安丘吸附劑設(shè)備廠家(瞧過來:2024已更新)海昌機(jī)械,擠條機(jī)如何擠出均勻的條子？不均勻的具體情況是怎么樣的？有可能是轉(zhuǎn)速過大引起的擠出物熔體破裂，有可能是加料量過小引起的出料不連續(xù)，有可能是物料粘度過低引起的機(jī)頭壓力過小，有可能是計量段螺桿設(shè)計不合理引起的末端充滿長度過短。但是還有其他可能，若想解決問題可以將設(shè)備細(xì)節(jié)以及工藝條件介紹清楚，再把擠出物照片貼出來，根據(jù)那些判斷的原因可以做到很準(zhǔn)確。

生產(chǎn)分子篩壓差傳感器的兩個探測頭一個安裝在原氣側(cè)、一個安裝在凈氣側(cè)。脈沖噴吹需0.4～0.6MPa的潔凈壓縮空氣，且運行中須保持連續(xù)且恒定不變的供氣量。分子篩設(shè)備當(dāng)壓差傳感器檢測到的壓差超過某一設(shè)定值時輸出壓差信號，脈沖發(fā)生器接收信號后順序啟動脈沖噴吹閥，潔凈的壓縮空氣由閥口噴出，引射氣流對濾筒進(jìn)行吹掃直到壓差低于另一設(shè)定值時才停止;濾材表面吸附的微塵在氣流作用下被清除，落在室體下部的集塵斗中。除塵濾筒凈化器濾材的清潔通過由壓差傳感器控制的脈沖噴吹機(jī)構(gòu)實現(xiàn)：當(dāng)凈化器運行一段時間以后，細(xì)微的煙塵吸附在濾材表面，使得濾材的透氣性降低。

目前各企業(yè)諸如鐵水、處理容器、介質(zhì)、脫硫劑、設(shè)備(扒渣機(jī)、噴吹罐、噴升降裝置等)性能，操作人員水平等條件很不相同，要在同一基準(zhǔn)上比較非常困難。單從脫硫劑的消耗來看，不同工藝使用的石灰、螢石、鎂等脫硫劑的市場價格相差很大。還有就是某些指標(biāo)數(shù)值的值在各個企業(yè)的成本核算中所占的比重不盡相同。企業(yè)在選擇某種脫硫工藝或裝備時，除了對比成本外，還要結(jié)合企業(yè)自身條件和特點，如脫硫劑的獲取途徑、鐵水條件、鋼種要求、整個工藝流程流暢的需要、廠房條件的等。另外成本中有些指標(biāo)很難準(zhǔn)確的量化，如鐵損，回硫，渣的利用價值等。2.強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新模式我國的材料應(yīng)用企業(yè)一般規(guī)模不大。高C/Si時,外延膜中基本不存在BPDs.說明高C/Si比有利于降低外延膜中的BPDs.在較高C/Si比生長條件下BPDs密度的降低可能是富C情況下臺階側(cè)向生長所占比例降低,空間螺旋生長所占比例增加,提高了BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs的幾率[13-14].2.5表面的控制研究在低生長速率時,由于生長初期界面由腐蝕(表面粒子解離為主)到生長(表面粒子吸附固定)的轉(zhuǎn)變相對較平穩(wěn),因此外延膜表面較少.但在高生長速率時,初期界面的轉(zhuǎn)換非常劇烈,導(dǎo)致初期在界面處波動太大,形成大量的中心,從而在后續(xù)正常生長中引入大量的點,根據(jù)三角形產(chǎn)生的機(jī)制,終在外延膜表面形成大量的三角形凹坑.從上述分析可以看出,外延膜的密度受生長速率密切影響.高生長速率時在生長初期容易在界面上形成異常成核或者異常堆積,從而產(chǎn)生大量并延續(xù)到外延膜中,形成更多的表面.因此在高生長速率的情況下,要得到低密度的外延膜,需要控制并減少在初期生長界面處形成.通過在生長初期逐漸增加源氣體流量,控制生長初期時生長界面的異常成核,可以減少在外延過程中形成.圖8是生長速率為5.5μm/h時,直接外延生長和改進(jìn)后的外延膜表面的光學(xué)照片,從圖中可以看出改進(jìn)初期生長條件后外延膜表面的密度極大地降低,提高了外延膜的質(zhì)量.利用熔融KOH腐蝕對有無初期生長的外延膜結(jié)晶做了對比研究.