可控硅模塊的設備與維護
(1)在模塊導熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導熱硅脂,然后用四個螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個螺釘要順次固定,用力要均勻,重復幾回,直至強健,使模塊底板與散熱器外表嚴密觸摸。
(2)把散熱器和風機按需求安裝好后,筆直固定于機箱合適方位。
(3)用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,浸錫,然后套上絕緣熱縮管,用熱風加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上,并堅持超卓的平面壓力觸摸,阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。
(4)為延伸商品運用壽數(shù),主張每隔3-4個月維護一次,替換一次導熱硅脂,鏟除外表塵土,緊固各壓線螺釘。 淄博正高電氣有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。濰坊雙向可控硅模塊
可控硅模塊的應用領域
該智能模塊應用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合,如工業(yè)、通訊、**等各類電氣操控、電源等,依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接,結(jié)束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功用,并可結(jié)束過流、過壓、過溫、缺持平維護功用。
可控硅模塊的操控辦法
經(jīng)過輸入模塊操控接口一個可調(diào)的電壓或許電流信號,經(jīng)過調(diào)整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行滑潤調(diào)度,結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點或悉數(shù)導通的進程。
電壓或電流信號可取自各種操控外表、核算機D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種辦法;操控信號選用0~5V,0~10V,4~20mA三種對比常用的操控辦法。
東營高壓可控硅模塊報價淄博正高電氣有限公司銳意進取,持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務。可控硅模塊的接線方法
可控硅模塊在電力工業(yè)中占有重要地位。很多人知道可控硅模塊的優(yōu)點和使用方法,但不知道如何連接可控硅模塊。我們來談談可控硅模塊的連接方法。
單個晶閘管反向并聯(lián)。記得增加RC保護電路。控制交流電,單向晶閘管一定要反向并聯(lián),因此2和3應短接使用。
可控硅的介紹:
這是一種由三個晶閘管引起的共正晶閘管模塊,主要用于三相半波整流電路。
或者三相全控橋可以由一個普通的負三相半波整流器構(gòu)成。
調(diào)速器:紅色,藍色,黑色,3根電線,紅色電池正極,黑色電池負極,藍色連接電機負極,電機正極帶一根線到電池正極。
可控硅模塊在應用電路中的作用體現(xiàn)在:
可控整流器:如二極管整流器,交流整流器整流為直流,在交流電壓不變的情況下,可有效控制直流輸出電壓,實現(xiàn)交流/直流的轉(zhuǎn)換。
無觸點電源靜態(tài)開關(guān)(固態(tài)開關(guān)):晶閘管模塊作為電源開關(guān)元件,可在開關(guān)頻率較高的場合替代接觸器和繼電器。
因此,可控硅模塊普遍應用于各種電子設備和電子產(chǎn)品中,如可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關(guān)等。晶閘管模塊廣泛應用于家用電器的工業(yè)控制領域,如調(diào)光燈、調(diào)速風扇、空調(diào)、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、語音控制電路、定時控制器、感應燈、圣誕燈控制器、自動門電路、玩具裝置等。電動工具產(chǎn)品、無線電遙控電路、攝像機等領域都大量的使用了可控硅模塊。 淄博正高電氣有限公司真誠希望與您攜手、共創(chuàng)輝煌。
過電壓會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產(chǎn)生的原因。
可控硅模塊對過電壓非常敏感,當正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導并導致電路故障;當施加的反向電壓超過urrm值時,可控硅模塊會立即損壞。因此,需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。
過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對可控硅模塊非常危險。
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可控硅模塊特點:
1 對耐壓級別的選擇:通常把VDRM(斷態(tài)重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。
2 對電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時,可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。
3 對通態(tài)電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應盡可能選擇VTM小的可控硅。
4 對維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流,它與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高,則IH越小。
5 對電壓上升率的:dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 濰坊雙向可控硅模塊
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