WNM2030是一種N型增強型MOS場效應晶體管，采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2030為無鉛產品。小型SOT-723封裝。

主要特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

   WNM2030是專為現代電子系統(tǒng)電源管理設計的高性能MOS場效應晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路中表現出色。采用先進溝槽技術，提供高密度和低功耗。快速開關操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設備，且無鉛設計滿足環(huán)保要求。WNM2030為現代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 WS72552S-8/TR 運算放大器 封裝：SOP-8。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM4153A

    WS3222是一款具有可調OVLO（過壓鎖定）閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關。當輸入電壓超過閾值時，該設備將關閉內部MOSFET，斷開輸入到輸出的連接，以保護負載。當OVLO輸入設定低于外部OVLO選擇電壓時，WS3222會自動選擇內部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調整，OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度，以保護設備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產品無鉛且無鹵素。

特點：

· 輸入電壓：29V

· 導通電阻：45mΩ（典型值）

· 超快OVP響應時間：450ns（典型值）

· 可調OVLO

· 閾值電壓：4V~15V

應用：

· 手機和平板電腦

· 便攜式媒體播放器

· STB、OTT（機頂盒、互聯(lián)網電視）

· 汽車DVR、汽車媒體系統(tǒng)外設

    WS3222是專為現代便攜設備設計的靈活高效過壓保護開關。其特色在于可調OVLO閾值，為不同應用提供定制化保護。超快450納秒OVP響應時間確保負載在瞬間過壓下得到保護。低導通電阻減少正常功耗。集成OTP功能增強可靠性。緊湊封裝適合空間受限應用，符合環(huán)保標準。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56321N09ESD56201D12-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD） 封裝：DFN1610-2。

    WS4508E是一款針對單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內部采用MOSFET架構，無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機制可以調節(jié)充電電流，以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過一個外部電阻進行編程。

特性：

· 可編程充電電流高達600mA

· 過溫保護

· 欠壓鎖定保護

· 自動再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動限制浪涌電流

應用：

· 無線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍牙設備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器，適用于便攜式電子產品。其內置MOSFET簡化了電路設計，降低了成本。其熱反饋機制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V，電流可編程，至高600mA，適應不同電池和充電需求。充電結束和電源移除時，自動進入低電流和關機模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封裝，符合無鉛標準，適用于各種電子設備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯(lián)系我們。

RB521C30：肖特基勢壘二極管

· 重復峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現出色。

    低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關閉或待機狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應用中使用，如便攜式設備和小型電路板。

應用領域：

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應用。在電路中，它能夠將交流信號轉換為直流信號，這對于許多電子設備來說都是至關重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設備或需要長時間運行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應用的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 WNM2021-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-323。

    WS4601是一款具有極低導通電阻的P-MOSFET高側開關。集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。WS4601還集成了反向保護功能，當設備關閉時，可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4601采用SOT-23-5L封裝。標準產品是無鉛且無鹵素的。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5~5.5V

· 主開關RON：80mΩ@VIN=5V

· 持續(xù)輸出電流：1.0A

· 電流限制閾值：1.5A（典型值）

· 電流限制精度：±20%

· 輸出短路電流：0.7A（典型值）

· 自動放電反向阻斷（無“體二極管”）

· 過溫保護

應用：

· USB外設USB Dongle

· USB 3G數據卡

· 3.3V或5V電源開關

· 3.3V或5V電源分配

    WS4601是一款專為現代電子設備設計的高性能高側開關。其極低導通電阻的P-MOSFET結構使其在處理大電流時高效且節(jié)能。集成的電流限制功能保護電源免受過大電流損害，確保系統(tǒng)穩(wěn)定可靠。自動放電功能和反向保護功能進一步增強系統(tǒng)安全性。適用于USB外設、USB Dongle等需要高效電源管理的場合。無論3.3V還是5V系統(tǒng)，WS4601都提供出色的性能和保護機制，確保設備正常運行。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯(lián)系我們。 ESD73011N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006。代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2866D

WNM3003-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM4153A

    WS4665是一個單通道負載開關，提供可配置的上升時間以極小化涌流。該設備包含一個N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內工作，并支持連續(xù)電流上線為6A。開關由開/關輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號接口。在WS4665中，增加了一個230Ω的片上負載電阻，用于在開關關閉時進行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

主要特性：

· 集成單通道負載開關

· 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V

· 極低導通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 連續(xù)開關上限電流為6A

· 低控制輸入閾值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯

· 可配置的上升時間

· 快速輸出放電（QOD）

· ESD性能經過JESD22測試2000VHBM和1000VCDM

應用領域：

· 超極本TM

· 筆記本電腦/上網本

· 平板電腦

· 消費電子產品

· 機頂盒/住宅網關

· 電信系統(tǒng)

    WS4665適用于多種應用場合，如超極本、筆記本電腦/上網本、平板電腦、消費電子產品、機頂盒/住宅網關以及電信系統(tǒng)等。如需更多信息或技術規(guī)格，請查閱相關數據手冊或與我們聯(lián)系。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM4153A