從圖9中可以看出,加入初期生長的外延膜在熔融KOH腐蝕后發(fā)現(xiàn),即使在很高生長速率(5.5μm/h,接近飽和生長速率)條件下,腐蝕坑密度也迅速減少,說明通過引入初期生長能外延生長初期的形成,從而極大降低高速生長時外延膜中的密度,因此引入初期生長是提高高速生長外延膜質(zhì)量的重要手段之一。而企業(yè)作為加工應(yīng)用技術(shù)研究、研發(fā)投入的主體，單個企業(yè)投入研究可能負(fù)擔(dān)較重，因此同類應(yīng)用企業(yè)和加工裝備制造企業(yè)應(yīng)當(dāng)聯(lián)合起來形成產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，如以股份制形式共同出資投入組建研究團(tuán)隊，形成共有共享的技術(shù)，從而促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展著碳化硅晶體質(zhì)量的不斷提高,對碳化硅(SiC)基半導(dǎo)體器件已開始大量研究開發(fā)[1-2].由于SiC晶體具有很強(qiáng)的共價鍵,高溫擴(kuò)散或離子注入等方式制備器件功能層都存在很大的局限性[3].而通過化學(xué)氣相外延(CVD)方法同質(zhì)外延一層結(jié)晶質(zhì)量高,摻雜可控的功能層是目前進(jìn)行器件制備的一個重要途徑[4-6].早期的碳化硅同質(zhì)外延使用(0001)正角襯底,很難避免3C-SiC多晶的產(chǎn)生.而通過采用偏離(0001)面一定角度的襯底,利用臺階側(cè)向生長的方法可以實現(xiàn)晶型的穩(wěn)定延續(xù),即使在較低的生長溫度下也可獲得高結(jié)晶質(zhì)量的SiC同質(zhì)外延膜[6].碳化硅同質(zhì)外延常用的CVD設(shè)備主要有常壓冷壁和低壓熱壁兩種類型[7].常壓冷壁CVD系統(tǒng)具有設(shè)備相對簡單,外延膜摻雜更易控制等優(yōu)點,適合生長微電子器件所需的優(yōu)質(zhì)摻雜控制的薄膜,但是由于熱解效率低等因素,常壓冷壁CVD系統(tǒng)的外延膜生長速率一般較低,通常在2~3μm/h.為了在常壓冷壁CVD設(shè)備上實現(xiàn)外延膜的優(yōu)質(zhì)高速生長,本研究使用自制常壓冷壁CVD設(shè)備,在1400℃下進(jìn)行4H-SiC外延膜生長研究.1實驗方法1.1碳化硅同質(zhì)外延膜的制備實驗使用的是Cree公司生長的8°偏向的4H-SiC晶片.晶片經(jīng)過、V(NH4OH):V(H2O2):V(H2O)=1:1:5清洗后,在10%HF中浸泡5min.每步清洗后均用去離子水漂洗,后用高純N2吹干后立刻放入CVD反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行生長.生長過程分為兩步:首先在1300℃進(jìn)行原位腐蝕處理;之后升溫至1400℃并通入源氣體進(jìn)行外延生長.具體的生長工藝條件見圖1,原位處理采用H2/HCl,生長的氣源系統(tǒng)為H2SiH4C3H8.通過改變丙烷的流量控制生長過程中的碳硅比(C/Si).部分高生長速率樣品在生長初始階段先以高C/Si比(2.5~4.0)、低生長速率生長一層200nm左右的界面過渡層,再逐漸過渡到正常生長過程.1.2測試方法生長后得到的外延膜通過光學(xué)顯微鏡觀察表面形貌.通過Raman光譜并輔以KOH腐蝕結(jié)果確認(rèn)晶型.通過斷面SEM計算外延膜的生長速率.通過KOH腐蝕研究外延膜中的晶體.2結(jié)果與討論2.1外延膜的晶型表征生長完成后,首行了Raman表征以確定1400℃生長時外延膜的晶型.如圖2所示,對比外延膜和襯底的Raman光譜可以看出,即使在1400℃的低生長溫度下,外延膜仍很好的延續(xù)襯底晶型.