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中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D05

來源: 發(fā)布時間:2024-03-21

      WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性:

溝槽技術(shù)

超高密度單元設(shè)計

優(yōu)異的ON電阻,適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應(yīng)用:

繼電器、螺線管、電機、LED等的驅(qū)動器

DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

電源開關(guān)

負載開關(guān)

充電應(yīng)用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET,采用先進溝槽技術(shù),具有低RDS(ON)和低柵極電荷,適用于高效、高可靠性電力管理應(yīng)用。可承受-5A直流電流,極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝,無鉛無鹵素,環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān),驅(qū)動繼電器、電機等應(yīng)用。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WNM2016A-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23-3。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D05

中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D05,WILLSEMI韋爾

     ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設(shè)計用于替代消費設(shè)備中的多層變阻器(MLV),適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。

特性:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)為每條線路提供瞬態(tài)保護:±20kV(接觸和空氣放電)

· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

· IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=1.2pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應(yīng)迅速,避免噪聲和干擾,高可靠且適用于便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5445DESD5311N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:X1-DFN1006-2。

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ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止因靜電放電(ESD)而產(chǎn)生的過應(yīng)力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD5311Z可用于提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓:5V

每條線路根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標準進行瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)

根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)標準進行瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)

根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)標準進行瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.25pF(典型值)

極低漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)


應(yīng)用領(lǐng)域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計,極低電容,出色保護,防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口,保護敏感組件。緊湊封裝,適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。

WPM3401:單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應(yīng)晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負載開關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNM3008-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23。

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ESD5305F:四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器

      產(chǎn)品描述:ESD5305F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)引起的過應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管,以提供各方面的瞬態(tài)保護。封裝與環(huán)保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封裝,滿足無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性:

反向截止電壓:5V

根據(jù)IEC61000-4-2標準,每條線路提供±30kV(接觸放電)的ESD保護

根據(jù)IEC61000-4-5標準,可承受高達6A(8/20μs)的峰值脈沖電流

低電容:CI/O-GND=0.65pF(典型值,Vcc=浮動狀態(tài));CI/O-GND=0.35pF(典型值,Vcc=5V)

極低泄漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=16.5V@IPP=16A(TLP)

采用固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產(chǎn)品

筆記本電腦

關(guān)于ESD5305F 如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WD3139F-6/TR LED驅(qū)動 封裝:TSOT-23-6。規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD82362B

WNM2046-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:DFN-3L(1x0.6)。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D05

WL2805N33-3/TR:高效且可靠的瞬態(tài)電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓的侵害而設(shè)計。在現(xiàn)代電子設(shè)備中,由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態(tài)事件,電路中的敏感組件經(jīng)常面臨損壞的風險。而WL2805N33-3/TR的出現(xiàn),為這些設(shè)備提供了可靠的防護。  

      這款抑制器具有出色的瞬態(tài)抑制能力和低漏電流特性,能夠在瞬態(tài)事件發(fā)生時迅速響應(yīng),將電壓限制在安全范圍內(nèi),從而保護電路中的敏感組件免受損壞。

      此外,WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值,確保了信號傳輸?shù)臏蚀_性和穩(wěn)定性。 其緊湊的封裝設(shè)計使得它非常適合用于各種電子設(shè)備中,如通信設(shè)備、計算機、醫(yī)療設(shè)備和消費電子產(chǎn)品等。無論是對于工業(yè)應(yīng)用還是日常消費應(yīng)用,WL2805N33-3/TR都能提供優(yōu)異的瞬態(tài)電壓保護,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和延長使用壽命。 

      安美斯科技作為專業(yè)的電子元器件代理分銷商,致力于為客戶提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態(tài)電壓抑制器,并愿意提供樣品供您測試。如需了解更多信息或支持,請隨時聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D05

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