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中文資料WILLSEMI韋爾ESD5311X

來源: 發(fā)布時間:2024-03-30

WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5641D12-3/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN-3L(2x2)。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5311X

中文資料WILLSEMI韋爾ESD5311X,WILLSEMI韋爾

      WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性:

溝槽技術(shù)

超高密度單元設(shè)計(jì)

優(yōu)異的ON電阻,適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應(yīng)用:

繼電器、螺線管、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器

DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

電源開關(guān)

負(fù)載開關(guān)

充電應(yīng)用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET,采用先進(jìn)溝槽技術(shù),具有低RDS(ON)和低柵極電荷,適用于高效、高可靠性電力管理應(yīng)用??沙惺?5A直流電流,極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝,無鉛無鹵素,環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān),驅(qū)動繼電器、電機(jī)等應(yīng)用。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5431ZLWD1502F-6/TR DC-DC電源芯片 封裝:TSOT-23-6L。

中文資料WILLSEMI韋爾ESD5311X,WILLSEMI韋爾

    ESD5641DXX是一款專為保護(hù)電源接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計(jì),采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護(hù)USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

技術(shù)特性:

· 反向截止電壓:7.5V~15V

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)8/20μs

· 根據(jù)IEC61643-321標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 電源保護(hù)

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護(hù)能力和低鉗位電壓,為電源接口提供了可靠的防護(hù)。特別適合用于USB端口保護(hù),其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇。無論是在電源保護(hù)還是電源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WS4612:60mΩ電流限制型電源分配開關(guān)

產(chǎn)品描述

    WS4612是一款具有高側(cè)開關(guān)和極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護(hù)電源。此外,WS4612還集成了反向保護(hù)功能,當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時,可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 輸入電壓范圍:2.5-5.5V

· 主開關(guān)RON:60mΩ@VIN=5.0V

· 電流限制精度:±15%

· 調(diào)整電流限制范圍:0.1A-2.5A(典型值)

· 典型上升時間:600μS

· 靜態(tài)供電電流:26μA

· 欠壓鎖定

· 自動放電

· 反向阻斷(無“體二極管”)

· 過溫保護(hù)


應(yīng)用領(lǐng)域

· USB外設(shè)

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

     WS4612是功能豐富的電源分配開關(guān),專為現(xiàn)代電子設(shè)備電源管理和保護(hù)設(shè)計(jì)。極低導(dǎo)通電阻和集成電流限制功能,應(yīng)對高電容負(fù)載和短路情況。反向保護(hù)和自動放電功能增強(qiáng)安全性。適用于USB外設(shè)、數(shù)據(jù)卡和電源分配,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。緊湊封裝,環(huán)保無鉛無鹵素設(shè)計(jì),易集成。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD56151W05-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOD-323。

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ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力影響。

      包含一對低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性:

 1、截止電壓:5V

 2、根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)

 3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

 4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

 5、低電容:CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流:IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術(shù)支持,請隨時聯(lián)系我們。 ESD5451N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3018A

ESD5311N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:X1-DFN1006-2。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5311X

ESD56151Wxx:電源保護(hù)新選擇

     ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器,是為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源接口設(shè)計(jì)。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V,有效保護(hù)電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),為電路提供強(qiáng)大的浪涌保護(hù),同時遵循IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),提供±30kV的ESD保護(hù)。 

     ESD56151Wxx的特點(diǎn)在于其低鉗位電壓設(shè)計(jì),能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi),減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術(shù)確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性,確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 

     這款ESD適用于各種需要電源保護(hù)和管理的應(yīng)用場景,如便攜式電子設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。它能從各方面保護(hù)電源接口,提高設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性,延長使用壽命,降低維修和更換成本。 

     安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術(shù)支持,請隨時聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5311X

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