需要注意的是,在實驗樣品中折疊縱光學(xué)(FLO)模出現(xiàn)在980cm1,與理論上的964cm1有一定差別.Kitamura等[8]研究發(fā)現(xiàn),晶體的摻雜濃度會明顯改變FLO的位置.根據(jù)他們實驗的結(jié)果,980cm1對應(yīng)的雜質(zhì)濃度約~1018cm3,這與本實驗通過霍爾(Hall)對樣品測試得到的結(jié)果相吻合.因為3C-SiC的折疊橫光學(xué)(FTO)模出現(xiàn)的位置與4H-SiCFTO模x(0)位置相同,都為796cm1.為此對外延膜進(jìn)行了進(jìn)一步的KOH腐蝕實驗.根據(jù)文獻(xiàn)報道[9],外延膜中的3C-SiC多晶會出現(xiàn)三角形的腐蝕坑,而在本實驗中,只出現(xiàn)了六方和橢圓形腐蝕坑.因此,可以確認(rèn)即使是在1400℃的低生長溫度下,4H-SiC同質(zhì)外延仍能獲得結(jié)晶性非常好的單晶外延膜.2.2生長速率由于外延膜與襯底的摻雜性質(zhì)不同,在SEM下會呈現(xiàn)明顯不同的襯度,因此可以通過斷面SEM準(zhǔn)確地測出外延膜的厚度,如圖3(a)插圖所示.通過這種方法,可以得到不同SiH4流量以及不同C/Si條件下外延膜的生長速率.圖3(a)是不同SiH4流量時的生長速率關(guān)系圖,從圖中可以看出,生長速率與SiH4流量的關(guān)系可以分為兩個區(qū)域.在區(qū)域Ⅰ,生長速率隨SiH4流量增加而線性增加.在這個區(qū)域,系統(tǒng)內(nèi)反應(yīng)物質(zhì)處于非飽和狀態(tài),因此生長速率由反應(yīng)物的質(zhì)量輸運過程控制,與源氣體的流量呈明顯的線性關(guān)系.在區(qū)域Ⅱ,生長速率已達(dá)到系統(tǒng)的飽和值,增加SiH4流量并不增加生長速率.對于本實驗設(shè)備,在1400℃條件下飽和生長速率約在6μm/h左右.圖3(b)是SiH4流量保持為0.8sccm,改變C3H8流量得到的不同C/Si比的生長速率圖,從中可以看出,在C/Si1.5時,生長速率達(dá)到飽和狀態(tài),反應(yīng)受SiH4流量,再增加C3H8流量并不能增加生長速率.由于在生長溫度下SiH4和C3H8的裂解效率不同,因此飽和生長速率對應(yīng)的C/Si一般都大于1.2.3表面形貌利用光學(xué)顯微鏡研究了外延膜表面的形貌.外延膜表面出現(xiàn)的典型為圖4(a)所示的三角形.圖4(a)中內(nèi)嵌插圖為三角形的SEM照片,從圖中可以看出,三角形在表面凹陷,沿生長方向,在臺階流上方的頂點處深,其對應(yīng)的底邊通常與臺階流方向(即方向)垂直.圖4(a)~(d)為不同生長速率時外延膜的表面形貌光學(xué)照片.在低的生長速度下外延膜表面較少,隨著生長速率的增加,外延膜表面的密度迅速增加.當(dāng)生長速率達(dá)到6μm/h時,表面已幾乎被覆蓋.因此,在較高生長速度下,需做進(jìn)一步地研究來控制和降低外延膜表面密度.不同C/Si比生長的外延膜表面形貌見圖5.在C/Si比為0.5時,在外延膜表面形成大量的“逗號”狀的凹坑.通過Raman測試表明凹坑中存在著晶體Si,說明在此條件下,Si源嚴(yán)重過量,導(dǎo)致表面出現(xiàn)硅液滴的不斷沉積與揮發(fā)過程.但C/Si比大于1.5時,外延膜表面形貌沒有太大區(qū)別.通過對生長機(jī)制的分析,可以認(rèn)為三角形凹坑是由臺階側(cè)向的特性所決定的.按照SiC“臺階控制”生長理論模型,同質(zhì)外延利用臺階的側(cè)向生長以復(fù)制襯底的堆積順序(晶型)[10].如圖6所示,當(dāng)外延生長過程中,在界面處出現(xiàn)(形成)一個點(可能是晶體、外來粒子等),就會阻礙此處臺階的側(cè)向移動.隨著生長的不斷進(jìn)行,點不斷阻止側(cè)向生長的進(jìn)行,而在臺階流下方會逐漸恢復(fù)到正常的生長過程.