可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。

 由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。

  由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 淄博正高電氣有限公司以質(zhì)量求生存，以信譽求發(fā)展！天津高壓可控硅模塊哪家好

可控硅模塊設備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下。

可控硅模塊的工作條件：

1.當可控硅模塊承受反向陽極電壓時，不管門級承受哪種電壓，可控硅模塊都會處于斷開狀態(tài)。

2.當可控硅模塊經(jīng)歷正向陽極電壓時，可控硅*在門級受到正向電壓時接通。

3.當可控硅模塊導通時，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導通，如果可控硅導通后，門極將失去其功能。

4..當可控硅模塊導通時，主電路電壓(或電流)減小到接近零時，可控硅模塊關斷。 大功率可控硅模塊配件歡迎各界朋友蒞臨參觀。

可控硅模塊在電子行業(yè)中應用以及發(fā)展比較廣，它已經(jīng)應用到了很多電子設備中，不同設備中使用的可控硅模塊類型也是不同的，下面可控硅模塊廠家就來來您了解一下。

1．選擇可控硅模塊的類型可控硅模塊有多種類型，應根據(jù)應用電路的具體要求合理選用。

  若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關電源保護電路等，可選用普通可控硅模塊。

  若用于交流開關、交流調(diào)壓、交流電動機線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中，應選用雙向可控硅模塊。

  若用于交流電動機變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等，可選用門極關斷可控硅模塊。

  若用于鋸齒波器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發(fā)電路等，可選用BTG可控硅模塊。

  若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路、超導磁能儲存系統(tǒng)及開關電源等電路，可選用逆導可控硅模塊。

  若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數(shù)器、光電邏輯電路及自動生產(chǎn)線的運行監(jiān)控電路，可選用光控可控硅模塊。

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優(yōu)勢，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎，下面正高來詳細的說下可控硅模塊。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductormodule）。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命，傾力為客戶創(chuàng)造更大利益！

可控硅模塊特點：

1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。

2 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流，它與結(jié)溫有關，結(jié)溫越高，則IH越小。

5 對電壓上升率的：dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 淄博正高電氣有限公司傾城服務，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。天津高壓可控硅模塊哪家好

地理位置優(yōu)越，交通十分便利。天津高壓可控硅模塊哪家好

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。

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