電力電子開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術(shù)：電力電子開關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實(shí)現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個(gè)可控的電子驅(qū)動(dòng)器件，如晶閘管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、繼電器等。其中，現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此，針對(duì)上述問題，有必要提出進(jìn)一步的解決方案。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元；所述晶閘管單元包括：壓塊、門極壓接式組件、導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板，所述壓塊設(shè)置于所述門極壓接式組件上，并通過所述門極壓接式組件對(duì)所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板施加壓合作用力，所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板依次設(shè)置于所述銅底板上；所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊、第二門極壓接式組件、第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片，所述第二壓塊設(shè)置于所述第二門極壓接式組件上。正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升。菏澤晶閘管模塊配件

    按規(guī)定應(yīng)采用風(fēng)冷的模塊而采用自冷時(shí)，則電流的額定值應(yīng)降低到原有值的30～40[%]，反之如果改為采用水冷時(shí)，則電流的額定值可以增大30～40[%]。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風(fēng)機(jī)，我們確定了不同型號(hào)模塊在其額定電流工作狀態(tài)下，環(huán)境溫度為40℃時(shí)所需的散熱器長(zhǎng)度、風(fēng)機(jī)規(guī)格、數(shù)量及散熱器基礎(chǔ)參數(shù)等，請(qǐng)參考說明書。另外，在表內(nèi)出具了每個(gè)型號(hào)的模塊在峰值壓降、比較大標(biāo)稱電流和阻性負(fù)載條件下的功耗值，以便于用戶自己確定散熱器尺寸時(shí)做參考。在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：（1）軸流風(fēng)機(jī)風(fēng)速應(yīng)≥6m/s。（2）若模塊達(dá)不到滿負(fù)荷工作，可酌減散熱器長(zhǎng)度。（3）在設(shè)備開機(jī)前，應(yīng)檢查模塊所有螺釘是否牢固，若有松動(dòng)，應(yīng)擰緊螺釘，以使模塊底板和散熱器表面以及模塊電極和接線端子之間都能夠緊密接觸，達(dá)到比較好散熱效果。（4）采用自然冷卻形式時(shí)，必須保證散熱器周圍的空氣能夠自然對(duì)流。（5）因水冷散熱效果好，有水冷條件的，應(yīng)優(yōu)先水冷散熱形式。菏澤晶閘管模塊配件正高電氣公司地理位置優(yōu)越，擁有完善的服務(wù)體系。

    它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對(duì)陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測(cè)量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極。

晶閘管模塊的工作條件：

1.當(dāng)晶閘管模塊承受正向陽極電壓時(shí)，只有在門級(jí)承受正向電壓時(shí)，晶閘管才打開。此時(shí)，晶閘管處于正導(dǎo)通狀態(tài)，這就是晶閘管的晶閘管特性，即可控特性。

2.晶閘管模塊開著時(shí)，只要有一定的正極電壓，不管門級(jí)電壓是多少，晶閘管都繼續(xù)工作，即晶閘管接通后，門級(jí)就失去了功能。門級(jí)只會(huì)起到觸發(fā)的作用。

3.當(dāng)主電路電壓（或電流）降至接近零時(shí)，當(dāng)主電路電壓（或電流）降為零時(shí)，晶閘管模塊被關(guān)閉。

4.當(dāng)晶閘管模塊承受反向陽極電壓時(shí)，無論門級(jí)承受何種電壓，晶閘管都處于反向閉鎖狀態(tài)。在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時(shí)間采用KP-60微秒以內(nèi)，逆變側(cè)關(guān)短時(shí)間采用KK-30微秒以內(nèi)。 公司生產(chǎn)工藝得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，優(yōu)良的品質(zhì)使我們的產(chǎn)品****各地。

    AA）替代國(guó)外模塊型號(hào)ZX5WSMNBK雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG（AA）60A/400V三社（SanRex）PWB60A；三菱（MITSUBI）TM60SZ-M；TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG（AA）80A/400VSanRexPWB90A；MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達(dá)PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG（AA）130A/400VSanRexPWB130A；MITSUBITM130SZ-M；英達(dá)PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG（AA）160A/400VMITSUBITM150SZ-M；英達(dá)PFT1503NMTG300A/800VMTG（AA）200A/400VSanRexPWB200AA；MITSUBITM200SZ-M英達(dá)PFT2003N；注：上表中MTG型為普通壓降模塊；MTG（AA）為低電壓低導(dǎo)通壓降型模塊。l焊機(jī)用模塊電流和電壓計(jì)算：我公司MTG、MTG（AA）焊機(jī)**模塊可以使用在很多不同型號(hào)規(guī)格的焊機(jī)中，如ZX5普通焊機(jī)；WSM直流氬弧焊機(jī)；NBKCO2氣體保護(hù)焊機(jī)。這些焊機(jī)目前都采用流行的雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器主回路形式，如下圖：（雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器主回路）2該線路相當(dāng)于正極性和反極性兩組三相半波整流電路并聯(lián)。每只晶閘管的比較大導(dǎo)通角為120o，負(fù)載電流Id同時(shí)由兩個(gè)晶閘管和兩個(gè)變壓器繞組供給，每只管子承擔(dān)1/6的Id，任何瞬時(shí)，正，負(fù)極性組均有一支電路導(dǎo)通工作。2該線路提高了變壓器利用率。正高電氣為企業(yè)打造高水準(zhǔn)、高質(zhì)量的產(chǎn)品。大連行吊可控硅集成調(diào)壓模塊

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    1、過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇?*簡(jiǎn)單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的，按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端。2、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短，也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會(huì)引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù)，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí)，和開關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會(huì)產(chǎn)生過電壓。菏澤晶閘管模塊配件

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