終就會在外延膜表面留下一個臺階流上方頂點處凹陷下去的三角形,且三角形在臺階流上方的頂點深,而對應(yīng)邊與臺階流方向垂直.2.4外延膜的結(jié)晶由于襯底以及生長工藝因素的影響,外延膜中通常會形成一些結(jié)晶.用510℃熔融KOH腐蝕5min后發(fā)現(xiàn),襯底表面存在著如圖7(a)所示的“貝殼狀”腐蝕坑,對應(yīng)著基平面位錯(BPD)[11].Stahlbush等[12]研究發(fā)現(xiàn)BPDs在正向?qū)娏髯饔孟聲葑冃纬啥讯鈱渝e,造成高頻二極管(PiN)器件正向?qū)妷旱钠?而露頭刃位錯(對應(yīng)7(b)中“六邊形”腐蝕坑)對器件性能的影響則相對較小.因此,在SiC外延生長過程中阻止襯底中的BPDs向外延膜中延伸對提高器件性能有很重要的意義.圖7(b)和(c)是生長速率分別為2.2和3.5μm/h時外延膜表面腐蝕后的光學(xué)照片(MP).生長速率為2.2μm/h時,外延膜表面主要為六邊形的腐蝕坑,即露頭刃位錯(TEDs),說明低生長速率有利于襯底上的BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs.當(dāng)生長速度增加到3.5μm/h時,由圖7(c)可以看到膜上的腐蝕坑密度增大,說明生長速度提高后,外延膜生長過程中形成了大量的新.不同C/Si比條件生長的外延膜也進(jìn)行了KOH腐蝕試驗.結(jié)果表明,低C/Si時,外延膜中仍存在著BPDs;由于鑄件是承壓件需要，因此白模應(yīng)該致密，不能有珠粒融合的疏松，進(jìn)而在刷涂料時會造成涂料內(nèi)滲形成涂料渣，澆注的鑄件就會有滲漏現(xiàn)象。

其危害重點有：(1)在陽光映射下，NOx和大氣中的VOCs產(chǎn)生光化學(xué)反應(yīng)，生成臭氧、過氧硝基酞(PAN)、醛類等光化學(xué)煙霧，形成二次污染，人的眼睛和呼吸體系，生產(chǎn)分子篩危害人的形骸健康。VOCs是強(qiáng)揮發(fā)、有氣味、有性、有的有機(jī)氣體，部分己被列為致癌物，如氯乙烯、苯、多環(huán)芳烴等。(2)大無數(shù)VOCs有、有惡臭，使人簡易染上積聚性呼吸道疾病。(4)部分VOCs可毀壞臭氧層。分子篩設(shè)備在高濃度忽然作用下，偶爾會形成急性中，甚而去逝。(3)大無數(shù)VOCs都易燃，在高濃度排放時易釀成。這些污染物同時也會危害農(nóng)作物的生長，甚而形成農(nóng)作物的去逝。

因此檢查擠出系統(tǒng)的磨損時，均以螺桿和機(jī)筒的計量區(qū)部位實測直徑為依據(jù)。計贄區(qū)的磨損加大了螺桿與機(jī)筒之間的徑向間隙，嚴(yán)重時漏流增大，擠出機(jī)降低。相比之下，加料區(qū)的磨損，對擠出量無此影響。計量區(qū)在液體摩擦條件下工作，腐蝕磨損的可能性較大。

無給料機(jī)降低了配料系統(tǒng)的高差，對新建系統(tǒng)來說可節(jié)省，對老系統(tǒng)來說，增加配料皮帶秤的方案更容易實施?！　≌駝与姍C(jī)軸承的潤滑是整臺振動給料機(jī)正常工作的關(guān)鍵，例如一臺給料量為數(shù)百噸的圓盤給料機(jī)價格達(dá)數(shù)十萬元，年耗電費用多達(dá)到數(shù)萬元。在使用過程中應(yīng)定期對軸承加注潤滑脂，每兩個月加注一次，高溫季節(jié)每月加注一次，每半年拆修一次電機(jī)，更換內(nèi)部軸承。這幾種設(shè)備應(yīng)根據(jù)泥料的成分和性質(zhì)進(jìn)行合理選用。二攪的工藝設(shè)備常選用單軸攪拌機(jī)、帶擠出單軸強(qiáng)力攪拌機(jī)或連續(xù)進(jìn)出料的濕式輪碾機(jī)。如果在此能對泥料進(jìn)行壓實致密，則能為成型提供更佳的泥料，即為提高成型質(zhì)量提供了良好的條件。拖料皮帶秤用于流動性能較好、濕度適中、較適合于皮帶給料機(jī)給料的物料。

