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代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5325E

來源: 發(fā)布時間:2024-03-06

WNM6001:單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述:

     WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性:

· 槽型技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的ON電阻,適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓


應(yīng)用領(lǐng)域:

· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器

· DC-DC轉(zhuǎn)換器

· 電路電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)充電

       WNM6001是一款采用先進(jìn)槽型技術(shù)的N溝道MOSFET,專為高效能應(yīng)用而設(shè)計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外,WNM6001的超高密度單元設(shè)計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運(yùn)行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。無論是驅(qū)動繼電器、電磁閥還是電機(jī),或是為LED供電,WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS7916DE-6/TR 射頻低噪聲放大器 封裝:DFN-6(1x1.5)。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5325E

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    ESD5641DXX是一款專為保護(hù)電源接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計,采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護(hù)USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

技術(shù)特性:

· 反向截止電壓:7.5V~15V

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)8/20μs

· 根據(jù)IEC61643-321標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 電源保護(hù)

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護(hù)能力和低鉗位電壓,為電源接口提供了可靠的防護(hù)。特別適合用于USB端口保護(hù),其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇。無論是在電源保護(hù)還是電源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WSB5549NSPD8811B-2/TR 半導(dǎo)體放電管(TSS) 封裝:SMB。

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WPM3401:單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負(fù)載開關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WAS4729QB:低導(dǎo)通電阻(0.8?)雙SPDT模擬開關(guān),具有負(fù)擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述:

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲(SPDT)模擬開關(guān),具有負(fù)擺幅音頻功能,其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?(在3.6VVCC下)。該開關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作,并設(shè)計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路,即使在控制電壓低于VCC電源電壓時,也能小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機(jī)應(yīng)用,因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口,同時極大限度地減少電池消耗。換句話說,在實際應(yīng)用中,無需額外的設(shè)備來將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓:2.3V~5.5V

極低導(dǎo)通電阻:0.8?(在3.6V下)

高關(guān)斷隔離度:-81dB@1KHz

串?dāng)_抑制:-83dB@1KHz-3dB帶寬:80MHz

軌到軌信號范圍

先斷后通開關(guān)

HBM JEDEC:JESD22-A114IO至GND:±8KV

電源至GND:±5KV

應(yīng)用領(lǐng)域

手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機(jī)頂盒

音頻和視頻信號路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關(guān),專為移動設(shè)備設(shè)計,適合音頻和視頻信號路由,性能優(yōu)越可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS4518D-6/TR 電池管理 封裝:WDFN-6-EP(2x2)。

代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5325E,WILLSEMI韋爾

    WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器,具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了經(jīng)濟(jì)高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護(hù),還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。

產(chǎn)品特點(diǎn):

· 輸入電壓范圍:2.7V至5.5V

· 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V

· 輸出電流:在輸出電壓小于2V時,典型值為200mA;在輸出電壓大于2V時,典型值為300mA。

· 電源抑制比(PSRR):在217Hz時達(dá)到75dB

· 壓差電壓:在輸出電流為200mA時,壓差為170mV

· 靜態(tài)電流:典型值為70μA

· 關(guān)斷電流:小于0.1μA

· 推薦電容器:1uF

應(yīng)用領(lǐng)域:

· MP3/MP4播放器

· 手機(jī)和無線電話

· 數(shù)碼相機(jī)

· 藍(lán)牙和無線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2801E系列以其高精度、低噪聲和高效能的特點(diǎn),為現(xiàn)代便攜式設(shè)備提供了理想的電源管理解決方案。無論是手機(jī)、筆記本電腦還是MP3播放器,它都能確保設(shè)備在長時間使用中保持出色的性能和穩(wěn)定的電力供應(yīng)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5471S-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOD-523。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5325E

WD3100B-6/TR LED驅(qū)動 封裝:SC-70-6(SOT-363)。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5325E

ESD5451N:雙向瞬態(tài)電壓保護(hù)神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計。它能承受高達(dá)±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達(dá)8A(8/20μs),為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強(qiáng)大的保護(hù)

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應(yīng)用場景,包括手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備,以及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性,為電子設(shè)備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于ESD5451N的進(jìn)一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5325E

深圳安美斯科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念,先進(jìn)的管理經(jīng)驗,在發(fā)展過程中不斷完善自己,要求自己,不斷創(chuàng)新,時刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**,在業(yè)界也收獲了很多良好的評價,這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,這些評價對我們而言是比較好的前進(jìn)動力,也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同深圳安美斯科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來,創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品,我們將以更好的狀態(tài),更認(rèn)真的態(tài)度,更飽滿的精力去創(chuàng)造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長!

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