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遼寧快恢復(fù)可控硅模塊哪家好

來源: 發(fā)布時間:2024-08-21

可控硅模塊的作用和優(yōu)勢大家都知道,它的應(yīng)用范圍是非常廣的,在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的,那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢?下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。


在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。 淄博正高電氣有限公司始終以適應(yīng)和促進(jìn)發(fā)展為宗旨。遼寧快恢復(fù)可控硅模塊哪家好

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選擇可控硅模塊時不能只看表面,應(yīng)參考實(shí)際工作條件來選擇,選用可控硅模塊的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。


1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:

(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷:風(fēng)速≥6m/s,風(fēng)溫≤40℃;

(2)水冷:流量≥4L/mm,壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;

(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃;

(4)空氣相對濕度≤85%;

(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃;

(6)氣壓86—106Kpa;

(7)無劇烈震動或沖擊;

(8)若有特殊場合,應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗,證明工作可靠方可使用。 遼寧快恢復(fù)可控硅模塊哪家好淄博正高電氣有限公司真誠希望與您攜手、共創(chuàng)輝煌。

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過電壓會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感,當(dāng)正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障;當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時,可控硅模塊會立即損壞。因此,需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對可控硅模塊非常危險。


一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。

在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過此頻率,因元件開關(guān)損耗明顯增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。

可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。

可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高電氣有限公司與廣大客戶攜手共創(chuàng)碧水藍(lán)天。

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只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。

這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。 淄博正高電氣有限公司不斷提高產(chǎn)品的質(zhì)量。遼寧快恢復(fù)可控硅模塊哪家好

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可控硅模塊的分類:

1、以關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式來分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

2、以引腳和極性來分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

3、以封裝形式來分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

4、以電流容量來分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

5、以關(guān)斷速度來分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。

6、過零觸發(fā),一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā),必須是過零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅參數(shù)介紹

7、非過零觸發(fā),無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸發(fā)。

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