電介質(zhì)成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有:二氧化硅 – ZUI簡單的材料之一, 主要是因?yàn)樗诖蟛糠止庾V上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學(xué)計量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對光譜反應(yīng)規(guī)范，通常被用來做厚度和折射率標(biāo)準(zhǔn)。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對此薄膜的測量比很多電介質(zhì)困難，因?yàn)楣瑁旱嚷释ǔ２皇?：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時測量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測量難度。 但是幸運(yùn)的是，我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內(nèi) “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征!F40-EXR范圍：20nm-120μm；波長：400-1700nm。高精密儀器膜厚儀輪廓測量應(yīng)用

生物醫(yī)療器械應(yīng)用中的涂層生物醫(yī)療器械的制造和準(zhǔn)備方面會用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護(hù)設(shè)備免受腐蝕，而其他的則是為了預(yù)防組織損傷、敢染或者是排異反應(yīng)。藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫(yī)學(xué)器械，如血管成型球囊，具有獨(dú)力的隔膜，必須具有均勻和固定的厚度才能正常工作。測量范例：支架是塑料或金屬制成的插入血管防止收縮的小管。很多時候，這些支架用聚合物或藥物涂層處理，以提高功能和耐腐蝕。F40配上20倍物鏡（25微米光斑），我們能夠測量沿不銹鋼支架外徑這些涂層的厚度。這個功能強(qiáng)大的儀器提供醫(yī)療器械行業(yè)快速可靠，非破壞性，無需樣品準(zhǔn)備厚度的測量。研究所膜厚儀出廠價紅外干涉測量技術(shù)，非接觸式測量。

不管是參與對顯示器的基礎(chǔ)研究還是制造，Thetametrisis都能夠提供您所需要的...測量液晶層-聚酰亞胺、硬涂層、液晶、間隙測量有機(jī)發(fā)光二極管層-發(fā)光、電注入、緩沖墊、封裝對于空白樣品，我們建議使用FR-Scanner系列儀器。對于圖案片，Thetametrisis的FR-Scanner用于測量薄膜厚度已經(jīng)找到了顯示器應(yīng)用廣范使用。測量范例此案例中，我們成功地測量了藍(lán)寶石和硼硅玻璃基底上銦錫氧化物薄膜厚度，可以很容易地在380納米到1700納米內(nèi)同時測量透射率和反射率以確定厚度，折射率，消光系數(shù)。由于ITO薄膜在各種基底上不同尋常的的擴(kuò)散，這個擴(kuò)展的波長范圍是必要的。

生物醫(yī)療設(shè)備涂層應(yīng)用生物醫(yī)療器械應(yīng)用中的涂層生物醫(yī)療器械的制造和準(zhǔn)備方面會用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護(hù)設(shè)備免受腐蝕，而其他的則是為了預(yù)防組織損傷、敢染或者是排異反應(yīng)。藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫(yī)學(xué)器械，如血管成型球囊，具有讀立的隔膜，必須具有均勻和固定的厚度才能正常工作。這些涂層厚度的測量方法各不相同，但有一件事是確定的。使用普通方法(例如，在涂層前后稱某一部分的重量)，無法檢測到會導(dǎo)致器械故障的涂層不完全覆蓋或涂層的不均勻。F40-UV范圍：4nm-40μm，波長：190-1100nm。

F30系列監(jiān)控薄膜沉積，蕞強(qiáng)有力的工具F30光譜反射率系統(tǒng)能實(shí)時測量沉積率、沉積層厚度、光學(xué)常數(shù)(n和k值)和半導(dǎo)體以及電介質(zhì)層的均勻性。樣品層分子束外延和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積:可以測量平滑和半透明的，或輕度吸收的薄膜。這實(shí)際上包括從氮化鎵鋁到鎵銦磷砷的任何半導(dǎo)體材料。各項優(yōu)點(diǎn):極大地提高生產(chǎn)力低成本—幾個月就能收回成本A精確—測量精度高于±1%快速—幾秒鐘完成測量非侵入式—完全在沉積室以外進(jìn)行測試易于使用—直觀的Windows?軟件幾分鐘就能準(zhǔn)備好的系統(tǒng)型號厚度范圍*波長范圍F30:15nm-70μm380-1050nmF30-EXR:15nm-250μm380-1700nmF30-NIR:100nm-250μm950-1700nmF30-UV:3nm-40μm190-1100nmF30-UVX:3nm-250μm190-1700nmF30-XT:0.2μm-450μm1440-1690nmF20-EXR測厚范圍：15nm - 250μm；波長：380-1700nm。碳化硅膜厚儀用途

幾乎任何形狀的樣品厚度和折射率的自動測繪。人工加載或機(jī)器人加載均可。高精密儀器膜厚儀輪廓測量應(yīng)用

集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進(jìn)行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當(dāng)關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設(shè)計的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米，同時具有單點(diǎn)和多點(diǎn)測繪的版本可供選擇。測量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度高精密儀器膜厚儀輪廓測量應(yīng)用

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司是我國半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀專業(yè)化較早的其他有限責(zé)任公司之一，公司始建于2002-02-07，在全國各個地區(qū)建立了良好的商貿(mào)渠道和技術(shù)協(xié)作關(guān)系。公司承擔(dān)并建設(shè)完成儀器儀表多項重點(diǎn)項目，取得了明顯的社會和經(jīng)濟(jì)效益。產(chǎn)品已銷往多個國家和地區(qū)，被國內(nèi)外眾多企業(yè)和客戶所認(rèn)可。