單向可控硅的檢測

  萬用表選用電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳，此時黑筆接的引腳為控制極G，紅筆接的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應(yīng)不動。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。 歡迎各界朋友蒞臨參觀。內(nèi)蒙古高壓可控硅模塊報價

任何的東西都有其使用的壽命，可控硅也不例外，可控硅模塊使用時間長了，它的溫度就會升高，如果溫度過高就容易損壞，并且降低使用壽命，這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法：

1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計，溫度計測點距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高，溫度計的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時進(jìn)行。

2 可控硅模塊溫升按下式計算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測定：被測可控硅模塊溫升的測定，通常與減速機(jī)的承載能力及傳動效率測定同時進(jìn)行，也可單獨進(jìn)行，被測減速機(jī)在符合規(guī)定時，讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度

實際上，可控硅模塊元件的結(jié)溫不容易直接測量，因此不能用它作為是否超溫的判據(jù)。通過控制模塊底板的溫度（即殼溫Tc）來控制結(jié)溫是一種有效的方法。由于PN結(jié)的結(jié)溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度，知道了殼溫也就知道了結(jié)溫，而相當(dāng)高殼溫Tc是限定的，由產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給出。借助溫控開關(guān)可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度（溫度傳感元件應(yīng)置于模塊底板溫度相當(dāng)高的位置）。從溫控天關(guān)測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路，分別控制風(fēng)機(jī)的開啟或主回路的通斷（停機(jī)），就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結(jié)溫下正常工作。

  需要指出的是，溫控開關(guān)測量到的溫度是模塊底板表面的溫度，易受環(huán)境、空氣對流的影響，與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc，還有一定的差別（大約低幾度到十幾度），因此其實際控制溫度應(yīng)低于規(guī)定的Tc值。用戶可以根據(jù)實際情況和經(jīng)驗決定控制的溫度。

單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關(guān)。 淄博正高電氣有限公司愿和各界朋友真誠合作一同開拓。

可控硅模塊主要優(yōu)點如下：

（1）采用進(jìn)口方形可控硅支撐板，降低了可控硅模塊的電壓，功耗低，效率高，節(jié)能效果好。

（2）采用進(jìn)口插入元件，保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。

（3）（DCB）陶瓷銅板采用獨特的處理和特殊的焊接工藝，保證了晶閘管組件的焊接層無空腔，導(dǎo)熱性好。

（4）導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。

（5）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離，導(dǎo)熱基板不帶電，介電強(qiáng)度≥2500V，保證安全。

（6）通過輸入0-10V直流控制信號，可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。

（7）可采用手動控制、儀表控制或微機(jī)控制。

（8）適用于電阻和電感負(fù)載。 淄博正高電氣有限公司是您可信賴的合作伙伴！內(nèi)蒙古高壓可控硅模塊報價

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您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？

可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽極承受正電壓，只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時，可控硅才能導(dǎo)通。由門級施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流，即高于電流IL。可控硅導(dǎo)通后的電壓降很小。

接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：

1.將正極電壓降低至數(shù)值，或添加反向陽極電壓。

2.增加負(fù)載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài)，希望能幫助您 內(nèi)蒙古高壓可控硅模塊報價

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