光伏探測器基于光照產(chǎn)生電勢差，用測電勢差的原理。它分為光電池與光電二極管兩種類型，光電池主要是把光能轉換為電能的器件，目前有硒光電池、硅光電池、砷化鎵及鍺光電池等，但目前運用較廣的是硅光電池。光電二級管分為P-N結光電二極管、PIN光電二級管、雪崩光電二極管、光電三級管等。PIN光電二極管又稱快速光電二極管，與一般的光電二極管相比，它具有不的時間常量，并使光譜響應范轉向長波方向移動，其峰值波長可移至1.04~1.06um而與YAG激光器的發(fā)射波長相對應。它具有靈敏度高的優(yōu)點。它是由P型半導體和N型半導體之間夾了一層本征半導體構成的。因為本征半導體近似于介質，這就相當于增大了P-N結結電容兩個電極之間的距離，使結電容變得很小。其次，P型半導體和N型半導體中耗盡層的寬度是隨反向電壓增加而加寬的，隨著反偏壓的增大，結電容也要變得很小。由于I層的存在，而P區(qū)一般做得很薄，入射光子只能在I層內被吸收，而反向偏壓主要集中在I區(qū)，形成高電場區(qū)，I區(qū)的光生載流子在強電場作用下加速運動，所以載流子渡越時間常量減小，從而改善了光電二極管的頻率響應。同時I層的引入加大了耗盡區(qū)，展寬了光電轉換的有效工作區(qū)域，從而使靈敏度得以提高。激光就是─種相干光。深圳APD光電探測器價格對比

當金屬表面在特定的光輻照作用下，金屬會吸收光子并發(fā)射電子，發(fā)射出來的電子叫做光電子。光的波長需小于某一臨界值時方能發(fā)射電子，其臨界值即極限頻率和極限波長。臨界值取決于金屬材料，而發(fā)射電子的能量取決于光的波長而非光的強度，這一點無法用光的波動性解釋。還有一點與光的波動性相矛盾，即光電效應的瞬時性，按波動性理論，如果入射光較弱，照射的時間要長一些，金屬中的電子才能積累住足夠的能量，飛出金屬表面。可事實是，只要光的頻率高于金屬的極限頻率，光的亮度無論強弱，電子的產(chǎn)生都幾乎是瞬時的，不超過十的負九次方秒。正確的解釋是光必定是由與波長有關的嚴格規(guī)定的能量單位(即光子或光量子)所組成。這種解釋為愛因斯坦所提出。光電效應由德國物理學家赫茲于1887年發(fā)現(xiàn)，對發(fā)展量子理論及波粒二象性起了根本性的作用。根據(jù)愛因斯坦的光電子效應，光子是運動著的粒子流，每種光子的能量為hv(v為光波頻率，h為普朗克常數(shù))，由此可見不同頻率的光子具有不同的能量，光波頻率越高，光子能量越大。假設光子的全部能量交給光子，電子能量將會增加，增加的能量一部分用于克服正離子的束縛，另一部分轉換成電子能量。深圳光電探測器產(chǎn)品通常光電探測器的噪聲主要分為暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲。

光電探測器是光接收器的主要器件之一，用來將光功率轉換為電流。根據(jù)系統(tǒng)的性能目標，可以選用PIN或APD（雪崩光電二極管）光電探測器。誤碼率（BER）是用于指定通信傳輸系統(tǒng)可靠性的主要指標，通常與接收機靈敏度值相關，該值定義了必須到達光電探測器的較小平均光功率，以實現(xiàn)所需的BER性能。另外，信道的Q值可以從采樣的信號統(tǒng)計中計算出來，并用于估計系統(tǒng)的誤碼率。光電探測器在定義基本通信系統(tǒng)的較終靈敏度方面起著重要的作用，因為它以散彈噪聲和熱噪聲的形式提供統(tǒng)計擾動，并引入了暗電流及定義響應率來衡量每單位輸入功率獲得多少電輸出。這些特性取決于入射光的波長和傳感器的材料特性和物理設計。