目前各企業(yè)諸如鐵水、處理容器、介質(zhì)、脫硫劑、設(shè)備(扒渣機(jī)、噴吹罐、噴升降裝置等)性能，操作人員水平等條件很不相同，要在同一基準(zhǔn)上比較非常困難。單從脫硫劑的消耗來看，不同工藝使用的石灰、螢石、鎂等脫硫劑的市場價格相差很大。還有就是某些指標(biāo)數(shù)值的值在各個企業(yè)的成本核算中所占的比重不盡相同。企業(yè)在選擇某種脫硫工藝或裝備時，除了對比成本外，還要結(jié)合企業(yè)自身條件和特點，如脫硫劑的獲取途徑、鐵水條件、鋼種要求、整個工藝流程流暢的需要、廠房條件的等。另外成本中有些指標(biāo)很難準(zhǔn)確的量化，如鐵損，回硫，渣的利用價值等。2.強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新模式我國的材料應(yīng)用企業(yè)一般規(guī)模不大。高C/Si時,外延膜中基本不存在BPDs.說明高C/Si比有利于降低外延膜中的BPDs.在較高C/Si比生長條件下BPDs密度的降低可能是富C情況下臺階側(cè)向生長所占比例降低,空間螺旋生長所占比例增加,提高了BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs的幾率[13-14].2.5表面的控制研究在低生長速率時,由于生長初期界面由腐蝕(表面粒子解離為主)到生長(表面粒子吸附固定)的轉(zhuǎn)變相對較平穩(wěn),因此外延膜表面較少.但在高生長速率時,初期界面的轉(zhuǎn)換非常劇烈,導(dǎo)致初期在界面處波動太大,形成大量的中心,從而在后續(xù)正常生長中引入大量的點,根據(jù)三角形產(chǎn)生的機(jī)制,終在外延膜表面形成大量的三角形凹坑.從上述分析可以看出,外延膜的密度受生長速率密切影響.高生長速率時在生長初期容易在界面上形成異常成核或者異常堆積,從而產(chǎn)生大量并延續(xù)到外延膜中,形成更多的表面.因此在高生長速率的情況下,要得到低密度的外延膜,需要控制并減少在初期生長界面處形成.通過在生長初期逐漸增加源氣體流量,控制生長初期時生長界面的異常成核,可以減少在外延過程中形成.圖8是生長速率為5.5μm/h時,直接外延生長和改進(jìn)后的外延膜表面的光學(xué)照片,從圖中可以看出改進(jìn)初期生長條件后外延膜表面的密度極大地降低,提高了外延膜的質(zhì)量.利用熔融KOH腐蝕對有無初期生長的外延膜結(jié)晶做了對比研究.從圖9中可以看出,加入初期生長的外延膜在熔融KOH腐蝕后發(fā)現(xiàn),即使在很高生長速率(5.5μm/h,接近飽和生長速率)條件下,腐蝕坑密度也迅速減少,說明通過引入初期生長能外延生長初期的形成,從而極大降低高速生長時外延膜中的密度,因此引入初期生長是提高高速生長外延膜質(zhì)量的重要手段之一。而企業(yè)作為加工應(yīng)用技術(shù)研究、研發(fā)投入的主體，單個企業(yè)投入研究可能負(fù)擔(dān)較重，因此同類應(yīng)用企業(yè)和加工裝備制造企業(yè)應(yīng)當(dāng)聯(lián)合起來形成產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，如以股份制形式共同出資投入組建研究團(tuán)隊，形成共有共享的技術(shù)，從而促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展著碳化硅晶體質(zhì)量的不斷提高,對碳化硅(SiC)基半導(dǎo)體器件已開始大量研究開發(fā)[1-2].由于SiC晶體具有很強(qiáng)的共價鍵,高溫擴(kuò)散或離子注入等方式制備器件功能層都存在很大的局限性[3].而通過化學(xué)氣相外延(CVD)方法同質(zhì)外延一層結(jié)晶質(zhì)量高,摻雜可控的功能層是目前進(jìn)行器件制備的一個重要途徑[4-6].早期的碳化硅同質(zhì)外延使用(0001)正角襯底,很難避免3C-SiC多晶的產(chǎn)生.