WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關，專為總線切換或音頻切換應用設計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過壓保護功能，允許引腳上的電壓超過VCC，至高可達7.0V，而不會損壞部件或影響其操作，無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之，在實際應用中，無需額外的設備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標準的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

特性：

· 電源電壓：1.5~5.5V

· 導通電阻：在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB

· 帶寬：在CL=5pF時為400MHz

· 斷開隔離度：在10MHz時為-69dB

· 低靜態(tài)電流：<1uA

· 先斷后合功能ESD保護：HBM為±8000V，MM為±600V

應用領域：

· 手機

· MID（移動互聯(lián)網(wǎng)設備）

· 其他便攜式設備

    WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設備。其優(yōu)異的性能和多種保護功能使其成為現(xiàn)代電子設備中的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5431Z-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN0603-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WCR380N65TG

WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的槽型技術和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 槽型技術

· 超高密度單元設計

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器

· DC-DC轉換器

· 電路電源開關

· 負載開關充電

       WNM6001是一款采用先進槽型技術的N溝道MOSFET，專為高效能應用而設計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。無論是驅動繼電器、電磁閥還是電機，或是為LED供電，WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WCR380N65TGESD9X5VU-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。

    WS4601是一款具有極低導通電阻的P-MOSFET高側開關。集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。WS4601還集成了反向保護功能，當設備關閉時，可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4601采用SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品是無鉛且無鹵素的。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5~5.5V

· 主開關RON：80mΩ@VIN=5V

· 持續(xù)輸出電流：1.0A

· 電流限制閾值：1.5A（典型值）

· 電流限制精度：±20%

· 輸出短路電流：0.7A（典型值）

· 自動放電反向阻斷（無“體二極管”）

· 過溫保護

應用：

· USB外設USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關

· 3.3V或5V電源分配

    WS4601是一款專為現(xiàn)代電子設備設計的高性能高側開關。其極低導通電阻的P-MOSFET結構使其在處理大電流時高效且節(jié)能。集成的電流限制功能保護電源免受過大電流損害，確保系統(tǒng)穩(wěn)定可靠。自動放電功能和反向保護功能進一步增強系統(tǒng)安全性。適用于USB外設、USB Dongle等需要高效電源管理的場合。無論3.3V還是5V系統(tǒng)，WS4601都提供出色的性能和保護機制，確保設備正常運行。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

     ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5451X可提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達8A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。

特點：

· 反向截止電壓：±5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）

· 電容：CJ=17.5pFtyp

· 低漏電流：IR<1nAtyp

· 低鉗位電壓：VCL=9Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用：

· 手機

· 平板

· 電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設備

· 網(wǎng)絡通信設備

     ESD5451X是高性能瞬態(tài)電壓抑制器，保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力影響。適用于手機、平板、筆記本等便攜式設備，雙向保護，應對極端電氣環(huán)境。低漏電流、低鉗位電壓，不影響設備正常工作。固態(tài)硅技術，穩(wěn)定可靠。各方面保護現(xiàn)代電子設備，消費者和制造商的理想選擇。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WNM6001-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉換器

產(chǎn)品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉換器WD3133采用脈沖寬度調制（PWM）模式，固定開關頻率為1.2MHz，以減少輸出紋波并提高轉換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下，轉換器進入跳過模式，以在絕大部分的負載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度參考電壓1.2MHz開關頻率

高達93%的效率

超過1A（至小值）的功率開關電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內(nèi)置軟啟動

應用領域：

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

平板電腦（PADs）

      WD3133是專為便攜式設備設計的高效升壓轉換器，1.2MHz開關頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景，如智能手機、平板電腦和游戲機等。其軟啟動電路和電流限制功能增強了安全性和可靠性，是電源管理的理想選擇。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 RB520S30-2/TR 肖特基二極管 封裝：SOD-523。中文資料WILLSEMI韋爾WS4696E

ESD5451Z-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN0603-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WCR380N65TG

ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標準產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電），根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs），低電容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏電流：IR < 1nA（典型值），低箝位電壓：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固態(tài)硅技。

     應用領域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便攜式電子設備，筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護，適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴格ESD防護應用。如有進一步問題或需求，請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。 中文資料WILLSEMI韋爾WCR380N65TG