WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管(MOSFET)。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,具有出色的RDS(ON)(導通電阻)和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應用中表現(xiàn)出色,尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關(guān)等場景。
WPM2015xx的主要特點包括:
1:穩(wěn)定的走電電壓和出色的導電電阻,這有助于在電子設(shè)備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。
2:適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應用,這些應用需要精確控制電流和電壓。
3:采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝,符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。
4:具有超高密度電池設(shè)計,適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。
5:極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應用中也能發(fā)揮出色的性能。
在實際應用中,WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設(shè)備的驅(qū)動和控制。通過控制柵極電壓,WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調(diào)節(jié),從而實現(xiàn)對電機等設(shè)備的控制。
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持,請隨時聯(lián)系我們。 ESD56101D05-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1610-2。中文資料WILLSEMI韋爾WL28631D
ESD5451N:雙向瞬態(tài)電壓保護神
ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達8A(8/20μs),為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強大的保護
這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。
ESD5451N適用于多種應用場景,包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備,以及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性,為電子設(shè)備提供了可靠的保障。
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于ESD5451N的進一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 中文資料WILLSEMI韋爾WNMD2056WS3202E61-6/TR 過壓過電流保護IC 監(jiān)控和復位芯片 封裝:SOT-23-6L。
WS4508E是一款針對單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu),無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機制可以調(diào)節(jié)充電電流,以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V,而充電電流可以通過一個外部電阻進行編程。
特性:
· 可編程充電電流高達600mA
· 過溫保護
· 欠壓鎖定保護
· 自動再充電閾值典型值為4.05V
· 充電狀態(tài)輸出引腳
· 2.9V涓流充電閾值
· 軟啟動限制浪涌電流
應用:
· 無線電話
· MP3/MP4播放器
· 藍牙設(shè)備
WS4508E是一款鋰離子電池充電器,適用于便攜式電子產(chǎn)品。其內(nèi)置MOSFET簡化了電路設(shè)計,降低了成本。其熱反饋機制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V,電流可編程,至高600mA,適應不同電池和充電需求。充電結(jié)束和電源移除時,自動進入低電流和關(guān)機模式,降低功耗。采用SOT-23-5L封裝,符合無鉛標準,適用于各種電子設(shè)備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。
WPM3401:單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。
其主要特性包括:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度的單元設(shè)計
· 優(yōu)異的導通電阻,適用于更高的直流電流
· 小型SOT-23-3L封裝
應用領(lǐng)域包括:
· 筆記本電腦的電源管理
· 便攜式設(shè)備
· 電池供電系統(tǒng)
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 負載開關(guān)
WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應用而設(shè)計。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WSB5524D-2/TR 肖特基二極管 封裝:FBP1608-2L。
ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD5471X可用于提供高達±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性:
反向截止電壓:±5V
根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標準,每條線路的瞬態(tài)保護:±30kV(接觸和空氣放電)
IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)
電容:CJ=9pF(典型值)
低漏電流
低鉗位電壓:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術(shù)
應用領(lǐng)域:
手機
平板電腦
筆記本電腦
其他便攜式設(shè)備
網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備
ESD5471X是專為保護敏感電子組件設(shè)計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機、平板、筆記本等便攜式設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的理想保護元件。采用固態(tài)硅技術(shù),既高性能又緊湊,方便集成。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS72552S-8/TR 運算放大器 封裝:SOP-8。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNMD2188
WS742905S-8/TR 運算放大器 封裝:SOP-8。中文資料WILLSEMI韋爾WL28631D
ESD5311N:單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。
ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標準產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。
其主要特性包括:截止電壓:5V,根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電),根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs),低電容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏電流:IR < 1nA(典型值),低箝位電壓:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固態(tài)硅技。
應用領(lǐng)域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便攜式電子設(shè)備,筆記本電腦。
ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護,適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴格ESD防護應用。如有進一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 中文資料WILLSEMI韋爾WL28631D