而通過采用偏離(0001)面一定角度的襯底,利用臺階側(cè)向生長的方法可以實現(xiàn)晶型的穩(wěn)定延續(xù),即使在較低的生長溫度下也可獲得高結(jié)晶質(zhì)量的SiC同質(zhì)外延膜[6].碳化硅同質(zhì)外延常用的CVD設(shè)備主要有常壓冷壁和低壓熱壁兩種類型[7].常壓冷壁CVD系統(tǒng)具有設(shè)備相對簡單,外延膜摻雜更易控制等優(yōu)點,適合生長微電子器件所需的優(yōu)質(zhì)摻雜控制的薄膜,但是由于熱解效率低等因素,常壓冷壁CVD系統(tǒng)的外延膜生長速率一般較低,通常在2~3μm/h.為了在常壓冷壁CVD設(shè)備上實現(xiàn)外延膜的優(yōu)質(zhì)高速生長,本研究使用自制常壓冷壁CVD設(shè)備,在1400℃下進(jìn)行4H-SiC外延膜生長研究.1實驗方法1.1碳化硅同質(zhì)外延膜的制備實驗使用的是Cree公司生長的8°偏向的4H-SiC晶片.晶片經(jīng)過、V(NH4OH):V(H2O2):V(H2O)=1:1:5清洗后,在10%HF中浸泡5min.每步清洗后均用去離子水漂洗,后用高純N2吹干后立刻放入CVD反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行生長.生長過程分為兩步:首先在1300℃進(jìn)行原位腐蝕處理;之后升溫至1400℃并通入源氣體進(jìn)行外延生長.具體的生長工藝條件見圖1,原位處理采用H2/HCl,生長的氣源系統(tǒng)為H2SiH4C3H8.通過改變丙烷的流量控制生長過程中的碳硅比(C/Si).部分高生長速率樣品在生長初始階段先以高C/Si比(2.5~4.0)、低生長速率生長一層200nm左右的界面過渡層,再逐漸過渡到正常生長過程.1.2測試方法生長后得到的外延膜通過光學(xué)顯微鏡觀察表面形貌.通過Raman光譜并輔以KOH腐蝕結(jié)果確認(rèn)晶型.通過斷面SEM計算外延膜的生長速率.通過KOH腐蝕研究外延膜中的晶體.2結(jié)果與討論2.1外延膜的晶型表征生長完成后,首行了Raman表征以確定1400℃生長時外延膜的晶型.如圖2所示,對比外延膜和襯底的Raman光譜可以看出,即使在1400℃的低生長溫度下,外延膜仍很好的延續(xù)襯底晶型.需要注意的是,在實驗樣品中折疊縱光學(xué)(FLO)模出現(xiàn)在980cm1,與理論上的964cm1有一定差別.Kitamura等[8]研究發(fā)現(xiàn),晶體的摻雜濃度會明顯改變FLO的位置.根據(jù)他們實驗的結(jié)果,980cm1對應(yīng)的雜質(zhì)濃度約~1018cm3,這與本實驗通過霍爾(Hall)對樣品測試得到的結(jié)果相吻合.因為3C-SiC的折疊橫光學(xué)(FTO)模出現(xiàn)的位置與4H-SiCFTO模x(0)位置相同,都為796cm1.為此對外延膜進(jìn)行了進(jìn)一步的KOH腐蝕實驗.根據(jù)文獻(xiàn)報道[9],外延膜中的3C-SiC多晶會出現(xiàn)三角形的腐蝕坑,而在本實驗中,只出現(xiàn)了六方和橢圓形腐蝕坑.因此,可以確認(rèn)即使是在1400℃的低生長溫度下,4H-SiC同質(zhì)外延仍能獲得結(jié)晶性非常好的單晶外延膜.2.2生長速率由于外延膜與襯底的摻雜性質(zhì)不同,在SEM下會呈現(xiàn)明顯不同的襯度,因此可以通過斷面SEM準(zhǔn)確地測出外延膜的厚度,如圖3(a)插圖所示.通過這種方法,可以得到不同SiH4流量以及不同C/Si條件下外延膜的生長速率.圖3(a)是不同SiH4流量時的生長速率關(guān)系圖,從圖中可以看出,生長速率與SiH4流量的關(guān)系可以分為兩個區(qū)域.在區(qū)域Ⅰ,生長速率隨SiH4流量增加而線性增加.