宜興市國泰陶瓷科技有限公司2024-11-13

碳化硅主要有兩種晶體結(jié)構(gòu)，即立方晶系的β- SiC和六方晶系的- SiC。碳化硅晶體的基本結(jié)構(gòu)單元是相互穿插的SiC和CSi四面體。四面體共邊形成平面層，并以頂點與下一疊層四面體相連形成三維結(jié)構(gòu)。由于四面體堆積次序的不同可以形成不同的結(jié)構(gòu)，已發(fā)現(xiàn)數(shù)百種變體。一般采用字母C(立方)、H(六方)、R(菱方)米表示其晶格類型，并用單位晶胞中所含的層數(shù)以示區(qū)別，例如nH表示沿c軸有n層重復周期的六方晶系結(jié)構(gòu)，而mR則表示沿c軸有m層重復周期的菱面體結(jié)構(gòu)。

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