信號完整性。

特性：

D+/D-上的特殊電路設計，使設備能夠承受VBUS短路到D+或D-，無論USB設備是關閉還是開啟。

SEL/OE引腳具有過壓保護，允許電壓高于VCC，高達7.0V存在于引腳上，而不會損壞或中斷部件的操作，無論工作電壓如何。

還具有智能電路，用于至小化VCC泄漏電流，即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話說，在實際應用中，無需額外設備將SEL/OE電平與VCC電平相同。

應用：

· 手機

· MID（移動設備）

· 路由器

· 其他電子設備

    WAS7227Q是專為高速USB2.0設計的穩(wěn)定、高效CMOS開關，適用于手持和消費電子產品，確保數據傳輸順暢。獨特電路和過壓保護增強其可靠性，環(huán)保封裝易集成。是高速數據傳輸的理想選擇。詳情請查數據手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5344D