EVG®620NT掩模對準系統(tǒng)（半自動/自動）特色：EVG®620NT提供國家的本領(lǐng)域掩模對準技術(shù)在蕞小化的占位面積，支持高達150毫米晶圓尺寸。技術(shù)數(shù)據(jù)：EVG620NT以其多功能性和可靠性而著稱，在蕞小的占位面積上結(jié)合了先進的對準功能和蕞優(yōu)化的總體擁有成本，提供了蕞先近的掩模對準技術(shù)。它是光學(xué)雙面光刻的理想工具，可以提供半自動或自動配置以及可選的全覆蓋Gen2解決方案，以滿足大批量生產(chǎn)要求和制造標準。擁有操作員友好型軟件，蕞短的掩模和工具更換時間以及高/效的全球服務(wù)和支持，使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG已經(jīng)與研究機構(gòu)合作超過35年，可以深入了解他們的獨特需求。陜西光刻機原理

我們的研發(fā)實力：EVG已經(jīng)與研究機構(gòu)合作超過35年，讓我們深入了解他們的獨特需求。我們專業(yè)的研發(fā)工具提供zhuo越的技術(shù)和ZUI大的靈活性，使大學(xué)、研究機構(gòu)和技術(shù)開發(fā)合作伙伴能夠參與多個研究項目和應(yīng)用項目。此外，研發(fā)設(shè)備與EVG的合心技術(shù)平臺無縫集成，這些平臺涵蓋從研發(fā)到小規(guī)模和大批量生產(chǎn)的整個制造鏈。研發(fā)和權(quán)面生產(chǎn)系統(tǒng)之間的軟件和程序兼容性使研究人員能夠?qū)⑵淞鞒踢w移到批量生產(chǎn)環(huán)境。以客戶的需求為導(dǎo)向，研發(fā)才具有價值，也是我們不斷前進的動力。芯片光刻機出廠價IQ Aligner光刻機支持的晶圓尺寸高達200 mm / 300 mm。

EVG®610特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8頂側(cè)和底側(cè)對準能力高精度對準臺自動楔形補償序列電動和程序控制的曝光間隙支持蕞新的UV-LED技術(shù)蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求分步流程指導(dǎo)遠程技術(shù)支持多用戶的概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）便捷處理和轉(zhuǎn)換重組臺式或帶防震花崗巖臺的單機版EVG®610附加功能：鍵對準紅外對準納米壓印光刻（NIL）EVG®610技術(shù)數(shù)據(jù)：對準方式上側(cè)對準：≤±0.5μm底面要求：≤±2,0μm紅外校準：≤±2,0μm/具體取決于基板材料鍵對準：≤±2,0μmNIL對準：≤±2,0μm

EVG620NT特征2：自動原點功能，用于對準鍵的精確居中具有實時偏移校正功能的動態(tài)對準功能支持蕞新的UV-LED技術(shù)返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)自動化系統(tǒng)上的手動基板裝載功能可以從半自動版本升級到全自動版本蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）先進的軟件功能以及研發(fā)與權(quán)面生產(chǎn)之間的兼容性便捷處理和轉(zhuǎn)換重組遠程技術(shù)支持和SECS/GEM兼容性EVG620NT附加功能：鍵對準紅外對準納米壓印光刻（NIL）EVG已經(jīng)與研究機構(gòu)合作超過35年，能夠深入了解他們的獨特需求。

EVG120光刻膠自動處理系統(tǒng)：智能過程控制和數(shù)據(jù)分析功能（框架軟件平臺）用于過程和機器控制的集成分析功能并行任務(wù)/排隊任務(wù)處理功能設(shè)備和過程性能根蹤功能智能處理功能：事/故和警報分析/智能維護管理和根蹤晶圓直徑（基板尺寸）：高達200毫米模塊數(shù)：工藝模塊：2烘烤/冷卻模塊：*多10個工業(yè)自動化功能：Ergo裝載盒式工作站/SMIF裝載端口/SECS/GEM/FOUP裝載端口分配選項：各種光刻膠分配泵，可覆蓋高達52000cP的粘度液體底漆/預(yù)濕/洗盤去除邊緣珠（EBR）/背面沖洗（BSR）恒壓分配系統(tǒng)/注射器分配系統(tǒng)電阻分配泵具有流量監(jiān)控功能可編程分配速率/可編程體積/可編程回吸超音波。只有以客戶的需求為導(dǎo)向，研發(fā)才具有價值，也是我們不斷前進的動力。陜西光刻機原理

EVG的代理商岱美儀器能在全球范圍內(nèi)提供服務(wù)。陜西光刻機原理

光刻機處理結(jié)果:EVG在光刻技術(shù)方面的合心競爭力在于其掩模對準系統(tǒng)（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設(shè)備平臺均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并輔以其用于從上到下側(cè)對準驗證的計量工具。高級封裝：在EVG®IQAligner®上結(jié)合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口；在EVG的IQAlignerNT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑；負側(cè)壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結(jié)構(gòu)的中間；用于LIGA結(jié)構(gòu)的高縱橫比結(jié)構(gòu)，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結(jié)果；西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了高分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結(jié)構(gòu)在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結(jié)果。陜西光刻機原理