VDRM）的計算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計算：由于該線路相當于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項：l電力半導(dǎo)體模塊屬于溫度敏感性器件，使用時必須安裝于散熱器上。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后，在模塊底板上均勻涂上（采用滾柱來回滾動涂抹）導(dǎo)熱硅脂，導(dǎo)熱硅脂剛好能夠覆蓋整個底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊，檢查模塊底板整個區(qū)域是否完全沾潤。l手冊中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器、強通風冷(風速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負載下得出的。若使用條件發(fā)生變化(如感性負載)額定電流就會下降。l散熱器與模塊接觸面應(yīng)平整，散熱器的平面度≤（1）,確保良好的熱傳導(dǎo)，電極與銅排連接時。正高電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓。武漢集成智能調(diào)壓模塊

    充電電源，電機調(diào)速，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進口器件，實現(xiàn)了自動軋機原器件的國產(chǎn)化；6K、6G、8K、8G電力機車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化，使用壽命超過了進口元件。在自動控制方面，我公司成功開發(fā)出各種工控板，應(yīng)用在各種不同的場合，真正形成了控制方式靈活，保護齊全，可靠性高的優(yōu)勢。與模塊結(jié)合開發(fā)了智能模塊。廣泛應(yīng)用于不同行業(yè)各種領(lǐng)。在散熱器方面公司成功開發(fā)了，通過努力已進入了國內(nèi)的輸變電行業(yè)、機車行業(yè)所需的**市場。我公司秉承快速反應(yīng)、持續(xù)改進的工作作風，融入世界的發(fā)展戰(zhàn)略，致力于提高品牌**度的發(fā)展目標，建成國際前列、國內(nèi)**的功率半導(dǎo)體制造基地。公司未來將繼續(xù)在高電壓大電流、系統(tǒng)集成、技術(shù)領(lǐng)域?qū)で蟾笸黄啤Ｉ轿麟p向晶閘管模塊品牌正高電氣我們完善的售后服務(wù)，讓客戶買的放心，用的安心。

    按規(guī)定應(yīng)采用風冷的模塊而采用自冷時，則電流的額定值應(yīng)降低到原有值的30～40[%]，反之如果改為采用水冷時，則電流的額定值可以增大30～40[%]。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風機，我們確定了不同型號模塊在其額定電流工作狀態(tài)下，環(huán)境溫度為40℃時所需的散熱器長度、風機規(guī)格、數(shù)量及散熱器基礎(chǔ)參數(shù)等，請參考說明書。另外，在表內(nèi)出具了每個型號的模塊在峰值壓降、比較大標稱電流和阻性負載條件下的功耗值，以便于用戶自己確定散熱器尺寸時做參考。在實際應(yīng)用中，應(yīng)注意以下幾點：（1）軸流風機風速應(yīng)≥6m/s。（2）若模塊達不到滿負荷工作，可酌減散熱器長度。（3）在設(shè)備開機前，應(yīng)檢查模塊所有螺釘是否牢固，若有松動，應(yīng)擰緊螺釘，以使模塊底板和散熱器表面以及模塊電極和接線端子之間都能夠緊密接觸，達到比較好散熱效果。（4）采用自然冷卻形式時，必須保證散熱器周圍的空氣能夠自然對流。（5）因水冷散熱效果好，有水冷條件的，應(yīng)優(yōu)先水冷散熱形式。

    它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強大的生命力。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極。正高電氣設(shè)備的引進更加豐富了公司的設(shè)備品種，為用戶提供了更多的選擇空間。

    晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時所對應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時，允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標準散熱條件下，晶閘管正常工作時A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下，晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當其反向漏電電流急劇增加時反對應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A、K極間的比較大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。正高電氣是多層次的模式與管理模式。武漢集成智能調(diào)壓模塊

正高電氣從國內(nèi)外引進了一大批先進的設(shè)備，實現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。武漢集成智能調(diào)壓模塊

    并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力，所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片依次設(shè)置于所述銅底板上。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進，任一所述接頭包括：螺栓和螺母，所述螺栓與螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板進行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片進行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進，所述壓塊和第二壓塊上還設(shè)置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進，所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進，所述外殼上還設(shè)置有門極銅排安裝座。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運行。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地。武漢集成智能調(diào)壓模塊

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