在這個區(qū)域,系統(tǒng)內(nèi)反應(yīng)物質(zhì)處于非飽和狀態(tài),因此生長速率由反應(yīng)物的質(zhì)量輸運過程控制,與源氣體的流量呈明顯的線性關(guān)系.在區(qū)域Ⅱ,生長速率已達(dá)到系統(tǒng)的飽和值,增加SiH4流量并不增加生長速率.對于本實驗設(shè)備,在1400℃條件下飽和生長速率約在6μm/h左右.圖3(b)是SiH4流量保持為0.8sccm,改變C3H8流量得到的不同C/Si比的生長速率圖,從中可以看出,在C/Si1.5時,生長速率達(dá)到飽和狀態(tài),反應(yīng)受SiH4流量,再增加C3H8流量并不能增加生長速率.由于在生長溫度下SiH4和C3H8的裂解效率不同,因此飽和生長速率對應(yīng)的C/Si一般都大于1.2.3表面形貌利用光學(xué)顯微鏡研究了外延膜表面的形貌.外延膜表面出現(xiàn)的典型為圖4(a)所示的三角形.圖4(a)中內(nèi)嵌插圖為三角形的SEM照片,從圖中可以看出,三角形在表面凹陷,沿生長方向,在臺階流上方的頂點處深,其對應(yīng)的底邊通常與臺階流方向(即方向)垂直.圖4(a)~(d)為不同生長速率時外延膜的表面形貌光學(xué)照片.在低的生長速度下外延膜表面較少,隨著生長速率的增加,外延膜表面的密度迅速增加.當(dāng)生長速率達(dá)到6μm/h時,表面已幾乎被覆蓋.因此,在較高生長速度下,需做進(jìn)一步地研究來控制和降低外延膜表面密度.不同C/Si比生長的外延膜表面形貌見圖5.在C/Si比為0.5時,在外延膜表面形成大量的“逗號”狀的凹坑.通過Raman測試表明凹坑中存在著晶體Si,說明在此條件下,Si源嚴(yán)重過量,導(dǎo)致表面出現(xiàn)硅液滴的不斷沉積與揮發(fā)過程.但C/Si比大于1.5時,外延膜表面形貌沒有太大區(qū)別.通過對生長機(jī)制的分析,可以認(rèn)為三角形凹坑是由臺階側(cè)向的特性所決定的.按照SiC“臺階控制”生長理論模型,同質(zhì)外延利用臺階的側(cè)向生長以復(fù)制襯底的堆積順序(晶型)[10].如圖6所示,當(dāng)外延生長過程中,在界面處出現(xiàn)(形成)一個點(可能是晶體、外來粒子等),就會阻礙此處臺階的側(cè)向移動.隨著生長的不斷進(jìn)行,點不斷阻止側(cè)向生長的進(jìn)行,而在臺階流下方會逐漸恢復(fù)到正常的生長過程.終就會在外延膜表面留下一個臺階流上方頂點處凹陷下去的三角形,且三角形在臺階流上方的頂點深,而對應(yīng)邊與臺階流方向垂直.2.4外延膜的結(jié)晶由于襯底以及生長工藝因素的影響,外延膜中通常會形成一些結(jié)晶.用510℃熔融KOH腐蝕5min后發(fā)現(xiàn),襯底表面存在著如圖7(a)所示的“貝殼狀”腐蝕坑,對應(yīng)著基平面位錯(BPD)[11].Stahlbush等[12]研究發(fā)現(xiàn)BPDs在正向?qū)娏髯饔孟聲葑冃纬啥讯鈱渝e,造成高頻二極管(PiN)器件正向?qū)妷旱钠?而露頭刃位錯(對應(yīng)7(b)中“六邊形”腐蝕坑)對器件性能的影響則相對較小.因此,在SiC外延生長過程中阻止襯底中的BPDs向外延膜中延伸對提高器件性能有很重要的意義.圖7(b)和(c)是生長速率分別為2.2和3.5μm/h時外延膜表面腐蝕后的光學(xué)照片(MP).生長速率為2.2μm/h時,外延膜表面主要為六邊形的腐蝕坑,即露頭刃位錯(TEDs),說明低生長速率有利于襯底上的BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs.當(dāng)生長速度增加到3.5μm/h時,由圖7(c)可以看到膜上的腐蝕坑密度增大,說明生長速度提高后,外延膜生長過程中形成了大量的新.不同C/Si比條件生長的外延膜也進(jìn)行了KOH腐蝕試驗.結(jié)果表明,低C/Si時,外延膜中仍存在著BPDs;由于鑄件是承壓件需要，因此白模應(yīng)該致密，不能有珠粒融合的疏松，進(jìn)而在刷涂料時會造成涂料內(nèi)滲形成涂料渣，澆注的鑄件就會有滲漏現(xiàn)象。

