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碳化硅鍵合機用途是什么

來源: 發(fā)布時間:2023-05-23

表面帶有微結構硅晶圓的界面已受到極大的損傷,其表面粗糙度遠高于拋光硅片( Ra < 0. 5 nm) ,有時甚至可以達到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間,加熱至稍高于金—硅共晶點的溫度,即 363 ℃ , 金硅混合物從預鍵合的硅片中奪取硅原子,達到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài),冷卻后形成良好的鍵合[12,13]。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質對于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質的硅晶圓完成鍵合,達到既定的鍵合質量成為研究重點。在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。碳化硅鍵合機用途是什么

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EVG®810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術數據 EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔獨力單元。處理室允許進行異位處理(晶圓被一一基活并結合在等離子體基活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(熔融/分子和中間層粘結) 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學 無需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結強度 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)江蘇鍵合機摩擦學應用EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊,用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。

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GEMINI ® FB自動化生產晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現高精度對準和熔融 特色 技術數據 半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴展了當前標準,并結合了更高的生產率,更高的對準度和覆蓋精度,適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準器,該鍵合對準器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。

1)由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結果可以看出,該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時,解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環(huán)測試結果可以看出,該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環(huán)境,且具有工藝溫度低,容易實現圖形化,應力匹配度高等優(yōu)點。3)由破壞性試驗結果可以看出,該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高,鍵合效果不太理想,還需對工藝流程進一步優(yōu)化,對工藝參數進行改進,以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。EVG的 GEMINI系列,在ZUI小占地面積上,一樣利用EVG ZUI高精度的Smart View NT對準技術。

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在鍵合過程中,將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,使得負電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過靜電吸引將其保持在適當的位置。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,并在到達邊界時與硅反應,形成二氧化硅(SiO 2)。產生的化學鍵將兩個組件密封在一起。晶圓鍵合機系統(tǒng) EVG?520 IS,擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能;200 mm的單個或雙腔自動化系統(tǒng)。襯底鍵合機價格怎么樣

EVG鍵合機晶圓鍵合類型有:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。碳化硅鍵合機用途是什么

長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來,立即在業(yè)內掀起了市場閣命。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當今的工藝標準,EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設計功能,可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或gao級封裝的不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。碳化硅鍵合機用途是什么

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