ESD5431Z-2/TR:電子設備的瞬態(tài)電壓守護神
ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設計。其獨特的雙向保護機制,確保在數(shù)據(jù)線和控制線受到過應力時,能夠迅速抑制電壓波動,保護敏感電子元件免受損壞。
這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態(tài)保護能力,根據(jù)IEC61000-4-2標準,它能承受高達±30kV的接觸放電,確保在極端情況下仍能有效保護電路,能夠承受高達40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設計使得集成更為便捷,同時無鉛和不含鹵素的標準也符合環(huán)保要求。
無論是手機、計算機還是微處理器,它都能為這些設備提供堅實的電壓保護,確保它們在各種惡劣環(huán)境下都能穩(wěn)定運行。應用在工業(yè)、醫(yī)療還是消費電子領域等。
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WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET
產(chǎn)品描述:
WNMD2171是一款雙N溝道增強型MOSFET場效應晶體管。這款MOSFET的特殊設計使得在電路板上連接其漏極變得不必要,因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進的溝槽技術和設計,提供了出色的導通電阻(RSS(ON))和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護電路而設計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標準產(chǎn)品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 出色的導通電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域:
· 鋰離子電池保護電路
WNMD2171是一款采用先進技術的雙N溝道MOSFET,特別適用于鋰離子電池保護電路。其內(nèi)部連接的漏極設計簡化了電路布局,而優(yōu)異的導通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。此外,其無鉛和無鹵素的特點也符合現(xiàn)代環(huán)保標準。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM2065AWAS3157B-6/TR 模擬開關/多路復用器 封裝:SOT-363。
ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子組件提供高水平的保護。它被設計用于替代多層變阻器(MLV),并廣泛應用于消費設備,如手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、LCD電視等。
特性:
· 極低電容:CJ=0.5pFtyp
· 極低漏電流:IR<1nAtyp
· 低箝位電壓:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術
· 根據(jù)IEC61000-4-2標準,每條線提供±20kV(接觸和空氣放電)的瞬態(tài)保護
· 根據(jù)IEC61000-4-4標準,提供40A(5/50ns)的EFT保護
· 根據(jù)IEC61000-4-5標準,可承受4A(8/20μs)的浪涌電流
應用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便攜式電子產(chǎn)品
· 筆記本電腦
ESD9X5VU采用了一對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護,使其免受靜電放電的損害。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比,ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流,以及更低的箝位電壓,從而提供了更好的性能。此外,其固態(tài)硅技術確保了高效、可靠的電源保護。無論是用于USB、HDMI、SATA還是其他接口,ESD9X5VU都能為現(xiàn)代電子設備提供堅實的ESD防護屏障。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。
ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過應力影響。ESD5311X包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD5311X可提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準,能承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝,為標準無鉛且無鹵素產(chǎn)品。
主要特性:
截止電壓:5V
根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)
根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)
極低電容:CJ=0.25pF(典型值)
極低漏電流:IR<1nA(典型值)
低鉗位電壓:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術
應用領域:
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便攜式電子設備
筆記本電腦
ESD5311X是一款專為高速數(shù)據(jù)接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器,可承受高達±20kV的靜電放電和4A的峰值脈沖電流,保護電子組件免受損害。適用于USB、HDMI、SATA等接口,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。緊湊、環(huán)保,廣泛應用于便攜式設備和筆記本電腦。如需更多信息,請查閱手冊或聯(lián)系我們。 ESDA6V8AV6-6/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOT-563。
WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET
產(chǎn)品描述
WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 出色的導通電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域:
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 電源轉(zhuǎn)換器電路
· 便攜式設備的負載/電源切換
WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術和高密度單元設計使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關和充電電路等應用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設備負載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WPM3021-8/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOP-8。中文資料WILLSEMI韋爾ESD73211N
WL2810D33-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:XDFN-4-EP(1x1)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56181W12
ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設計,采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
技術特性:
· 反向截止電壓:7.5V~15V
· 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs
· 根據(jù)IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs
· 低鉗位電壓
· 固態(tài)硅技術
應用領域:
· 電源保護
· 電源管理
ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓,為電源接口提供了可靠的防護。特別適合用于USB端口保護,其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇。無論是在電源保護還是電源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56181W12