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規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WL2808E

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-04-01

    WS3222是一款具有可調(diào)OVLO(過(guò)壓鎖定)閾值電壓的過(guò)壓保護(hù)(OVP)負(fù)載開(kāi)關(guān)。當(dāng)輸入電壓超過(guò)閾值時(shí),該設(shè)備將關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開(kāi)輸入到輸出的連接,以保護(hù)負(fù)載。當(dāng)OVLO輸入設(shè)定低于外部OVLO選擇電壓時(shí),WS3222會(huì)自動(dòng)選擇內(nèi)部固定的OVLO閾值電壓。過(guò)壓保護(hù)閾值電壓可以通過(guò)外部電阻分壓器進(jìn)行調(diào)整,OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過(guò)熱保護(hù)(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度,以保護(hù)設(shè)備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

特點(diǎn):

· 輸入電壓:29V

· 導(dǎo)通電阻:45mΩ(典型值)

· 超快OVP響應(yīng)時(shí)間:450ns(典型值)

· 可調(diào)OVLO

· 閾值電壓:4V~15V

應(yīng)用:

· 手機(jī)和平板電腦

· 便攜式媒體播放器

· STB、OTT(機(jī)頂盒、互聯(lián)網(wǎng)電視)

· 汽車DVR、汽車媒體系統(tǒng)外設(shè)

    WS3222是專為現(xiàn)代便攜設(shè)備設(shè)計(jì)的靈活高效過(guò)壓保護(hù)開(kāi)關(guān)。其特色在于可調(diào)OVLO閾值,為不同應(yīng)用提供定制化保護(hù)。超快450納秒OVP響應(yīng)時(shí)間確保負(fù)載在瞬間過(guò)壓下得到保護(hù)。低導(dǎo)通電阻減少正常功耗。集成OTP功能增強(qiáng)可靠性。緊湊封裝適合空間受限應(yīng)用,符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更多信息,請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 SPD9105W-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOD-323。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WL2808E

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WL2815低功耗CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)

產(chǎn)品描述:

     WL2815系列是一款低壓差線性穩(wěn)壓器,專為電池供電系統(tǒng)提供高性能解決方案,以實(shí)現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設(shè)計(jì)用于使用低成本陶瓷電容器,確保輸出電流的穩(wěn)定性,提高效率,從而延長(zhǎng)這些便攜式設(shè)備的電池壽命。WL2815穩(wěn)壓器采用DFN1x1-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性:

靜態(tài)電流:1.5μA(典型值)

輸入電壓:2.1V~5.5V

輸出電壓:1.1V~3.3V

輸出電流:@VOUT=3.3V時(shí)為300mA

輸出電流:@VOUT=2.0V時(shí)為200mA

輸出電流:@VOUT=1.5V時(shí)為150mA

壓差電壓:@100mA時(shí)為100mV

推薦電容器:1uF或更大

工作溫度:-40°C至+85°C

輸出短路保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

MP3/MP4播放器

手機(jī)

藍(lán)牙耳機(jī)

無(wú)線鼠標(biāo)

其他電子設(shè)備

    WL2815是專為便攜式設(shè)備設(shè)計(jì)的低功耗CMOS穩(wěn)壓器,性能優(yōu)異,低靜態(tài)電流,高效能,延長(zhǎng)電池壽命。優(yōu)化設(shè)計(jì),使用低成本陶瓷電容器,在多種應(yīng)用中提供穩(wěn)定輸出。適用于MP3/MP4播放器、手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)等。緊湊封裝,符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N06WAS3157B-6/TR 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 封裝:SOT-363。

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ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過(guò)度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性:

· 截止電壓:±3.3VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過(guò)應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無(wú)鉛和無(wú)鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對(duì)無(wú)鉛和無(wú)鹵素有需求的場(chǎng)合。

特性:

· 截止電壓:±3.3V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),提供±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),提供40A(5/50ns)的EFT保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),提供10A(8/20μs)的浪涌保護(hù)

· 電容:典型值為17.5pF

· 低泄漏電流:典型值為1nA

· 低鉗位電壓:在脈沖電流為16A(TLP)時(shí),典型值為8V。

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用:

· 手機(jī)

· 計(jì)算機(jī)和外設(shè):為計(jì)算機(jī)主板、顯示器、鍵盤(pán)等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護(hù)電子元件免受靜電、電氣瞬變等過(guò)應(yīng)力而設(shè)計(jì)的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護(hù)出色,封裝緊湊,環(huán)保特性強(qiáng),廣泛應(yīng)用于手機(jī)、計(jì)算機(jī)和便攜式設(shè)備,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細(xì)信息,請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WH251E-3/TR 霍爾傳感器 封裝:TSOT-23-3L。

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WNM6001:?jiǎn)蜰溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述:

     WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性:

· 槽型技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的ON電阻,適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓


應(yīng)用領(lǐng)域:

· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器

· DC-DC轉(zhuǎn)換器

· 電路電源開(kāi)關(guān)

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)充電

       WNM6001是一款采用先進(jìn)槽型技術(shù)的N溝道MOSFET,專為高效能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路的理想選擇。此外,WNM6001的超高密度單元設(shè)計(jì)和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運(yùn)行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。無(wú)論是驅(qū)動(dòng)繼電器、電磁閥還是電機(jī),或是為L(zhǎng)ED供電,WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 SPD8811B-2/TR 半導(dǎo)體放電管(TSS) 封裝:SMB。中文資料WILLSEMI韋爾SPD81152A

WS7802DE-6/TR 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 封裝:DFN-6L(1.1x0.7)。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WL2808E

     ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過(guò)應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5451X可提供高達(dá)±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)8A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛、無(wú)鹵素。

特點(diǎn):

· 反向截止電壓:±5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±30kV(接觸和空氣放電)

· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

· IEC61000-4-5(浪涌):8A(8/20μs)

· 電容:CJ=17.5pFtyp

· 低漏電流:IR<1nAtyp

· 低鉗位電壓:VCL=9Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)


應(yīng)用:

· 手機(jī)

· 平板

· 電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設(shè)備

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5451X是高性能瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過(guò)應(yīng)力影響。適用于手機(jī)、平板、筆記本等便攜式設(shè)備,雙向保護(hù),應(yīng)對(duì)極端電氣環(huán)境。低漏電流、低鉗位電壓,不影響設(shè)備正常工作。固態(tài)硅技術(shù),穩(wěn)定可靠。各方面保護(hù)現(xiàn)代電子設(shè)備,消費(fèi)者和制造商的理想選擇。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WL2808E

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