WNM2021：?jiǎn)蜰溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無(wú)鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無(wú)鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD73011N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006。中文資料WILLSEMI韋爾WL2851E

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過(guò)度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性：

· 截止電壓：±3.3VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護(hù)：±10kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WS3251DWS3222D-8/TR 功率電子開(kāi)關(guān) 封裝：WDFN-8-EP(2x2)。

    WNM2020是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無(wú)鉛且無(wú)鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時(shí)，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，進(jìn)一步提高了開(kāi)關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中高效率的電源開(kāi)關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽(yáng)能充電器，以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場(chǎng)中具有廣的適用性?？傊?，WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開(kāi)關(guān)，專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過(guò)壓保護(hù)功能，允許引腳上的電壓超過(guò)VCC，至高可達(dá)7.0V，而不會(huì)損壞部件或影響其操作，無(wú)論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)也是如此。簡(jiǎn)而言之，在實(shí)際應(yīng)用中，無(wú)需額外的設(shè)備來(lái)使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

特性：

· 電源電壓：1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻：在VCC=4.5V時(shí)為5.5Ω-3dB

· 帶寬：在CL=5pF時(shí)為400MHz

· 斷開(kāi)隔離度：在10MHz時(shí)為-69dB

· 低靜態(tài)電流：<1uA

· 先斷后合功能ESD保護(hù)：HBM為±8000V，MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機(jī)

· MID（移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強(qiáng)大且易于集成的模擬開(kāi)關(guān)解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護(hù)功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WNM6001-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23。

RB521C30：肖特基勢(shì)壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產(chǎn)品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓：肖特基勢(shì)壘二極管以其低正向電壓為特點(diǎn)，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關(guān)閉或待機(jī)狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用，如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域：

     RB521C30肖特基勢(shì)壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中，它能夠?qū)⒔涣餍盘?hào)轉(zhuǎn)換為直流信號(hào)，這對(duì)于許多電子設(shè)備來(lái)說(shuō)都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場(chǎng)合，如電池供電的設(shè)備或需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5471S-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOD-523。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD5302N

ESD5302N-3/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-3L。中文資料WILLSEMI韋爾WL2851E

     WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無(wú)鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開(kāi)關(guān)

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件，專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計(jì)，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計(jì)使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時(shí)，極低的閾值電壓保證了快速的開(kāi)關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WL2851E

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