其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽極電壓的同時又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過零后的某一時刻t1（或某一相位角wt1），在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖，使可控硅導(dǎo)通，根據(jù)前面介紹過的可控硅開關(guān)特性，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周（即0~p區(qū)間）中，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通，這一范圍稱為控制角，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通，這一范圍稱為導(dǎo)通角，常用j表示。同理在正弦波交流電的負半周，對處于反向聯(lián)接的另一個可控硅（對兩個單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言）在t2時刻（即相位角wt2）施加觸發(fā)脈沖，使其導(dǎo)通。如此周而復(fù)始，對正弦波每半個周期控制其導(dǎo)通，獲得相同的導(dǎo)通角。如改變觸發(fā)脈沖的施加時間（或相位），即改變了導(dǎo)通角j（或控制角a）的大小。導(dǎo)通角越大調(diào)光器輸出的電壓越高，燈就越亮。從上述可控硅調(diào)光原理可知，調(diào)光器輸出的電壓波形已經(jīng)不再是正弦波了，除非調(diào)光器處在全導(dǎo)通狀態(tài)?？煽毓枰话阕龀陕菟ㄐ魏推桨逍?，有三個電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由PNPN四層組成。廣東國產(chǎn)可控硅模塊代理品牌

并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣。組合成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號，如：四象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；ST公司所有產(chǎn)品型號的后綴字母(型號一個字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；型號如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。至于型號后綴字母的觸發(fā)電流，各個廠家的含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F(xiàn)=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA；PHILIPS公司的觸發(fā)電流字母沒有統(tǒng)一的定義，以產(chǎn)品的封裝不同而不同。意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上觸發(fā)電流均有一個上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細說明一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個參數(shù)值。廣東國產(chǎn)可控硅模塊代理品牌在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件。

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，在關(guān)斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大，這個電勢與電源串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）。數(shù)值可達工作電壓的5~6倍。保護措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側(cè)過電壓及其保護由于交流側(cè)電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程，會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容，初級高壓經(jīng)電容耦合到次級，出現(xiàn)瞬時過電壓。

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點開關(guān)的快速接通或切斷；實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用?？煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多?？煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y(jié)構(gòu)原件可控硅有三個極----陽極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)，與只有一個PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)?？煽毓钁?yīng)用時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化。

增加電力網(wǎng)的穩(wěn)定，然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流。直流——交流中頻加熱和交流電動機的變頻調(diào)速、串激調(diào)速等變頻，交流——頻率可變交流四、斬波調(diào)壓（脈沖調(diào)壓）斬波調(diào)壓是直流——可變直流之間的變換，用在城市電車、電氣機車、電瓶搬運車、鏟車（叉車）、電氣汽車等，高頻電源用于電火花加工。五、無觸點功率靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）作為功率開關(guān)元件，代替接觸器、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場合晶閘管導(dǎo)通條件：晶閘管加上正向陽極電壓后，門極加上適當(dāng)正向門極電壓，使晶閘管導(dǎo)通過程稱為觸發(fā)。晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通后，門極就對它失去控制作用，通常在門極上只要加上一個正向脈沖電壓即可，稱為觸發(fā)電壓。門極在一定條件下可以觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通，但無法使其關(guān)斷。要使導(dǎo)通的晶閘管恢復(fù)阻斷，可降低陽極電壓，或增大負載電阻，使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流（IH）（當(dāng)門極斷開時，晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導(dǎo)通所需的小陽極電流叫維持電流），電流會突然降到零，之后再提高電壓或減小負載電阻，電流不會再增大，說明晶閘管已恢復(fù)阻斷。根據(jù)晶閘管陽極伏安特性，可以總結(jié)出：1．門極斷開時。在使用過程中，晶閘管對過電壓是很敏感的。江西可控硅模塊哪家好

其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。廣東國產(chǎn)可控硅模塊代理品牌

雖然改變了正弦交流電的幅值，但并未改變其正弦波形的本質(zhì)。與變壓器、電阻器相比，可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機理，它是采用相位控制方法來實現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的。對于普通反向阻斷型可控硅，其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽極電壓的同時又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過零后的某一時刻t1(或某一相位角wt1)，在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖，使可控硅導(dǎo)通，根據(jù)前面介紹過的可控硅開關(guān)特性，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周(即0~p區(qū)間)中，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通，這一范圍稱為控制角，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通，這一范圍稱為導(dǎo)通角，常用j表示。同理在正弦波交流電的負半周，對處于反向聯(lián)接的另一個可控硅(對兩個單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言)在t2時刻(即相位角wt2)施加觸發(fā)脈沖，使其導(dǎo)通。如此周而復(fù)始，對正弦波每半個周期控制其導(dǎo)通，獲得相同的導(dǎo)通角。如改變觸發(fā)脈沖的施加時間(或相位)。廣東國產(chǎn)可控硅模塊代理品牌