其工作原理是將物料加到料斗中，壓料箱中一對相對旋轉(zhuǎn)的壓料器將物料強(qiáng)行壓入旋轉(zhuǎn)的螺桿上，螺桿將物料送至機(jī)頭，經(jīng)過模板擠出就可以。目前擠條機(jī)擠出螺桿的螺距是從后向前逐漸縮小的，這樣其前端模板部位擠出力大，以保障物料的順利擠出。擠條機(jī)基本結(jié)構(gòu)分為基座減速機(jī)變頻器齒輪箱壓料箱擠出筒及機(jī)頭。

2、能耗低：設(shè)備啟動僅需15-30分鐘升溫至起燃溫度(有機(jī)廢氣濃度較高時)耗能僅為風(fēng)機(jī)功率。3、可靠：分子篩設(shè)備配有阻火系統(tǒng)、防爆泄壓系統(tǒng)、超溫報警系統(tǒng)及的自控系統(tǒng)。結(jié)構(gòu)特點:1、操作方便：設(shè)備工作時，實現(xiàn)自動控制。5、徐州分子篩余熱可回用：余熱可返回烘道，降低原烘道中的消耗功率；7、使用壽命長：催化劑一般4年更換。也可做其它方面的熱源。6、占地面積?。簝H為同行業(yè)同類產(chǎn)品的70%-80%，且設(shè)備基礎(chǔ)無特殊要求。4、阻力小，凈化效率高：采用當(dāng)今的鈀、鉑浸漬的蜂窩狀陶瓷載體催化劑，比表面積大。

旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)輪經(jīng)過脫附區(qū)域，經(jīng)過低溫再生再次轉(zhuǎn)到處理區(qū)，對VOCs廢氣進(jìn)行吸附凈化。欽州分子篩設(shè)備廠家,等轉(zhuǎn)輪轉(zhuǎn)到脫附區(qū)域時，附著在轉(zhuǎn)輪上的VOCs被連續(xù)的高溫及低流量脫附氣體從反方向解吸收，高濃縮的VOCs氣體從轉(zhuǎn)盤中脫離并送到燃燒爐進(jìn)行燃燒處理。

主要產(chǎn)品有分子篩加工自動壓料單螺桿擠條機(jī)雙螺桿擠條機(jī)捏合機(jī)電器PLC遠(yuǎn)程自動控制工程工業(yè)窯爐帶式干燥機(jī)等大規(guī)模生產(chǎn)及實驗室用的設(shè)備，催化劑載體異形加工及化工用非標(biāo)設(shè)備的設(shè)計加工與安裝等。我公司是一家做工業(yè)催化劑分子篩活性炭化工等成套設(shè)備的設(shè)計與加工制作制造擠出成型干燥焙燒粉碎等化工設(shè)備的企業(yè)。

安丘吸附劑設(shè)備廠家(瞧過來:2024已更新)，該技術(shù)在有機(jī)廢氣濃度較低時使用具有較好的效果，但是不宜直接用該技術(shù)處理高濃度有機(jī)廢氣，可以在冷凝等方式處理后，再使用該技術(shù)對廢氣進(jìn)行凈化。目前市場上的吸附劑種類較多，常用的有活性炭分子篩沸石等。在吸附過程中，吸附劑設(shè)備工藝再生等都是其關(guān)鍵控制點。目前在VOs凈化過程中常用的吸附劑有無機(jī)和有機(jī)吸附劑兩類，吸附劑應(yīng)選擇有巨大的表面積良好的選擇性較強(qiáng)的再生性較好的熱穩(wěn)定性以及化學(xué)穩(wěn)定性較大的吸附容量等等。吸附工藝技術(shù)4種典型的VOs處理技術(shù)該吸附技術(shù)是指吸附劑通過***結(jié)合的方式或化學(xué)反應(yīng)的方式對有害物質(zhì)進(jìn)行吸附，進(jìn)而達(dá)到凈化廢氣的目的。

安丘吸附劑設(shè)備廠家(瞧過來:2024已更新)，三大合成材料指合成樹脂與塑料合成橡膠及合成纖維,它們有著較廣用途和大的經(jīng)濟(jì)價值。在這些聚合物材料的生產(chǎn)發(fā)展過程中,經(jīng)歷了兩次質(zhì)的飛躍一次是在20世紀(jì)90年代前后,由于出現(xiàn)了活性和選擇性較高的新一代的茂金屬等新型聚烯烴催化劑,使聚合物產(chǎn)品的質(zhì)量高品種多。