WPM1483是一個(gè)單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性：

溝槽技術(shù)

超高密度單元設(shè)計(jì)

優(yōu)異的ON電阻，適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應(yīng)用：

繼電器、螺線管、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器

DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

電源開關(guān)

負(fù)載開關(guān)

充電應(yīng)用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET，采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，具有低RDS(ON)和低柵極電荷，適用于高效、高可靠性電力管理應(yīng)用?？沙惺?5A直流電流，極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝，無鉛無鹵素，環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)，驅(qū)動繼電器、電機(jī)等應(yīng)用。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WL2803E30-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD53101N

ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力影響。

      包含一對低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

 1、截止電壓：5V

 2、根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低電容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流：IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術(shù)支持，請隨時(shí)聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2831DWS74199B-6/TR 電流感應(yīng)放大器 封裝：SOT-363。

    WPM3407是一款使用先進(jìn)溝槽技術(shù)制成的器件，其特點(diǎn)是在低門極電荷下提供出色的RDS(ON)。這種器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

特點(diǎn)：

    RDS(ON)出色：RDS(ON)是指器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，3407通過先進(jìn)的溝槽技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低RDS(ON)，這意味著在器件導(dǎo)通時(shí)，其電阻較小，從而減小了能量損失。低門極電荷：門極電荷是描述開關(guān)器件從關(guān)閉到打開或從打開到關(guān)閉所需電荷量的參數(shù)。3407的低門極電荷可以更快地開關(guān)，從而減少開關(guān)損耗。無鉛：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛產(chǎn)品有需求的場合。

應(yīng)用：

    筆記本電腦的電源管理：3407可以用于筆記本電腦中的DC-DC轉(zhuǎn)換器，以提供穩(wěn)定的電源。

    便攜式設(shè)備：由于它的快速開關(guān)和低能量損失，3407也適用于各種便攜式設(shè)備，如智能手機(jī)、平板電腦等。

    電池供電系統(tǒng)：在電池供電的應(yīng)用中，減少能量損失和延長電池壽命是非常重要的，3407的出色RDS(ON)和低門極電荷特性使其成為電池供電系統(tǒng)的理想選擇。

    DC/DC轉(zhuǎn)換器：這是3407的主要應(yīng)用之一，用于將一種直流電壓轉(zhuǎn)換為另一種直流電壓。

    負(fù)載開關(guān)：3407可以用于控制電路的通斷，實(shí)現(xiàn)負(fù)載開關(guān)的功能。

    如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子組件提供高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代多層變阻器（MLV），并廣泛應(yīng)用于消費(fèi)設(shè)備，如手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、LCD電視等。

特性：

· 極低電容：CJ=0.5pFtyp

· 極低漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，每條線提供±20kV（接觸和空氣放電）的瞬態(tài)保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)，提供40A（5/50ns）的EFT保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，可承受4A（8/20μs）的浪涌電流

應(yīng)用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

     ESD9X5VU采用了一對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護(hù)，使其免受靜電放電的損害。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比，ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流，以及更低的箝位電壓，從而提供了更好的性能。此外，其固態(tài)硅技術(shù)確保了高效、可靠的電源保護(hù)。無論是用于USB、HDMI、SATA還是其他接口，ESD9X5VU都能為現(xiàn)代電子設(shè)備提供堅(jiān)實(shí)的ESD防護(hù)屏障。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD9B5VDA-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOD-923。

RB521C30：肖特基勢壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產(chǎn)品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點(diǎn)，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關(guān)閉或待機(jī)狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用，如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域：

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中，它能夠?qū)⒔涣餍盘栟D(zhuǎn)換為直流信號，這對于許多電子設(shè)備來說都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設(shè)備或需要長時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WPM2015-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3。中文資料WILLSEMI韋爾WL2862K

WL2836E08-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD53101N

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：±3.3VMax

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護(hù)：±10kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：5.5A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害，適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備，緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD53101N