1873年，英國W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導體的發(fā)展，各種新的光電導材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。在60年代初以前還沒有研制出適用的窄禁帶寬度的半導體材料，因而人們利用非本征光電導效應。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質能級，照射的光子能量只要等于或大于雜質能級的離化能，就能夠產(chǎn)生光生自由電子或自由空穴。非本征光電導體的響應長波限λ由下式求得λc=1.24/Ei式中Ei表示雜質能級的離化能。半導體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。

光電流指在入射光照射下光電探測器所產(chǎn)生的光生電流，暗電流可以定義為沒有光入射的情況下探測器存在的漏電流。其大小影響著光接收機的靈敏度大小，是探測器的主要指標之一。暗電流主要包括以下幾種：①耗盡區(qū)中邊界的少子擴散電流;②載流子的產(chǎn)生-復合電流，通過在加工中消除硅材料的晶格缺陷，可以有效減小載流子的產(chǎn)生-復合電流，通常對于高純度的單晶硅產(chǎn)生-復合電流可以降低到2*1011A/nm2以下;③表面泄漏電流，在制造工藝結束時，對芯片表面進行鈍化處理，可以將表面漏電流降低到1011A/nm2量級。當然，暗電流也受探測器工作溫度和偏置電壓的影響。探測器的暗電流與噪聲是分不開的，通常光電探測器的噪聲主要分為暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲：a暗電流噪聲：對于一個光電探測器來講，可接收的光功率是由探測器的暗電流大小決定的，所以減小探測器的暗電流能提高光接收機的靈敏度;b散粒噪聲：當探測器接收入射光時，散粒噪聲就產(chǎn)生于光子的產(chǎn)生-復合過程中。由于光生載流子的數(shù)量變化規(guī)律服從泊松統(tǒng)計分部，所以光生載流子的產(chǎn)生過程存在散粒噪聲;c熱噪聲：由于導體中電子的隨機運動會產(chǎn)生導體兩端電壓的波動，因此就會產(chǎn)生熱噪聲。當光在半導體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減。石巖30G PIN光電探測器廠家直銷

在相干光通信中主要利用了相干調制和外差檢測技術。深圳APD光電探測器價格對比

偏振復用就是將激光器發(fā)出的光通過偏振分束器分裂成兩束，這兩束光可以分別進行調制，由于偏振方向垂直，不會發(fā)生干涉。由于光在光纖中傳輸時，偏振方向可能發(fā)生改變，導致偏振方向不再嚴格垂直，產(chǎn)生偏振損耗。在激光器到光調制器之間的光路上，必須使用保偏光纖，保證光的偏振度，避免對非偏振的部分進行調制。在光纖中遠距離傳輸時，必然會產(chǎn)生一定的偏振損耗。相干光通信的技術難點與傳統(tǒng)光通信中，通信質量主要只與信號質量相關不同，在相干光通信中，算法占據(jù)了舉足輕重的地位。由于接收機接受到的信號是在光纖中反復旋轉、劣化的信號，相干探測取得的數(shù)據(jù)只是原始數(shù)據(jù)，需要進行大量的數(shù)據(jù)處理、判定和優(yōu)化，這就對算法提出了很高的要求。在高速信號的背景下，這在過去一直是一個瓶頸。隨著芯片技術的發(fā)展和DSP廠商在算法上所做出的努力，這個難點如今得到了很好的解決。深圳APD光電探測器價格對比

深圳市飛博光電科技有限公司在激光光源，光放大器，射頻放大器，光電探測器一直在同行業(yè)中處于較強地位，無論是產(chǎn)品還是服務，其高水平的能力始終貫穿于其中。深圳市飛博光電是我國通信產(chǎn)品技術的研究和標準制定的重要參與者和貢獻者。深圳市飛博光電以激光光源，光放大器，射頻放大器，光電探測器為主業(yè)，服務于通信產(chǎn)品等領域，為全國客戶提供先進激光光源，光放大器，射頻放大器，光電探測器。產(chǎn)品已銷往多個國家和地區(qū)，被國內外眾多企業(yè)和客戶所認可。