集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路，從而使電子產(chǎn)品向著高效能低消耗、高精度、高穩(wěn)定、智能化的方向發(fā)展。由于，電子計算機發(fā)展經(jīng)歷的四個階段恰好能夠充分說明電子技術(shù)發(fā)展的四個階段的特性，所以下面就從電子計算機發(fā)展的四個時代來說明電子技術(shù)發(fā)展的四個階段的特點。在20世紀出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個世界和人們的工作、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化。電子元器件的發(fā)展歷史實際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史。主動器件，它的主要特點是：(1)自身消耗電能(2)需要外界電源。北京品質(zhì)元器件供應(yīng)

電子元器件發(fā)展史其實就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術(shù)是十九世紀末、二十世紀初開始發(fā)展起來的新興技術(shù)，二十世紀發(fā)展較迅速，應(yīng)用較普遍，成為近代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的一個重要標志。1906年，美國發(fā)明家德福雷斯特（De Forest Lee）發(fā)明了真空三極管（電子管）。一代電子產(chǎn)品以電子管為中心。四十年代末世界上誕生了一只半導(dǎo)體三極管，它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點，很快地被各國應(yīng)用起來，在很大范圍內(nèi)取代了電子管。五十年代末期，世界上出現(xiàn)了一塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上，使電子產(chǎn)品向更小型化發(fā)展。北京品質(zhì)元器件供應(yīng)電子元器件發(fā)展史其實就是一部濃縮的電子發(fā)展史。

我國電子元件的產(chǎn)量已占全球的近39%以上。產(chǎn)量居世界一的產(chǎn)品有：電阻器、電容器、電聲器件、磁性材料、壓電石英晶體、微特電機、電子變壓器、印制電路板。伴隨我國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴大，珠江三角洲、長江三角洲、環(huán)渤海灣地區(qū)、部分中西部地區(qū)四大電子信息產(chǎn)業(yè)基地初步形成。這些地區(qū)的電子信息企業(yè)集中，產(chǎn)業(yè)鏈較完整，具有相當(dāng)?shù)囊?guī)模和配套能力。我國電子材料和元器件產(chǎn)業(yè)存在一些主要問題：中低檔產(chǎn)品過剩，較好產(chǎn)品主要依賴進口；缺乏中心技術(shù)，產(chǎn)品利潤較低；企業(yè)規(guī)模較小，技術(shù)開發(fā)投入不足。

電子元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構(gòu)成，可以在同類產(chǎn)品中通用；常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件，是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱。常見的有二極管等。電子元器件包括：電阻、電容、電感、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器、半導(dǎo)體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開關(guān)、微特電機、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝專門用材料、電子膠（帶）制品、電子化學(xué)材料及部品等。電子元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分。

下一代光傳送網(wǎng)的基本特征是超大容量，從各種復(fù)用技術(shù)的發(fā)展狀況看，密集波分復(fù)用（DWDM）被認為是擴大網(wǎng)絡(luò)容量和提高其靈活性的較有效途徑。采用DWDM可以使容量迅速地擴大數(shù)十倍至數(shù)百倍。由于市場驅(qū)動和技術(shù)突破的影響，波分復(fù)用系統(tǒng)發(fā)展極為迅速。因此各種新研制的光器件也都或多或少與波分復(fù)用有關(guān)。DWDM的發(fā)展思路一直是追求更高的頻譜效率，一方面提高每個通道的速率，另一方面增加通道密度。在速率上，商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實用化，預(yù)計到2004年開始商業(yè)應(yīng)用，一些電信公司如阿爾卡特的實驗室已進行了160Gbit/s的傳輸實驗。電路類元件：二極管，電阻器等等。遼寧元器件新報價

分立器件，分為(1)雙極性晶體三極管(2)場效應(yīng)晶體管(3)可控硅 (4)半導(dǎo)體電阻、電容。北京品質(zhì)元器件供應(yīng)

1906年美國人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質(zhì)量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關(guān)。1947年，點接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是，這種點接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點不穩(wěn)定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發(fā)成功的同時，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后，結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年，具有使用價值的較早的鍺合金型晶體管誕生。1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長技術(shù)和擴散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)表示的半導(dǎo)體工業(yè)。北京品質(zhì)元器件供應(yīng)

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